oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP3600F3 ， TISP3700F3
双路双向晶闸管过电压保护
*R
TISP3600F3 ， TISP3700F3
IEEE标准802.3局域网和城域网的应用
离子注入击穿区
精确稳定的电压
码头
设备
‘3600
‘3700
T&G ， R&G
V
DRM
V
420
500
V
（BO）
V
600
700
T&R
V
DRM
V
840
1000
V
（BO）
V
1200
1400
SL包（顶视图）
T
G
R
1
2
3
MDXXAGB
设备符号
T
R
额定国际浪涌波形
波形
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
10/1000
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC第68部分
FCC第68部分
ITU -T K.20 / 21
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
190
175
110
70
50
45
SD3XAA
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP3600F3SL
TISP3700F3SL
对于无铅
终止完成
顺序
TISP3600F3SL-S
TISP3700F3SL-S
设备
TISP3600F3
TISP3700F3
包
SL ，一列直插式
SL ，一列直插式
支架
管
管
描述
这些装置被设计来限制系统之间的过电压，因此保护其绝缘。一个单一的设备可以通过两种使用
方式;作为一个3点保护或2点保护。在3点模式，对G端连接到系统的保护性接地
与R和T端连接到所述两个导体的保护。为TISP3600F3 ，每个导体有其电压
年龄限定在保护接地± 600 V 。最大导体间的电压将被限制为± 1200V。
在2点模式中，只有外R和T端子被连接，并且对G端子是未连接状态。该TISP3700F3限制电压
两个连接节点之间的年龄为± 1400 V与电压限制上述± 1000 V两TISP3700F3设备连接开始
串联将使绝缘测试为± 2000伏（1400 Vrms的） 。
所述保护器是由两个对称的电压触发双向晶闸管具有共同连接。过电压归一
LY造成交流电力系统或闪电的干扰而被耦合到系统。这些过电压最初
通过击穿夹紧剪切，直到电压升高到导通的水平，这会导致设备撬棍到低电压上
状态。在此状态下的低电压时，产生出的过电压产生的电流可以通过设备安全地转移。高
撬棍保持电流防止直流闭锁的分流电流补贴。
该TISP3x00F3是保证电压限制和抵御国际上市雷电浪涌的两极。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1997年11月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3600F3 ， TISP3700F3
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ RG或TG值）
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
2/10 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10电压波形）
1/20 （I TU -T K.22 ， 1.2 / 50电压波形， 25
电阻器）
8/20 （ I EC 61000-4-5 ，混合波形发生器， 1.2 / 50电压波形）
一百六分之一十（F CC第68部分，一百六十○分之一十电压波形）
二百五十〇分之四（I TU -T K.20 / 21 ， 10/700电压波形，同时）
三百一分之五（I TU -T K.20 / 21 ， 10/700电压波形，单）
三百二十〇分之五（F CC第68部分，七百二十〇分之九电压波形，单）
五百六十○分之一十（F CC第68部分，五百六十零分之十电压波形）
10/1000 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注1和2 ）
50/60赫兹，
1s
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
PPSM
190
100
175
110
95
70
70
50
45
6
250
-40到+150
-65到+150
A
A / μs的
°C
°C
A
TISP3600F3
TISP3700F3
符号
V
DRM
价值
±
420
±
500
单位
V
通态电流，线性电流斜坡，斜坡的最大价值< 38 A的上升初始速度
结温
存储温度范围
注： 1，首先， TISP设备必须在以T的热平衡
J
= 25
°C.
2.这些不重复的额定电流是要么polarirty的峰值。额定电流值可被应用于给R或T
终端。此外， R和T端子可能的额定电流值同时施用（在这种情况下对G
终端返回电流会施加到R和T端子）的电流的总和。电涌可能会在TISP后反复
返回到其初始条件。
推荐工作条件
部件
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻的ITU - T建议K.20和K.21
R1, R2
串联电阻用于FCC第68部分720分之9生存
串联电阻用于FCC第68部分一百六十○分之一十， 560分之10生存
民
15
0
0
10
典型值
最大
单位
电气特性为T和R端子， TA = 25
°C
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
=
±2V
DRM
的dv / dt =
±700
V / ms的，R
来源
= 300
的dv / dt =
±700
V / ms的，R
来源
= 300
I
T
=
±5
A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 1.7V
DRM
V
D
=
±50
V
±5
±10
TISP3600F3
TISP3700F3
±0.1
±0.15
测试条件
民
典型值
最大
±10
±1200
±1400
单位
A
V
A
A
KV / μs的
A
V
（BO）
击穿电压
I
（BO）
I
H
dv / dt的
I
D
导通电流
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
1997年11月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3600F3 ， TISP3700F3
电气特性为T和R端子， TA = 25
°C
（续）
参数
C
关闭
记
关态电容
测试条件
民
典型值
最大
单位
F = 100千赫，V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0 ， （见注3 ）
0.1
pF
3：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
电气特性的T和G或R和G端子， TA = 25
°C
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
=
±V
DRM
的dv / dt =
±700
V / ms的，R
来源
= 300
的dv / dt =
±700
V / ms的，R
来源
= 300
I
T
=
±5
A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
F = 100千赫，V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0 ， （见注4 ）
F = 100千赫，V
d
= 1 V有效值，V
D
= -50 V
44
11
TISP3600F3
TISP3700F3
±0.1
±0.15
±5
±10
74
20
测试条件
民
典型值
最大
±5
±600
±700
单位
A
V
A
A
KV / μs的
A
pF
V
（BO）
击穿电压
I
（BO）
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
记
导通电流
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
关态电容
4 ：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
记
结到自由空气的热阻
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25
°C,
（见注5 ）
民
典型值
最大
50
单位
° C / W
5 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
1997年11月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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