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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第147页 > TIP42C
RECTRON
半导体
技术规格
见下文
为
产品编号
TO- 220 - 功率晶体管和达林顿
TO-220
4
1 2
3
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
单位：毫米
电气特性（ TA = 25
o
C)
产品编号
Polari TY V
CBO
(V)
MI N
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
PNP
NPN
3
V
EO
(V)
MI N
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40
60
70
50
45
50
70
100
100
60
100
100
100
4
V
EBO
(V)
MI N
7
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
P
D
(W)
36
36
36
40
40
40
40
40
30
30
40
40
40
65
I
C
(A)
4
4
4
7
7
4
7
7
2
2
3
3
3
6
I
CES
@ V
CE
h
FE
h
FE
@ I
C
（ UA）
(A)
MI N最大
最大
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4
500
4
500
4
1000
1
1000
1
1000
1
1000
1
1000
1
200
200
200
200
200
400
50
50
50
60
40
45
40
60
100
100
60
100
60
100
30
30
20
30
2.3
30
2.3
25
10
30
2.3
30
2.3
40
15
40
15
25
10
25
10
25
10
30
15
120
120
80
150
150
100
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
7.0
2.5
7.0
1.5
4.0
2.5
7.0
2.0
7.0
0.2
1.0
0.2
1.0
1.0
3.0
1.0
3.0
1.0
3.0
0.3
3.0
V
CE
(V)
4
4
4
4
4
4
4
2
2
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
V
CE
（SAT）
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2N5296
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B D 240
B D 241A
B D 241C
B D 242C
B D 243℃
1
80
60
80
80
60
45
60
80
115
115
70
115
115
100
(V)
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1.0
1.0
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1.0
3.5
1.0
0.6
1.4
1.0
3.5
1.0
3.5
0.7
0.7
1.2
1.2
1.2
1.5
V
BE （SAT）
@ I
C
(V)
(A)
最大
0.5
1.0
1.5
7.0
2.0
7.0
2.5
1.5
4.0
2.5
7.0
2.0
7.0
1.0
1.0
3.0
3.0
3.0
6.0
f
T
@ I
C
（兆赫）
（MA ）
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0.8
0.8
10
10
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4
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3
3
3
3
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3
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200
200
500
500
1000
500
500
200
200
500
500
200
500
I
CE0
2
I
CBO
V
CES
I
CER
f
T
典型值
产品编号
B D 244C
BD911
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CBO
(V)
民
PNP
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V
EO
(V)
民
100
100
V
EBO
P
D
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民
5
65
5
90
I
C
(A)
8
15
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PNP
100
100
5
90
15
BU407
C44C11
C 44C 8
C 45C 5
C 45C 8
C45C11
C D 13005
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（C S） 940
（C S）一968
S A 1012Y
（C S） B 857
（C S） B 1370E
（C S） 2073
（C S） 2233
（C S） 2238
（C S） 3255S
（C S） 313
（C S） 88O
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MJE3055T
MJE15028
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
PNP
PNP
PNP
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NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
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NPN
NPN
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60
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70
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150
80
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55
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160
50
50
60
150
60
160
60
60
60
60
60
120
6
5
5
5
5
5
9
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
7
5
5
5
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30
30
30
30
60
25
25
25
25
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30
25
40
25
40
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30
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75
50
7
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4
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1.5
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1.5
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3
3
10
10
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PNP
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120
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150
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8
I
CES
@ V
CE
h
FE
（ UA）
民
最大
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15
5
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1
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15
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100
200
10
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20
10
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20
10
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20
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20
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2
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2
50
50 120
10
2
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2
1.0
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1.0
2
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30
2
1.0
50 60
35
2
10
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10
2
120 40
2
10
170 30
20
2
1.0
160 70
100
2
40 70
100
20 40
40
2
100
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1
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5
1
700
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5
1
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120 40
40
40
20
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1
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40
40
20
1
100
120 40
40
40
20
1
100
150 40
40
40
20
h
FE
@
最大
I
C
(A)
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0.5
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10.0
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150
250
150
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220
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320
300
100
100
V
CE
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
@
(V)
(V)
(V)
最大
最大
4
1.5
4
4
1.0
2.5
4
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4
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2.5
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1.0
1.3
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1
1
0.5
1
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0.5
1.3
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1
0.5
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1
0.5
1.3
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0.5
1
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0.5
10
1.5
5
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1
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1
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4
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1.5
