NPN高压功率晶体管
TIP47/48/49/50
NPN高压功率晶体管
特点
应用高电压与开关电路
符合RoHS
TO-220
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
V
CBO
集电极 - 发射极电压:
描述
集电极 - 基极电压:
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
价值
350
400
450
500
250
300
350
400
5
1
2
0.6
40
0.32
-55到150
单位
V
条件
发射极开路
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
T
J,
T
英镑
发射极 - 基极电压
V
开基
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
集电极开路
集电极电流(连续)
集电极电流(峰值)
基极电流
集电极耗散功率
工作结存储
T
C
= 25 C
减免上述25℃
热特性
符号
R
日( J-一
)
R
日(J -C
)
描述
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
价值
62.5
3.125
单位
° C / W
° C / W
TAITRON零部件股份有限公司
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联系电话: ( 800 ) -TAITRON
传真: ( 800 ) -TAITFAX
(800)-824-8766
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(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本B / NX 2008-03-25
第1页4
NPN高压功率晶体管
TIP47/48/49/50
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
V
CEO ( SUS)
描述
集电极 - 发射耐受电压
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
集电极截止电流
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
集电极截止电流
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
分钟。
250
300
350
400
--
马克斯。
--
1
1
1
1
1
1
1
1
1
150
1
1.5
--
0.5
3
0.3
单位
V
条件
I
C
= 30毫安;我
B
=0
V
CE
= 150V ,我
B
= 0
V
CE
= 200V ,我
B
= 0
V
CE
= 250V ,我
B
= 0
V
CE
= 300V ,我
B
= 0
V
CE
= 350V, V
BE
= 0
V
CE
= 400V, V
BE
= 0
V
CE
= 450V, V
BE
= 0
V
CE
= 500V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.3A
V
CE
= 10V ,我
C
= 1A
I
首席执行官
mA
I
CES
I
EBO
--
--
30
10
--
--
10
--
--
--
mA
mA
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE (上
)
V
V
兆赫
s
s
s
I
C
= 1A ;我
B
= 0.2A
V
CE
= 10V ,我
C
= 1A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.2A,
f
=2MHz
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
V
CC
= 400V,
5 I
B1
= -2.5 I
B2
= I
C
= 6A
R
L
= 66.7
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300
微秒,占空比
≤
2%
版本B / NX 2008-03-25
www.taitroncomponents.com
4个版本
第2A / WW
NPN高压功率晶体管
TIP47/48/49/50
包装尺寸
TO-220
版本B / NX 2008-03-25
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4个版本
第3A / WW
NPN高压功率晶体管
TIP47/48/49/50
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28040西哈里森PARKWAY ,瓦伦西亚,CA 91355-4162
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电子邮件:
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TAITRON组件墨西哥, S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ,伊达尔戈CP
42970 MEXICO
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TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS , 2777 , 2.ANDAR , SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
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传真: + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路, SUITE 1503 ,上海, 200052 ,中国
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4个版本
第4A / WW
TRANSYS
电子
L I M I T E
塑料NPN功率晶体管
TIP47 , TIP48
TIP49 , TIP50
TO-220
塑料包装
线路供电的音频输出放大器,开关电源驱动器和
通用开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25C)
描述
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
EBO
发射极电压
I
C
连续集电极电流
I
CM
集电极电流峰值
I
B
基极电流
功率耗散高达牛逼
c
=25C
P
D
P
D
功率耗散高达牛逼
a
=25C
减免上述25℃
工作和存储
T
j
, T
英镑
结温
热阻
结到外壳
结到环境中的自由空气
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
TIP47
250
350
TIP48
300
400
5.0
1.0
2.0
0.6
40
2.0
16
- 65 + 150
TIP49
350
450
TIP50
400
500
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
毫瓦/℃
C
3.125
62.5
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(T
c
= 25C除非另有规定)
描述
符号
测试条件
*V
CEO ( SUS )
I
C
= 30mA时我
B
=0
集电极 - 发射极( SUS )电压
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
I
首席执行官
V
CE
= 150V ,我
B
=0
TIP47
收藏家切断电流
V
CE
= 200V ,我
B
=0
TIP48
V
CE
= 250V ,我
B
=0
TIP49
V
CE
= 300V ,我
B
=0
TIP50
I
CES
V
CE
= V
CB( MAX)的
, V
BE
=0
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流电流增益
集电极发射极饱和
电压
基极发射极电压
I
EBO
*h
FE
*V
CE (SAT)
*V
BE(上)
V
BE
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 0.3A ,V
CE
=10V
I
C
= 1A ,V
CE
=10V
I
C
= 1A ,我
B
=0.2A
I
C
= 1A ,V
CE
=10V
民
250
300
350
400
典型值
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
30
10
1.0
150
1.0
1.5
V
V
*脉冲测试:脉冲宽度<300μs ,占空比<2 %
TIP47 , TIP48
TIP49 , TIP50
TO-220
塑料包装
TO- 220塑料包装
B
H
F
C
E
暗淡
民
最大
14.42
16.51
A
9.63 10.67
B
C
3.56
4.83
—
0.90
D
1.15
E
1.40
3.75
3.88
F
G
2.29
2.79
2.54
3.43
H
—
0.56
J
K
12.70 14.73
2.80
4.07
L
M
2.03
2.92
—
31.24
N
O
7 DEG
在MM都diminsions 。
A
N
L
1
2
3
D
G
K
0
J
M
0
4
1
2
3
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
TO- 220包装管
LABEL
