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首字符T的型号第799页
> TIP563
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
TIP562/563
描述
·
集电极 - 发射极电压 - 可持续
: V
CEO ( SUS )
= 300V (最小) - TIP562
= 400V (最小) - TIP563
高
功耗
应用
·设计
对于转换器,逆变器,脉冲宽度调制
调节器,以及各种功率开关应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
参数
TIP562
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP563
TIP562
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压
TIP563
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
价值
300
单位
V
400
300
V
400
8
10
15
2
100
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=100℃
结温
储存温度
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
TIP562
I
C
= 100毫安;我
B
=0
TIP563
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
TIP562
TIP563
TIP562
TIP563
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= 10A ;我
B
= 1.66A
I
C
= 15A ;我
B
= 5A
I
C
= 10A ;我
B
= 1.66A
V
CE
= 270V ,我
B
= 0
V
CE
= 360V ,我
B
= 0
V
CB
= 300V ,我
E
= 0
V
CB
= 400V ,我
E
= 0
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
= 4V
I
C
= 10A ; V
CE
= 4V
20
8
400
条件
民
300
TIP562/563
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
1.2
2.0
1.4
1.0
V
V
V
I
首席执行官
集热器
截止目前
mA
1.0
0.1
mA
0.1
5.0
mA
I
CBO
集热器
截止目前
开关时间
t
d
t
r
t
英镑
t
f
延迟时间
上升时间
V
CC
= 180V;V
BE
= -5.2V
I
C
= 10A ;我
B1
= -I
B2
= 2A
贮存时间
下降时间
1.2
0.3
0.05
0.5
μs
μs
μs
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
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TIP563
PDF信息
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T520D687M2R5AE010
T101SHCQE
TL317CPWE4
TR2007SF38
TL145406N
TSC80C51CXXX-12MF
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型号
厂家
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封装
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QQ:
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TIP563
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