TISP2125F3 ， TISP2150F3 ， TISP2180F3
双对称瞬态
电压抑制器
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1994年3月 - 修订1997年9月
电信系统二级保护
q
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备
‘2125F3
‘2150F3
‘2180F3
V
DRM
V
100
120
145
V
（BO）
V
125
150
180
包
（ TOP VIEW ）
T
NC
NC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
G
G
MDXXAE
NC - 无内部连接
P包
（ TOP VIEW ）
q
平面钝化结
低断态电流< 10 μA
额定国际浪涌波形
波形
2/10 s
8/20 s
10/160 s
10/560 s
0.5/700 s
10/700 s
10/1000 s
标准
FCC第68部分
ANSI C62.41
FCC第68部分
FCC第68部分
RLM 88
保税区R12
VDE 0433
CCITT IX K17 / K20
REA PE- 60
I
TSP
A
175
120
60
45
38
50
50
50
35
q
T
G
G
R
1
2
3
4
8
7
6
5
T
G
G
R
MDXXAF
指定的T终端收视需要引脚1和8的连接。
指定R端子评级需要4,5脚连接。
SL包装
（ TOP VIEW ）
T
G
1
2
3
MDXXAG
MD23AA
q
表面贴装和通孔选项
包
小外形
小外形录音
和缠绕
塑料DIP
单直列
PART ＃后缀
D
DR
P
SL
R
设备符号
T
R
q
UL认证， E132482
描述
这些中压双对称
瞬态电压抑制装置是
旨在保护ISDN和电信
与针对电池供电应用的铃声
因雷击和交流瞬变
电源线。提供三种不同的电压来
满足电池和保护要求他们
都保证压制和承受
国际上市雷电浪涌两
极性。瞬变由最初剪辑
击穿夹紧，直到电压升高到
导通的水平，这会导致设备
SD2XAA
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
撬棍。高撬棍保持电流
防止直流闭锁作为当前消退。
这些单片保护装置是
制作离子注入平面结构，以
确保精确的匹配和控制导通
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TISP2125F3 ， TISP2150F3 ， TISP2180F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
描述（续）
和几乎透明的系统在正常操作
小外形8引脚分配经过精心挑选的TISP系列，以最大限度地跨脚
其中所使用的标准（如IEC950 ）建立耐压间隙和爬电距离
收视率。
绝对最大额定值
等级
‘2125F3
重复峰值断态电压（0°C <牛逼
J
< 70 ° C）
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1 ， 2和3 ）
1/2微秒（气体管差动瞬态，开路电压波形的1/2微秒）
2/10微秒（ FCC第68部分，开路电压波形2/10微秒）
8/20微秒（ANSI C62.41 ，开路电压波形1.2 / 50微秒）
一百六分之一十微秒（ FCC第68部分，开路电压波形一百六十零分之一十微秒）
200分之5微秒（VDE 0433 ，开路电压波形2千伏10/700 μs）内
0.5 / 310微秒（RLM 88 ，开路电压波形为1.5kV ， 0.5 / 700微秒）
三百一分之五微秒（ CCITT IX K17 / K20 ，开路电压波形2千伏10/700微秒）
三百一分之五微秒（ FTZ R12 ，开路电压波形2千伏10/700微秒）
五百六十○分之一十微秒（ FCC第68部分，开路电压波形五百六十零分之一十微秒）
10/1000微秒（ REA PE- 60 ，开路电压波形10/1000 μs）内
非重复性峰值通态电流（见注2和3 ）
50赫兹，
1s
包
P包
SL包装
通态电流上升的初始速度，
结温
存储温度范围
线性电流斜坡，斜坡的最大价值<一38
di
F
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSM
I
TSP
350
175
120
60
50
38
50
50
45
35
4
6
6
250
-40到+150
-40到+150
A / μs的
°C
°C
均方根
A
‘2125F3
‘2180F3
V
DRM
符号
价值
± 100
± 120
± 145
V
单位
注：被浪涌波形1.进一步详情载于应用信息部分。
2.最初TISP必须是热平衡与0 ℃的<牛逼
J
<70 ℃。浪涌可以重复后TISP返回到其初始
条件。
3.超过70° C，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
电特性为T和R端子，T
J
= 25°C
参数
I
DRM
I
D
C
关闭
场外重复峰值
目前状态
FF-态电流
测试条件
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
＆ LT ; 70℃
V
D
= ±50 V
F = 100千赫，V
d
= 100 mV的
关态电容
第三终端电压= 0
（见注4和5）
注： 4。这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容5.进一步详情载于应用信息部分。
的参数，而不是一个限制值的典型值。
V
D
= 0,
20
35
20
35
20
35
pF
TISP2125F3
民
最大
±10
±10
TISP2150F3
民
最大
±10
±10
TISP2180F3
民
最大
±10
±10
单位
A
A
产品
信息
2
TISP2125F3 ， TISP2150F3 ， TISP2180F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
电特性的T和G或R和G端子，T
J
= 25°C
参数
I
DRM
V
（BO）
V
（BO）
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
测试条件
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
＆ LT ; 70℃
的dv / dt = ± 250 V / ms的，
源电阻= 300
的di / dt < 20 A / μs的
±143
±168
±198
V
源电阻= 50
的dv / dt = ± 250 V / ms的，
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
关态电容
源电阻= 300
I
T
= ± 5 A，T
W
= 100 s
的di / dt = - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡，
±5
最大斜坡值< 0.85V
（ BR ）分
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
V
d
= 100 mV的
V
D
= 0,
V
D
= -5 V
V
D
= -50 V
52
26
11
第三终端电压= 0
（见注6及7 ）
±10
90
45
20
52
26
11
±10
90
45
20
52
26
11
±10
90
45
20
A
pF
pF
pF
±5
±5
KV / μs的
±0.15
±0.15
±0.6
±3
±0.15
±0.15
±0.6
±3
±0.15
±0.15
±0.6
±3
A
V
A
±125
±150
±180
V
TISP2125F3
民
最大
±10
TISP2150F3
民
最大
±10
TISP2180F3
民
最大
±10
单位
A
脉冲导通电压的dv / dt = ± 1000 V / μs的，
AGE
注： 6这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容7.进一步详情载于应用信息部分。
的参数，而不是一个限制值的典型值。
热特性
参数
包
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
P包
SL包装
民
典型值
最大
160
100
105
° C / W
单位
产品
信息
3
TISP2125F3 ， TISP2150F3 ， TISP2180F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
（ BR ）M
-v
I
（ BR ）
V
（ BR ）
I
（BO）
I
H
V
DRM
I
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
V
（ BR ）M
I
DRM
V
（ BR ）
I
（ BR ）
+v
V
（BO）
I
（BO）
V
（BO）
V
T
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PMXXAA
图1.电压 - 电流特性作为终端的任何一对
对于端子R和T的高层特性无法得到保证。
产品
信息
4
TISP2125F3 ， TISP2150F3 ， TISP2180F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
典型特征
T和G或R和G端子
FF-态电流
vs
结温
100
TC2MAL
正规化的击穿电压
vs
结温
TC2MAO
正常化到V
（ BR ）
1.2
10
I
D
- 断态电流 - μA
正规化的击穿电压
I
（ BR ）
= 100 μA和25℃
正极性
V
（BO）
1.1
1
V
D
= 50 V
0·1
V
D
= -50 V
V
（ BR ）M
1.0
V
（ BR ）
0·01
0·001
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
图2中。
网络连接gure 3 。
产品
信息
5
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