536.00
±1.5
尾销
13.74
设备名称
SR 。
数量。
一ll尺寸(mm)
50件/管
弹药盒大小
6.87
管厚度
LABEL
92.0
538
.00
75.0
20管/弹药包
1000件/弹药包
外箱BOX
SIZE
17 & QUOT ; ×15 & QUOT ; X 13.5 & QUOT ;
19 QUOT ; ×19 & QUOT ; ×19 & QUOT ;
数量
16.0K
10.0K
克重量
36公斤
29公斤
包装详细资料
包
详细
TO-220
200个/
塑料袋
50个/
管
标准包装
净重/
数量
396克/
200个
120克/个
50
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
3.5" X 3.7" X 21.5"
内箱箱
数量
1.0K
1.0K
32.85
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP47/48/49/50
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
TIP47
特点
无铅涂层/符合RoHS (注1 ) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
广颖电通NPN晶体管采用TO- 220封装。
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
T
英镑
R
thJC
R
thJA
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率(T
C
=25
o
C)
集电极耗散功率(T
A
=25
o
C)
结温
储存温度
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
等级
350
250
5.0
1.0
2.0
0.6
40
2
-65到+150
-65到+150
3.125
62.5
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
O
C
o
C / W
o
C / W
O
NPN硅
功率晶体管
最大额定值
TO-220
B
F
Q
T
A
U
1 2
H
K
3
C
S
L
V
D
J
R
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
除非另有说明电气特性@ 25℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
CES
I
EBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
Ic=30mA;I
B
=0
集电极 - 发射极饱和电压
Ic=1A;I
B
=0.2A
基射极电压上
Ic=1A;V
CE
=10V
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=350Vdc,V
BE
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0VDC ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=150Vdc;I
B
=0)
直流电流增益
(I
C
= 0.3Adc ,V
CE
=10Vdc)
直流电流增益
(I
C
= 1.0Adc ,V
CE
=10Vdc)
电流增益带宽积
(Ic=0.1Adc;V
CE
=10Vdc)
民
250
1.0
1.5
---
---
---
30
10
10
兆赫
最大
---
---
---
1.0
1.0
1.0
150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
O
G
N
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
f
T
修订版:A
www.mccsemi.com
1 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息:
设备
型号-BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改,恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上,反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件( MCC )正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件,具有完整的可追溯性,满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题,并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版:A
2 2
2011/01/01
2
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥(单相/三相)
RF(低电容) &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压(升压/降压)
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
(双N ,双P,P + N)
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF ( 1GHz的 )
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻(片)
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
(数字)
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证( 300V交流)
MPP / MPE / DMP (高电流)
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压( 1KV 6KV )
贴片电容&多层( MLCC )
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格( -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期: 2004年9月 2005年第二次编辑
TIP47/48/49/50
TIP47/48/49/50
高电压和开关应用
高耐受电压: V
首席执行官
( SUS) = 250 - 400V
1A额定集电极电流
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
: TIP47
: TIP48
: TIP49
: TIP50
集电极 - 发射极电压
: TIP47
: TIP48
: TIP49
: TIP50
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
1.Base
价值
350
400
450
500
250
300
350
400
5
1
2
0.6
40
2
150
- 65 ~ 150
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散(T
C
=25°C)
集电极耗散(T
a
=25°C)
结温
储存温度
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CEX
( SUS)的
参数
集电极 - 发射极电压维持
: TIP47
: TIP48
: TIP49
: TIP50
集电极截止电流: TIP47
: TIP48
: TIP49
: TIP50
集电极截止电流: TIP47
: TIP48
: TIP49
: TIP50
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
启动时间
贮存时间
下降时间
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
250
300
350
400
1
1
1
1
1
1
1
1
1
30
10
150
1
1.5
10
0.5
3
0.3
V
V
兆赫
s
s
s
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
首席执行官
V
CE
= 150V ,我
B
= 0
V
CE
= 200V ,我
B
= 0
V
CE
= 250V ,我
B
= 0
V
CE
= 300V ,我
B
= 0
V
CE
= 350V, V
BE
= 0
V
CE
= 400V, V
BE
= 0
V
CE
= 450V, V
BE
= 0
V
CE
= 500V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.3A
V
CE
= 10V ,我
C
= 1A
I
C
= 1A ,我
B
= 0.2A
V
CE
= 10V ,我
C
= 1A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.2A
V
CC
= 400V
5I
B1
= -2.5I
B2
= I
C
= 6A
R
L
= 66.7
I
CEX
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
*脉冲测试: PW≤300μs ,值班cycle≤2 %脉冲
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统,而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
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