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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
TIP54
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 30~150@ I
C
=
0.3A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 400V （最小值）
应用
·设计
线路供电的音频输出放大器和开关
电源驱动器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
500
单位
V
400
5
V
V
3.0
A
5.0
A
0.6
100
150
-65~150
A
W
℃
℃
P
D
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
TIP54
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
400
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
1.5
V
V
BE
（上）
基射极电压上
I
C
= 3A ; V
CE
= 10V
1.5
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 500V; V
BE
= 0
1.0
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 300V ;我
B
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 10V
I
C
= 3A ; V
CE
= 10V
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V
1.0
mA
30
150
10
2.5
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
TIP54
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 30~150@ I
C
=
0.3A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 400V （最小值）
应用
·设计
线路供电的音频输出放大器和开关
电源驱动器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
500
400
5
3.0
5.0
0.6
100
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
D
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
TIP54
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
400
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
1.5
V
V
BE
（上）
基射极电压上
I
C
= 3A ; V
CE
= 10V
1.5
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 500V; V
BE
= 0
1.0
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 300V ;我
B
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 10V
30
150
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 10V
10
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V
2.5
兆赫
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A
A
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