TISP4072F3 ， TISP4082F3
对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压（0°C <牛逼
J
< 70 ° C）
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1 ， 2和3 ）
1/2微秒（气体管差动瞬态，开路电压波形的1/2微秒）
2/10微秒（ FCC第68部分，开路电压波形2/10微秒）
8/20微秒（ANSI C62.41 ，开路电压波形1.2 / 50微秒）
一百六分之一十微秒（ FCC第68部分，开路电压波形一百六十零分之一十微秒）
200分之5微秒（VDE 0433 ，开路电压波形2千伏10/700 μs）内
0.2 / 310微秒（RLM 88 ，开路电压波形为1.5kV ， 0.5 / 700微秒）
三百一分之五微秒（ CCITT IX K17 / K20 ，开路电压波形2千伏10/700微秒）
三百一分之五微秒（ FTZ R12 ，开路电压波形2千伏10/700微秒）
五百六十○分之一十微秒（ FCC第68部分，开路电压波形五百六十零分之一十微秒）
10/1000微秒（ REA PE- 60 ，开路电压波形10/1000 μs）内
非重复性峰值通态电流（见注2和3 ）
50赫兹，
1s
通态电流上升的初始速度，
结温
存储温度范围
包
SL包装
线性电流斜坡，斜坡的最大价值<一38
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSP
120
80
70
60
50
38
50
50
45
35
4
6
250
-40到+150
-40到+150
均方根
A / μs的
°C
°C
A
‘4072F3
‘4082F3
符号
V
DRM
价值
± 58
± 66
单位
V
注：被浪涌波形1.进一步详情载于应用信息部分。
2.最初TISP必须是热平衡与0 ℃的<牛逼
J
<70 ℃。浪涌可以重复后TISP返回到其初始
条件。
3.超过70° C，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
电特性为T和R端子，T
J
= 25°C
TISP4072F3
参数
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
AGE
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
关态电容
测试条件
民
典型值
最大
±10
±72
±86
±0.15
±0.15
±5
±10
V
d
= 100 mV的
V
D
= 0,
V
D
= -5 V
V
D
= -50 V
82
49
25
140
85
40
82
49
25
±0.6
±3
±0.15
±5
±10
140
85
40
±0.15
±96
±0.6
±3
民
TISP4082F3
典型值
最大
±10
±82
单位
I
DRM
V
（BO）
V
（BO）
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
记
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
＆ LT ; 70℃
的dv / dt = ± 250 V / ms的，R
来源
= 300
R
来源
= 50
,
的di / dt < 20 A / μs的
的dv / dt = ± 250 V / ms的，R
来源
= 300
I
T
= ± 5 A，T
W
= 100 s
的di / dt = +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡
最大斜坡值< 0.85V
（ BR ）分
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
（见注4 ）
A
V
V
A
V
A
KV / μs的
A
pF
pF
pF
脉冲导通电压的dv / dt = ± 1000 V / μs的，
4 ：关于电容的更多详细信息，在应用信息部分中给出。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
2
测试条件
P
合计
= 0.8 W，T
A
= 25°C
5厘米， FR4 PCB
包
SL包装
民
典型值
最大
160
105
单位
° C / W
产品
信息
2
TISP4072F3 ， TISP4082F3
对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
（ BR ）M
-v
I
（ BR ）
V
（ BR ）
I
（BO）
I
H
V
DRM
I
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
V
（ BR ）M
I
DRM
V
（ BR ）
I
（ BR ）
+v
V
（BO）
I
（BO）
V
（BO）
V
T
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PMXXAA
图1的电压电流特性用于T和R终末
所有测量到R TERMINAL REFERENCED
产品
信息
3
TISP4072F3 ， TISP4082F3
对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
典型特征
R和T端子
保持电流&转折电流
vs
结温
I
H
, I
（BO）
- 保持电流，击穿电流 - 一个
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I
H
0.2
I
（BO）
TC3LAH
正规化的击穿电压
vs
加息原理CURRENT OF的
1.3
TC3LAB
正规化的击穿电压
1.2
积极
1.1
负
0.1
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
1.0
0·001
0·01
0·1
1
10
100
的di / dt - 率原则电流上升 - A / μs的
图6 。
图7 。
关态电容
vs
端电压
100
TC3LAE
关态电容
vs
结温
500
TC3LAD
正面偏置
关态电容 - pF的
关态电容 - pF的
负偏压
100
终端偏置= 0
终端偏置= 50 V
终端偏置= -50 V
10
0·1
10
1
终端电压 - V
10
50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
网络连接gure 8 。
图9 。
产品
信息
5
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