TISP3070H3SL THRU TISP3095H3SL ， TISP3125H3SL THRU TISP3210H3SL
TISP3250H3SL THRU TISP3350H3SL
双路双向晶闸管过电压保护
版权所有1999创新动力有限公司， UK
1999年1月 - 修订1999年5月
电信系统2×一个10/1000过电压保护
q
离子注入击穿区
- 精确的DC和动态电压
设备
‘3070
‘3080
‘3095
‘3125
‘3135
‘3145
‘3180
‘3210
‘3250
‘3290
‘3350
V
DRM
V
58
65
75
100
110
120
145
160
190
220
275
V
（BO）
V
70
80
95
125
135
145
180
210
250
290
350
SL包装
（ TOP VIEW ）
T
G
R
1
2
3
MDXXAG
设备符号
T
R
q
额定国际浪涌波形
- 保证-40 ° C至+85°C的性能
波形
2/10 s
8/20 s
10/160 s
10/700 s
10/560 s
10/1000 s
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC第68部分
FCC第68部分
ITU -T K20 / 21
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
500
300
250
200
160
100
SD3XAA
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
q
3引脚通孔封装
- 兼容TO- 220AB引脚输出
- 低高度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8.3毫米
低差分电容
- 值在-2 V / -50 V偏压。 。 。 。 。 。 。 0.67 pF的最大值。
q
描述
电话线环和提示导体和地之间的TISP3xxxH3SL限制过电压。
过电压通常是由交流引起这是引起电力系统或闪电干扰或
进行到电话线。
所述保护器是由两个对称的电压触发双向晶闸管。过电压最初
通过击穿夹紧剪切，直到电压升高到导通的水平，这会导致设备
撬棍插入状态的低电压。在此状态下的低电压使从所得电流
过电压可通过该装置安全地转移。高铁撬保持电流防止直流闭锁
作为分流电流补贴。
这TISP3xxxH3SL范围由11变电压，以满足不同系统的最大电压
水平（ 58 V至275 V） 。这样可以保证电压限制和抵御国际上市闪电
激增的两极。这些高的电流保护器件是一个3针单输入线（SL ）的塑料
封装和管包提供。替代冲击等级，电压和保持电流值
SL包装保护，咨询厂家。在SL包， 35个较低的额定脉冲电流
10/1000 TISP3xxxF3SL系列可用。
这些单片保护器件被制造在离子注入的平面结构，以确保精确和
匹配的导通控制，并几乎是透明的，以使系统进入正常运行。
产品
信息
1
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TISP3070H3SL THRU TISP3095H3SL ， TISP3125H3SL THRU TISP3210H3SL
TISP3250H3SL THRU TISP3350H3SL
双路双向晶闸管过电压保护
1999年1月 - 修订1999年5月
绝对最大额定值，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
等级
‘3070
‘3080
‘3095
‘3125
‘3135
重复峰值断态电压（见注1 ）
‘3145
‘3180
‘3210
‘3250
‘3290
‘3350
非重复性峰值通态脉冲电流（见注2 ， 3和4 ）
2/10微秒（ GR -1089 -CORE ， 2/10 μs的电压波形）
8/20微秒（ IEC 61000-4-5 ， 1.2 / 50μs的电压，电流8/20组合波发生器）
一百六分之一十微秒（ FCC第68部分，一百六分之一十μs的电压波形）
200分之5微秒（ VDE 0433 ， 10/700 μs的电压波形）
0.2 / 310微秒（ I3124 ， 0.5 / 700 μs的电压波形）
三百一分之五微秒（ITU-T K20 / 21 10/700 μs的电压波形）
三百一分之五微秒（ FTZ R12 ， 10/700 μs的电压波形）
三百二十〇分之五微秒（ FCC第68部分，七百二十○分之九μs的电压波形）
五百六十○分之一十微秒（ FCC第68部分，五百六十〇分之一十μs的电压波形）
10/1000微秒（ GR -1089 -CORE ， 10/1000微秒的电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注2 ， 3和5 ）
20毫秒（ 50赫兹）全正弦波
16.7毫秒（ 60Hz）的全正弦波
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
通态电流上升的初始速度，
结温
存储温度范围
指数目前的斜坡，斜坡的最大价值< 200 A
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSM
55
60
1
400
-40到+150
-65到+150
A / μs的
°C
°C
A
I
TSP
500
300
250
220
200
200
200
200
160
100
A
V
DRM
符号
价值
± 58
± 65
± 75
±100
±110
±120
±145
±160
±190
±220
±275
V
单位
注： 1，参见图9为电压值在较低温度下。
2.最初TISP3xxxH3SL必须处于热平衡。
3.这些不重复的额定电流是要么polarirty的峰值。额定电流值可被应用于给R或T
终端。此外， R和T端子可能的额定电流值同时施用（在这种情况下对G
终端返回电流会施加到R和T端子）的电流的总和。电涌可能后反复
TISP3xxxH3SL返回到其初始条件。
4.请参阅图10为在其他温度冲击电流额定值。超过85° C，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
5. EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB与5 A额定印刷线路板连接标准封装尺寸
赛道的宽度。参见图8为其他持续电流额定值。图8示出了R和T端子电流额定值
simulateous操作。在这种条件下，对G终端电流将2xI
TSM （T ）
中， R和T端子的电流的总和。减额
