oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP3240F3 ， TISP3260F3 ，
TISP3290F3,TISP3320F3,TISP3380F3
高电压双的双向晶闸管
过电压保护
*R
TISP3xxxF3 （ HV ），过电压保护器系列
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备
‘3240F3
‘3260F3
‘3290F3
‘3320F3
‘3380F3
V
DRM
V
180
200
220
240
270
V
（BO）
V
240
260
290
320
380
包（顶视图）
T
NC
NC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
G
G
NC - 无内部连接
SL包（顶视图）
平面钝化结
低断态电流<10 μA
额定国际浪涌波形
波形
2/10
s
8/20
s
10/160
s
10/700
s
10/560
s
10/1000
s
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC第68部分
ITU -T K.20 / 21
FCC第68部分
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
175
120
60
50
45
35
T
G
R
1
2
3
MD1XAB
设备符号
T
R
....................................... UL认证组件
描述
这些高电压双双向晶闸管保护器
旨在保护地支持振铃中心
办公，接入和客户端设备对
过电压引起的雷击和交流动力
骚乱。提供五种不同的电压，以满足
电池和保护要求，他们都保证
抑制和抵御国际上市闪电
激增的两极。过电压最初剪辑
通过击穿夹紧，直到电压升高到
导通的水平，这会导致设备的切换。该
高铁撬保持电流防止直流闭锁作为
目前的补贴。
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP3xxxF3DR
TISP3xxxF3SL
对于无铅
终止完成
顺序
TISP3xxxF3DR-S
TISP3xxxF3SL-S
SD3XAA
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
设备
TISP3xxxF3
帕茨卡GE
D，小邻utline
SL ，一列直插式
支架
点击E和缠绕
管
插入XXX价值，通过380对应240电压保护
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxF3 （ HV ），过电压保护器系列
描述（续）
这些单片保护器件被制造在离子注入的平面结构，以确保精确的和匹配的导通控制
和几乎透明的系统在正常操作状态。
绝对最大额定值，T
A
= 25 ° C（除非另有说明）
等级
‘3240F3
‘3260F3
‘3290F3
‘3320F3
‘3380F3
符号
价值
±180
±200
±220
±240
±270
350
175
90
120
I
PPSM
60
55
38
50
50
45
35
包
SL包装
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
4.3
7.1
250
-65到+150
-65到+150
A
A / μs的
°C
°C
A
单位
重复峰值断态电压， 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
V
DRM
V
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
1/2（燃气管差瞬间， 1/2的电压波形）
2/10 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10电压波形）
1/20 （ITU-T K.22 ， 1.2 / 50的电压波形， 25
电阻器）
8/20 （ IEC 61000-4-5 ，混合波形发生器， 1.2 / 50电压波形）
一百六分之一十（ FCC第68部分， 160分之10电压波形）
二百五十〇分之四（ITU-T K.20 / 21 10/700电压波形，同时）
0.2 / 310 （ CNET我31-24 ， 0.5 / 700的电压波形）
三百一分之五（ ITU -T K.20 / 21 ， 10/700电压波形，单）
三百二十〇分之五（ FCC第68部分，七百二十零分之九电压波形，单）
五百六十○分之一十（ FCC第68部分，五百六十○分之十电压波形）
10/1000 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000电压波形）
非重复性峰值通态电流， 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
（见注1和3 ）
50赫兹， 1秒
通态电流，线性电流斜坡，斜坡的最大价值< 38 A的上升初始速度
结温
存储温度范围
注：被浪涌波形1.进一步详情载于应用信息部分。
2.最初， TISP
装置M UST是热平衡与0 ℃的<牛逼
J
<70 ℃。电涌可能会在TISP后反复
设备
返回到其初始条件。
3.超过70° C，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
电气特性的R和T端子对，T
A
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
场外重复峰值
目前状态
FF-态电流
关态电容
测试条件
V
D
=
±2V
DRM
, 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
V
D
=
±50
V
F = 100千赫，V
d
= 100 mV时， V
D
= 0,
第三终端电压= -50 V至+50 V
（见注4和5）
民
典型值
最大
±10
±10
包
SL包装
0.05
0.03
0.15
0.1
单位
A
A
pF
I
DRM
I
D
C
关闭
注： 4。这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容5.进一步详情载于应用信息部分。
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxF3 （ HV ），过电压保护器系列
电气特性T和G或R和G端子，T
A
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
场外重复峰值
目前状态
测试条件
V
D
=
±V
DRM
, 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
‘3240F3
‘3260F3
‘3290F3
‘3320F3
‘3380F3
‘3240F3
‘3260F3
‘3290F3
‘3320F3
‘3380F3
±0.1
±0.15
±5
±10
95
45
20
民
典型值
最大
±10
±240
±260
±290
±320
±380
±267
±287
±317
±347
±407
±0.6
±3
单位
A
I
DRM
V
（BO）
击穿电压
的dv / dt =
±250
V / ms的，R
来源
= 300
V
V
（BO）
脉冲导通
电压
dv / dt的
≤
±1000
V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值=
±500
V
R
来源
= 50
的dv / dt =
±250
V / ms的，R
来源
= 300
I
T
=
±5
A，T
W
= 100
s
I
T
=
±5
A， di / dt的= - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
F = 1MHz时， V
d
= 0.1 V均方根，V
D
= 0
F = 1MHz时， V
d
= 0.1 V均方根，V
D
= -5 V
F = 1MHz时， V
d
= 0.1 V均方根，V
D
= -50 V
（见注5和6）
V
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
A
V
A
KV / μs的
A
关态电容
57
26
11
pF
注： 6这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容7.进一步详情载于应用信息部分。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.8 W，T
A
= 25
°C
5厘米
2
， FR4 PCB
包
SL包装
民
典型值
最大
160
135
° C / W
单位
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxF3 （ HV ），过电压保护器系列
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
（ BR ）M
-v
I
（ BR ）
V
（ BR ）
I
（BO）
I
H
V
T
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PMXXAA
V
（BO）
I
（BO）
I
DRM
V
（ BR ）
I
（ BR ）
V
DRM
V
（ BR ）M
+v
V
DRM
I
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
（BO）
图1.电压 - 电流特性的任何端子对
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP3xxxF3 （ HV ），过电压保护器系列
典型特征 - R和G或T和G端子
FF-态电流
vs
结温
归一化的击穿电压
vs
结温
TC3HAI
100
TC3HAF
1.2
10
归一化的击穿电压
V
（BO）
1
V
D
= 50 V
0.1
V
D
= -50 V
0.01
1.1
V
（ BR ）M
1.0
V
（ BR ）
归到V
（ BR ）
I
（ BR ）
= 100
A
25
°C
正极性
0.001
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
图2中。
网络连接gure 3 。
归一化的击穿电压
vs
结温
TC3HAJ
100
FF-态电流
vs
通态电压
TC3HAL
1.2
归一化的击穿电压
V
（BO）
1.1
V
（ BR ）M
I
T
- 通态电流 - 一个
10
1.0
V
（ BR ）
归到V
（ BR ）
I
（ BR ）
= 100
A
25
°C
负极性
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
150 °C
25 °C
-40 °C
1
1
2
3
4
5
6
7 8 9 10
V
T
- 通态电压 - V
图4中。
图5中。
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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