oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP4015L1AJ ， TISP4030L1AJ ， TISP4040L1AJ
TISP4015L1BJ ， TISP4030L1BJ ， TISP4040L1BJ
非常低的电压
双向晶闸管过电压保护
*R
TISP40xxL1AJ / BJ VLV过压保护器
低电容
“ 4015 ................................................ ................................... 28 pF的
“ 4030 ................................................ ................................... 27 pF的
“ 4040 ................................................ ................................... 23 pF的
数字线路信号电平保护
- ISDN
- xDSL的
安全特低电压（SELV） ，值
SMA封装（顶视图）
R（ B）
1
2
T（A ）
MDXXCCE
设备
‘4015
‘4030
‘4040
V
DRM
V
±
8
±
15
±
25
V
（BO）
V
±
15
±
30
±
40
SMB封装（顶视图）
R（ B）
1
2
T（A ）
30 A“ L”为指定系列：
- ITU -T K.20建议， K.45 ， K.21
- FCC Part 68和GR -1089 -CORE
MDXXBGF
设备符号
T
波形
2/10
s
8/20
s
10/160
s
10/700
s
10/560
s
10/1000
s
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC第68部分
ITU -T K.20 /二十一分之四十五
FCC第68部分
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
150
120
65
SD4XAA
45
35
30
R
T
erminals T和R对应
A和B的替代路线代号
可在SMA和SMB封装
SMA节省25％的放置区域在SMB
............................................ UL认可零部件
描述
这些装置被设计为限制在数字通信线路的过电压。过电压通常是由交流引起动力系统
或它们诱导或到电话线进行的闪电干扰。单一设备提供了2个点的保护，是
通常用于变压器绕组和低压电子设备的保护。
该保护器是由一个对称的电压触发双向晶闸管。过电压最初由剪切破坏夹紧，直到
的电压上升到导通的水平，这会导致设备撬棍成导通状态的低电压状态。在这种状态下的低电压
使从过电压产生的电流可以通过设备安全地转移。该装置关闭时，电流分流
低于保持电流值。
如何订购
标准
对于无铅
终止完成终止完成
顺序
顺序
TISP40xxL1AJR-S
TISP40xxL1BJR-S
设备
TISP40xxL1
包
支架
SMA / DO- 214AC J-本德（ AJ ）卷带绞纱TISP40xxL1AJR
(R)
SMB / DO- 214AA J-本德（ BJ ）
TISP40xxL1BJR
插入XX值对应的15 V至保护电压， 30 V和40 V.
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1999年8月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP40xxL1AJ / BJ VLV过压保护器
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
2/10
s
(T
elcordia GR -1089 -CORE ， 2/10
s
电压波形）
8/20
s
（ IEC 61000-4-5 ，梳萌发的波发生器， 1.2 / 50电压，电流8/20 ）
10/160
s
（ FCC第68部分，一百六十零分之十
s
电压波形）
5/310
s
（ ITU -T K.20 / 45 /21， 10/700
s
电压波形）
5/320
s
（ FCC第68部分，七百二十分之九
s
电压波形）
10/560
s
（ FCC第68部分， 560分之10
s
电压波形）
10/1000
s
(T
elcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000
s
电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注1和2 ）
20毫秒（ 50赫兹）全正弦波
16.7毫秒（ 60Hz）的全正弦波
0.2秒50赫兹/ 60赫兹交流电
2秒50赫兹/ 60赫兹交流电
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
电流上升的初始速度（ 2/10波形）
最高结温
存储温度范围
注释：1.最初，设备必须在以T热平衡
J
= 25
°C.
2.浪涌可在设备返回到它的初始条件后可重复。
20
22
13
5
1.8
130
150
-65到+150
±
150
±
120
±
65
±
45
±
45
±
35
±
30
‘4015
‘4030
‘4040
符号
V
DRM
价值
±8
±15
±
25
单位
V
I
TSP
A
I
TSM
A
的dI / D吨
T
JM
T
英镑
A / μs的
°C
°C
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
V
D
= V
DRM
‘4015
‘4030
‘4040
‘4015
‘4030
‘4040
测试条件
民
典型值
最大
±5
±15
±30
±40
±34
±50
±63
±0.8
‘4015
‘4030
‘4040
±50
±2
单位
A
V
（BO）
的di / dt =
±0.8
A / MS
dv / dt的
=
±1000
V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值=
±500
V
的di / dt =
±5
A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值=
±10
A
的di / dt =
±0.8
A / MS
V
D
=
±
6 V
V
D
=
±
13 V
V
D
=
±
22 V
I
T
=
±5
A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
V
V
（BO）
脉冲导通
电压
导通电流
FF-态电流
保持电流
V
I
（BO）
I
D
I
H
A
A
mA
1999年8月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP40xxL1AJ / BJ VLV过压保护器
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明） （续）
参数
测试条件
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0
‘4015
‘4030
‘4040
‘4015
‘4030
‘4040
‘4015
‘4030
‘4040
民
典型值
28
27
23
25
24
20
23
22
18
最大
36
35
29
33
31
26
30
29
24
单位
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= 1 V
C
关闭
关态电容
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= 2 V
pF
热特性
参数
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25
°C,
（见注3 ）
SMA
SMB
60
55
民
典型值
最大
125
120
单位
R
θ
JA
分线箱N至自由空气的热阻
265毫米X 210毫米填充线卡，形状记忆合金
4层PCB板，我
T
= I
TSM(1000)
, T
A
= 25
°C
SMB
° C / W
注3 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
1999年8月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP40xxL1AJ / BJ VLV过压保护器
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
V
（BO）
I
H
I
DRM
-v
V
DRM
I
DRM
I
H
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
+v
I
（BO）
I
（BO）
V
（BO）
I
TSM
I
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PM4AC
图1的电压电流特性用于T和R终末
所有测量到R TERMINAL REFERENCED
1999年8月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP40xxL1AJ / BJ VLV过压保护器
典型特征
FF-态电流
vs
结温
10000
TC4LVC
1.10
归一化击穿电压
vs
结温
TC4LVE
'4040L1
1000
I
D
- 断态电流 - NA
归一化击穿电压
1.05
'4030L1
100
10
'4030L1
'4040L1
1
'4015L1
0.1
0
50
100
T
A
- 环境温度 -
°C
150
'4015L1
1.00
0.95
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 结温 -
°C
150
图2中。
通态电流
vs
通态电压
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
1
2
3
4
V
T
- 通态电压 - V
5
6
归一化控股CURRENT
I
T
- 通态电流 - 一个
TC4LVB
网络连接gure 3 。
归一化控股CURRENT
vs
结温
TC4LVD
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
-25
0
25
50
75
100
T
J
- 结温 -
°C
125
150
图4中。
1999年8月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
图5中。
QQ：2880707522 复制