当前值在-0.61 ％ / ℃的环境温度高于25 ℃。
产品
2
信息
TISP3070H3SL THRU TISP3095H3SL ， TISP3125H3SL THRU TISP3210H3SL
TISP3250H3SL THRU TISP3350H3SL
双路双向晶闸管过电压保护
1999年1月 - 修订1999年5月
电特性用于R和G或T和G端子，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
= V
DRM
测试条件
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
‘3070
‘3080
‘3095
‘3125
‘3135
V
（BO）
击穿电压
的dv / dt = ± 750 V / ms的，
R
来源
= 300
‘3145
‘3180
‘3210
‘3250
‘3290
‘3350
‘3070
‘3080
‘3095
dv / dt的
≤
± 1000 V / μs的，线性电压斜坡，
V
（BO）
脉冲导通
电压
最大斜坡值= ± 500 V
的di / dt = ± 20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= ± 10 A
‘3125
‘3135
‘3145
‘3180
‘3210
‘3250
‘3290
‘3350
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
的dv / dt = ± 750 V / ms的，
R
来源
= 300
±0.15
±0.15
±5
T
A
= 85°C
V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0,
3070 '通' 3095
3125 '通' 3210
3250 '通' 3350
F = 100千赫
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -1 V
3070 '通' 3095
3125 '通' 3210
3250 '通' 3350
C
关闭
关态电容
F = 100千赫
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -2 V
3070 '通' 3095
3125 '通' 3210
3250 '通' 3350
F = 100千赫
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -50 V
3070 '通' 3095
3125 '通' 3210
3250 '通' 3350
F = 100千赫
（见注6 ）
记
6 ：为避免电压限幅，在“ 3125与V测试
D
= -98 V.
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -100 V
3125 '通' 3210
3250 '通' 3350
±10
170
90
84
150
79
67
140
74
62
73
35
28
33
26
pF
I
T
= ± 5 A，T
W
= 100 s
I
T
= ± 5 A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
民
典型值
最大
±5
±10
±70
±80
±95
±125
±135
±145
±180
±210
±250
±290
±350
±78
±88
±103
±134
±144
±154
±189
±220
±261
±302
±362
±0.6
±3
±0.6
A
V
A
KV / μs的
A
V
V
单位
A
产品
信息
3
TISP3070H3SL THRU TISP3095H3SL ， TISP3125H3SL THRU TISP3210H3SL
TISP3250H3SL THRU TISP3350H3SL
双路双向晶闸管过电压保护
1999年1月 - 修订1999年5月
电特性的R和T端子，T
A
= 25°C
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
= 2V
DRM
‘3070
‘3080
‘3095
‘3125
‘3135
V
（BO）
击穿电压
的dv / dt = ± 750 V / ms的，
R
来源
= 300
‘3145
‘3180
‘3210
‘3250
‘3290
‘3350
‘3070
‘3080
‘3095
dv / dt的
≤
± 1000 V / μs的，线性电压斜坡，
V
（BO）
脉冲导通
电压
最大斜坡值= ± 500 V
的di / dt = ± 20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= ± 10 A
‘3125
‘3135
‘3145
‘3180
‘3210
‘3250
‘3290
‘3350
测试条件
民
典型值
最大
±5
±140
±160
±190
±250
±270
±290
±360
±420
±500
±580
±700
±156
±176
±206
±268
±288
±308
±378
±440
±252
±604
±724
V
V
单位
A
热特性
参数
R
θJA
结到自由空气的热阻
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
T
A
= 25 ° C， （见注7 ）
民
典型值
最大
50
单位
° C / W
记
7 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
产品
4
信息
TISP3070H3SL THRU TISP3095H3SL ， TISP3125H3SL THRU TISP3210H3SL
TISP3250H3SL THRU TISP3350H3SL
双路双向晶闸管过电压保护
1999年1月 - 修订1999年5月
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
（BO）
I
（BO）
-v
I
DRM
V
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
I
DRM
+v
I
（BO）
V
（BO）
I
H
V
T
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
V
D
= ± 50 V和I
D
= ±10 A
用于可靠性释放
PM4XAAC
图1的电压电流特性用于终端对
产品
信息
5
QQ：2881677436 复制
