oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP4600F3 ， TISP4700F3
高压
双向晶闸管过电压保护
*R
TISP4600F3 ， TISP4700F3
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备
‘4600
‘4700
V
DRM
V
420
500
V
（BO）
V
600
700
LM包装（顶视图）
T（A ）
NC
R（ B）
1
2
3
MD4XATA
NC - 引脚2无内部连接
额定国际浪涌波形
波形
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
10/1000
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC第68部分
FCC第68部分
ITU -T K.20 / 21
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
190
175
110
70
50
45
LMF包（ LM PKG 。与形成信息） （俯视图）
T（A ）
NC
R（ B）
1
2
3
MD4XAKC
NC - 引脚2无内部连接
设备符号
T
....................................... UL认证组件
描述
这些装置被设计成一个系统之间的限制过电压
SD4XAA
R
和接地保护。该TISP4700F3设计用于绝缘
保护的诸如局域网系统，并且允许的浮动电压
端子T和R对应
500 V无削波。 IEC 60950及UL 1950有一定的要求一
A和B的替代路线代号
ments电话网络电压（TNV ）的进线。任何亲
从行至地面tector必须具有1.6倍的设备在额定电压的电压额定值。国际和欧洲分析装备
换货通常有230 V有效值， 240 V有效值或250 V rms的最大额定电压。 1.6乘以250 V值给出的保护者
V
DRM
的400 V允许操作下降到0℃的值给出为V
DRM
420 V在25℃下的值。满足了这种需求由TISP4600F3 。
该保护器是由一个对称的电压触发双向晶闸管。过电压被钳位击穿最初剪辑
直到电压上升到导通的水平，这会导致设备撬棍插入状态的低电压。在这种状态下的低电压
使从过电压产生的电流可以通过设备安全地转移。高铁撬保持电流阻止
直流闭锁的分流电流补贴。单一设备提供了2个点的保护。可用于多设备的组合
点保护（如戒指，提示和地之间的3点保护） 。
该TISP4x00F3是保证电压限制和抵御国际上市雷电浪涌的两极。这种保护
设备是在一个DO -92 （ LM）的圆筒形的塑料封装。
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP4x00F3LM
TISP4x00F3LMR
对于无铅
终止完成
顺序
TISP4x00F3LM-S
TISP4x00F3LMR-S
设备
TISP4x00F3
TISP4x00F3
TISP4x00F3
包
LM ，直铅DO- 92
LM ，直铅DO- 92
LMF ，形成铅DO- 92
支架
散装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
TISP4x00F3LMFR TISP4x00F3LMFRS
将x = 6 TISP4600F3且x = 7 TISP4700F3
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1997年11月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4600F3 ， TISP4700F3
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
2/10 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10电压波形）
1/20 （ITU-T K.22 ， 1.2 / 50的电压波形， 25
电阻器）
8/20 （ IEC 61000-4-5 ，混合波形发生器， 1.2 / 50电压波形）
一百六分之一十（ FCC第68部分， 160分之10电压波形）
二百五十〇分之四（ITU-T K.20 / 21 10/700电压波形，同时）
三百一分之五（ ITU -T K.20 / 21 ， 10/700电压波形，单）
三百二十〇分之五（ FCC第68部分，七百二十零分之九电压波形，单）
五百六十○分之一十（ FCC第68部分，五百六十○分之十电压波形）
10/1000 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注1和2 ）
50/60赫兹，
1s
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
PPSM
190
100
175
110
95
70
70
50
45
6
250
-40到+150
-65到+150
A
A / μs的
°C
°C
A
TISP4600F3
TISP4700F3
符号
V
DRM
价值
±
420
±
500
单位
V
通态电流，线性电流斜坡，斜坡的最大价值< 38 A的上升初始速度
结温
存储温度范围
注释：1.最初， TISP必须为T的热平衡
J
= 25
°C.
2.这些不重复的额定电流是要么polarirty的峰值。电涌可能会重复后TISP返回到其
初始条件。
推荐工作条件
部件
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻的ITU - T建议K.20和K.21
R1, R2
串联电阻用于FCC第68部分720分之9生存
串联电阻用于FCC第68部分一百六十○分之一十， 560分之10生存
民
15
0
0
10
典型值
最大
单位
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
=
±V
DRM
的dv / dt =
±700
V / ms的，R
来源
= 300
的dv / dt =
±700
V / ms的，R
来源
= 300
I
T
=
±5
A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
F = 100千赫，V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0,
F = 100千赫，V
d
= 1 V有效值，V
D
= -50 V
44
11
TISP4600F3
TISP4700F3
±0.1
±0.15
±5
±10
74
20
测试条件
民
典型值
最大
±5
±600
±700
单位
A
V
A
A
KV / μs的
A
pF
V
（BO）
击穿电压
I
（BO）
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
导通电流
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
关态电容
1997年11月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP4600F3 ， TISP4700F3
热特性
参数
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25
°C,
（见注3 ）
265毫米X 210毫米填充线卡
4层PCB板，我
T
= I
TSM(1000)
, T
A
= 25
°C
57
民
典型值
最大
120
° C / W
单位
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
记
3 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
V
（BO）
I
H
I
DRM
-v
V
DRM
I
DRM
I
H
V
（BO）
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
I
TSP
-i
PMXXAJ一
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
+v
I
（BO）
I
（BO）
图1.电压 - 电流特性的RT端子对
1997年11月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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