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TISP3290
双对称瞬态
电压抑制器
版权所有 1997年,创新动力有限公司, UK
1986年11月 - 修订1997年9月
电信系统二级保护
q
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备
‘3290
V
(Z)
V
200
V
(BO)
V
290
的TO-220封装
( TOP VIEW )
一(t)的
C( G)
乙(R)的
1
2
3
q
平面钝化结
低断态电流< 10 μA
额定国际浪涌波形
波形
8/20 s
10/160 s
10/560 s
0.2/310 s
10/700 s
10/1000 s
标准
ANSI C62.41
FCC第68部分
FCC第68部分
RLM 88
保税区R12
VDE 0433
CCITT IX K17 / K20
REA PE- 60
I
TSP
A
150
60
45
38
50
50
50
35
销2与安装底座的电接触。
MDXXANA
q
设备符号
q
UL认证, E132482
描述
该TISP3290是专为设计
电话设备防雷击
并诱发瞬态交流电源线。
这些设备包括两个双向
抑制元件连接到一个普通的
(C )端子。他们会剿电压瞬变
终端A和C , B和C ,以及A和B之间
B.
瞬变是由齐纳的行动最初剪辑
直到电压上升到导通水平,
这会导致设备撬棍。高
撬棍保持电流防止直流作为闭锁
瞬时消退。
这些单片保护装置是
制作离子注入平面结构,以
确保精确的匹配和控制导通
和几乎透明的系统中
正常操作。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TISP3290
双对称瞬态
电压抑制器
1986年11月 - 修订1997年9月
在绝对最大额定值
25°C
外壳温度(除非另有说明)
等级
非重复性峰值通态脉冲电流(见注1 , 2和3 )
8/20微秒(ANSI C62.41 ,开路电压波形1.2 / 50微秒)
一百六分之一十微秒( FCC第68部分,开路电压波形一百六十零分之一十微秒)
200分之5微秒(VDE 0433 ,开路电压波形2千伏10/700 μs)内
0.2 / 310微秒(RLM 88 ,开路电压波形为1.5kV , 0.5 / 700微秒)
三百一分之五微秒( CCITT IX K17 / K20 ,开路电压波形2千伏10/700微秒)
三百一分之五微秒( FTZ R12 ,开路电压波形2千伏10/700微秒)
五百六十○分之一十微秒( FCC第68部分,开路电压波形五百六十零分之一十微秒)
10/1000微秒( REA PE- 60 ,开路电压波形10/1000 μs)内
非重复性峰值通态电流, 50赫兹, 2.5秒(见注1和2 )
通态电流上升的初始速度,
结温
工作自由 - 空气的温度范围内
存储温度范围
焊接温度1.5毫米案件从10秒
T
英镑
T
领导
线性电流斜坡,斜坡的最大价值<一38
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
I
TSP
150
60
50
38
50
50
45
35
10
250
150
0到70
-40到+150
260
均方根
A / μs的
°C
°C
°C
°C
A
符号
价值
单位
注: 1,以上70 ° C,线性降额到零上150 ℃的外壳温度
2.该值适用于当最初的外壳温度是在(或低于) 70℃。电涌,可以重复该装置具有后
返回到热平衡。
3.大多数PTT的报价空载电压波形。在操作中, TISP基本上短路所述发电机的输出。由此产生的
被指定加载的电流波形。
.
电特性为A和B端子,T
J
= 25°C
参数
V
Z
I
D
C
关闭
齐纳参考
电压
关闭状态漏泄
当前
关态电容
I
Z
=
±
1mA
V
D
=
±
50 V
V
D
=
0
F = 1千赫
(见注4 )
0.5
测试条件
±
400
±
10
5
典型值
最大
单位
V
A
pF
4 :这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
电特性为A和C或B和C端子,T
J
= 25°C
参数
V
Z
V
Z
齐纳参考
电压
温度COEF网络cient
参考电压
击穿电压
导通电流
峰值通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
关闭状态漏泄
当前
关态电容
(见注5和6)
(见注5 )
I
T
=
±
5 A
(见注5 )
(见注7 )
V
D
=
±
50 V
V
D
= 0
F = 1千赫
(见注4 )
70
(见注5和6)
±
150
±
5
±
10
150
±
0.15
±
1.9
I
Z
=
±
1mA
测试条件
±
200
0.1
±
290
±
0.6
±
3
典型值
最大
单位
V
%/
o
C
V
A
V
mA
KV / μs的
A
pF
V
(BO)
I
(BO)
V
TM
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
w
= 100
s,
占空比
2%.
6.这些参数与电压测量感知接触单独从位于内3.2毫米载流触点
( 0.125英寸),从装置本体。
7.直线上升速率,最大电压限制为80 %的V
Z
(最小) 。
产品
信息
2
TISP3290
双对称瞬态
电压抑制器
1986年11月 - 修订1997年9月
.
参数测量信息
图1.电压 - 电流特性作为终端的任何一对
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
典型值
最大
62.5
单位
° C / W
产品
信息
3
TISP3290
双对称瞬态
电压抑制器
1986年11月 - 修订1997年9月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形,并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时,清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意:C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注:A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
4
TISP3290
双对称瞬态
电压抑制器
1986年11月 - 修订1997年9月
重要通知
创新动力有限公司( PI)保留随时更改其产品或终止任何权
半导体产品的通知或不通知的服务,并建议客户验证,在下订单之前,该
信息被依靠的电流。
其半导体产品的PI保证产品性能在销售的时候规格
按照PI的标准保修。测试和其它质量控制技术的利用程度PI
认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除非政府强制要求执行。
PI接受的应用协助,客户的产品设计,软件性能或侵犯任何责任
专利或服务的描述。也不是任何许可证,明示或暗示,任何专利授
权,版权,设计权,或PI覆盖其他知识产权或与之有关的任何组合,
机,或方法,其中,这种半导体产品或服务可能使用或正在使用。
PI半导体公司的产品不是设计,意,授权或保证TO BE
适合于在生命支持应用程序,设备或系统。
版权所有1997 ,创新电源有限公司
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信息
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Bourns
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