oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP1072F3,TISP1082F3
双正向导电单向
晶闸管过电压保护
*R
TISP1xxxF3过电压保护器系列
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备
‘1072F3
‘1082F3
V
DRM
V
- 58
- 66
V
（BO）
V
- 72
- 82
包（顶视图）
T
NC
NC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
G
G
NC - 无内部连接
平面钝化结
低断态电流<10一
额定国际浪涌波形
波形
2/10
s
8/20
s
10/160
s
10/700
s
10/560
s
10/1000
s
标准
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC第68部分
ITU -T K.20 / 21
FCC第68部分
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
80
70
60
50
SL包（顶视图）
T
G
R
1
2
3
MD1XAB
设备符号
45
35
T
R
....................................... UL认证组件
描述
这些双正向传导单向过电压
保护器被设计用于的过电压保护
用于SLIC（用户线接口电路）芯片
功能。上述IC线驱动部分典型供电用
0 V和负电源。该TISP1xxxF3限制电压
超过这些电源轨，可提供两种电压
变种匹配典型的负电源电压值。
高电压可发生就行曝光的结果
雷击和交流电源浪涌。负转录
sients最初受到破坏夹紧，直到
电压上升到导通的水平，这将导致
设备撬棍。高铁撬保持电流预
通风口直流闭锁作为当前消退。积极转录
sients由二极管正向导通的限制。这些亲
tectors ，保证压制和承受上市
国际雷电浪涌对任何终端对。
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP1xxxF3DR
TISP1xxxF3SL
对于无铅
终止完成
顺序
TISP1xxxF3DR-S
TISP1xxxF3SL-S
SD1XAA
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
设备
包
D，小外形
支架
磁带和缠绕
管
TISP1xxxF3 SL ，一列直插式
插入XXX价值相当于072和082的电压保护
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1993年9月 - 修订2006年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP1xxxF3过电压保护器系列
描述（续）
高电压可发生在线路由于暴露于雷击和交流的结果电源浪涌。负瞬变最初
受击穿夹紧，直到电压升高到导通的水平，这会导致设备撬棍。高撬棍
保持电流防止直流闭锁作为当前消退。积极瞬变是由二极管正向导通的限制。这些亲
tectors ，保证压制和抵御国际上市的雷电浪涌对任何终端对。
这些单片保护器件被制造在离子注入的平面结构，以确保精确的和匹配的导通控制
和几乎透明的系统在正常操作状态。
绝对最大额定值，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压， 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
1/2（燃气管差瞬间， 1/2的电压波形）
2/10 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10电压波形）
1/20 （ITU-T K.22 ， 1.2 / 50的电压波形， 25
电阻器）
8/20 （ IEC 61000-4-5 ，混合波形发生器， 1.2 / 50电压波形）
一百六分之一十（ FCC第68部分， 160分之10电压波形）
二百五十〇分之四（ITU-T K.20 / 21 10/700电压波形，同时）
0.2 / 310 （ CNET我31-24 ， 0.5 / 700的电压波形）
三百一分之五（ ITU -T K.20 / 21 ， 10/700电压波形，单）
三百二十〇分之五（ FCC第68部分，七百二十零分之九电压波形，单）
五百六十○分之一十（ FCC第68部分，五百六十○分之十电压波形）
10/1000 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000电压波形）
非重复性峰值通态电流， 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
（见注1和3 ）
50赫兹， 1秒
包
SL包装
I
PPSM
120
80
50
70
60
55
38
50
50
45
35
4.3
7.1
250
-65到+150
-65到+150
A
‘1072F3
‘1082F3
符号
V
DRM
价值
-58
-66
单位
V
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
A
A / μs的
°C
°C
通态电流，线性电流斜坡，斜坡的最大价值< 38 A的上升初始速度
结温
存储温度范围
注：被浪涌波形1.进一步详情载于应用信息部分。
2.最初TISP
一定要在热平衡与0 ℃的<牛逼
J
<70 ℃。电涌可能会在TISP后反复
返回到它的
初始条件。
3.超过70° C，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
电气特性的R和T端子对，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
场外重复峰值
目前状态
FF-态电流
关态电容
测试条件
V
D
=
±V
DRM
, 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
V
D
=
±50
V
F = 100千赫，V
d
= 100 mV的
V
D
= 0
（见注4 ）
包
SL包装
0.08
0.02
民
典型值
最大
±10
±10
0.5
0.3
单位
A
A
pF
I
DRM
I
D
C
关闭
记
4 ：关于电容的更多详细信息，在应用信息部分中给出。
1993年9月 - 修订2006年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP1xxxF3过电压保护器系列
电气特性T和G或R和G端子，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
脉冲导通
电压
导通电流
峰值正向恢复
电压
通态电压
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
测试条件
V
D
= V
DRM
, 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
的dv / dt = -250 V / ms的，R
来源
= 300
dv / dt的
≤
-1000 V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值= -500 V
R
来源
= 50
的dv / dt = -250 V / ms的，R
来源
= 300
dv / dt的
≤
+1000 V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值= 500 V
R
来源
= 50
I
T
= -5 A，T
W
= 100
s
I
T
= 5 A，T
W
= 100
s
I
T
= -5 A ， D I / DT = 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
= -50 V
F = 1MHz时， V
d
= 0.1虚拟现实.m.s 。 ，V
D
= 0
F = 1MHz时，
V
d
= 0.1虚拟现实.m.s 。 ，V
D
= -5 V
‘1072F3
‘1082F3
‘1072F3
‘1082F3
-0.1
‘1072F3
‘1082F3
3.3
3.3
-3
+3
-0.15
-5
-10
240
240
104
104
48
48
-78
-92
-0.6
民
典型值
最大
-10
-72
-82
单位
A
V
I
DRM
V
（BO）
V
（BO）
I
（BO）
V
FRM
V
T
V
F
I
H
dv / dt的
I
D
V
A
V
V
V
A
KV / μs的
A
C
关闭
关态电容
F = 1MHz时， V
d
= 0.1虚拟现实.m.s 。 ，V
D
= -50 V
（见注4 ）
记
5 ：对电容的更多详细信息，在应用信息部分中给出。
‘1072F3
‘1082F3
‘1072F3
‘1082F3
‘1072F3
‘1082F3
150
130
65
55
30
25
pF
热特性
参数
测试条件
P
合计
= 0.8 W，T
A
= 25
°C
5厘米
2
， FR4 PCB
包
SL包装
民
典型值
最大
160
135
° C / W
单位
R
θJA
结到自由空气的热阻
1993年9月 - 修订2006年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
QQ：2880707522 复制