1.5
10
1.5
5
1.0
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5
5
1.5
2
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2
1.0
2
5
1.0
4
1.1
4
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4
1.1
4
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2
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2
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2
2
2
2
0.5
2
2
2
2
0.5
2
2
2
I
C
(A)
6.0
5.0
10.0
5.0
10.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
1.0
0.5
0.5
3.0
2.0
2.0
0.5
4.0
0.5
5.0
2.0
3.0
4.0
10.0
4.0
10.0
1.0
f
T
@ I
C
（兆赫）
（MA ）
民
3.0
5
500
3.0
500
3.0
500
10.0
50.0
5
50.0
5
40.0
5
40.0
5
40.0
4.0
4.0
5
100
5
80
5
15.0
5
15.0
5
4.0
5
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5
100
5
100
5
8.0
5
3.0
5
2.0
5
2.0
30.0
500
20
20
20
20
20
100
500
100
1000
500
500
500
100
1000
500
500
500
500
500
1.0
30.0
500
1.0
30.0
500
1.0
30.0
500
1
I
CE0
2
I
CBO
3
V
CES
4
I
CER
5
f
T
典型值
RECTRON
RECTRON
产品编号
TIP29C
TIP30C
TIP31C
TIP32
TIP32C
TIP41C
TIP42C
TIP47
TIP49
TIP50
TIP102
TIP105
TIP106
TIP107
TIP110
TIP112
TIP115
TIP116
TIP117
TIP120
TIP121
TIP122
TIP125
TIP126
TIP127
TIP132
极性V
CBO
V
首席执行官
(V)
(V)
闵縻嗯
NPN
100 100
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
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100
40
100
100
100
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100
60
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100
60
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
100
100
100
40
100
100
100
250
350
400
100
60
80
100
60
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
100
V
EBO
P
D
I
C
（ V） （ W） （A ）
民
5
30
1
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
30
40
40
40
65
65
40
40
40
80
80
80
80
50
50
50
50
50
65
65
65
65
65
65
70
1
3
3
3
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6
1
1
1
8
8
8
8
2
2
2
2
2
5
5
5
5
5
5
8
I
CES
@ V
CE
h
FE
（ UA）
最大
民
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100 40
15
200
100 40
15
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200
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25
200
100 10
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400
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10
1000
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10
50
1
50 1000
200
50
1
50
1
50
1
2000
1
2000
1
2000
1
2000
1
2000
1
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1
500
1
500
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500
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500
1
500
1
200
2
h
FE
最大
@
I
C
(A)
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1.0
0.2
1.0
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1.0
3.0
1.0
3.0
1.0
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0.3
3.0
0.3
0.3
1.0
0.3
1.0
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1.0
3.0
8.0
3.0
8.0
3.0
8.0
3.0
8.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
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3.0
3.0
0.5
3.0
0.5
0.5
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3.0
0.5
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0.5
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50
50
50
75
75
150
150
150
20000
V
CE
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
@
(V)
(V)
(V)
最大
最大
4
0.7
4
4
0.7
4
4
1.2
4
4
1.2
4
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1.2
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4
1.5
4
4
1.5
4
10
1.0
10
10
1.0
10
10
1.0
10
4
2.0
4
2.5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
4
2.0
2.5
2.0
2.5
2.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
I
C
(A)
f
T
@ I
C
（兆赫）
（MA ）
民
1.0
3.0
200
1.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
10.0
10.0
10.0
200
500
500
500
500
500
200
200
200
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3.0
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6.0
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1.0
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8.0
3.0
8.0
3.0
8.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
4.0
30 1000 20000
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40 1000 20000
200
50 1000 20000
200
30 1000
500
50 1000
500
30 1000
500
40 1000
500
50 1000
500
30 1000
1000
40 1000
1000
50 1000
1000
30 1000
1000
40 1000
1000
50 1000
1000
100 5000
1
I
CE0
2
I
CBO
3
V
CES
4
I
CER
5
f
T
典型值
RECTRON
RECTRON
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
TIP42/42A/42B/42C
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
TIP42/42A/42B/42C
中功率线性开关应用
- 补到TIP41 / 41A / 41B / 41C
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
等级
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-2
2
65
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
PNP外延
硅达林顿
晶体管
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极 - 发射极电压： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
集电极截止电流
： TIP42 / 42A
： TIP42B / 42C
集电极截止电流
： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
输出电容
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
C
= -30mA ，我
B
=0
-40
-60
-80
-100
-0.7
-0.7
-400
-400
-400
-400
-1
30
15
75
-1.5
-2.0
3.0
V
V
V
V
V
V
测试条件
民
最大
单位
I
首席执行官
I
CES
V
CE
=-30V,I
B
=0
V
CE
=-60V,I
B
=0
V
CE
=-40V,V
EB
=0
V
CE
=-60V,V
EB
=0
V
CE
=-80V,V
EB
=0
V
CE
=-100V,V
EB
=0
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-4V,I
C
=-0.3A
V
CE
=-4V,I
C
=-3A
I
C
=-6A,I
B
=-600mA
V
CE
=-4V,I
C
=-6A
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA
f=1
*脉冲测试： PW≤300us ，职务Cycle≤2 ％
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
典型特征
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
包装尺寸为
TO- 220 （ A）
9.90
±0.20
0
.6
φ3
±0
.2
0
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
2.80
±0.20
9.19
±0.20
6.50
±0.20
13.08
±0.20
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
包装尺寸为
的TO-220 （B）中
±0.20
φ
4
.8
3
±0
0
.2
4.57
±0.20
1.27
±0.20
15.44
±0.20
2.74
±0.20
9.14
±0.20
6.30
±0.20
2.67
±0.20
13.28
±0.20
1.27
±0.20
2.67
±0.20
0.81
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
TIP42/42A/42B/42C
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 30 （分） @我
C
= -
0.3A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= -40V （最小值） - TIP42 ; -60V （最小值） - TIP42A
-80V （最小值） - TIP42B ; -100V （最小值） - TIP42C
.Complement
键入TIP41 / 41A / 41B / 41C
应用
·设计
用于一般用途的放大器的使用和
切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
TIP42
TIP42A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP42B
TIP42C
TIP42
TIP42A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP42B
TIP42C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
价值
-40
-60
单位
V
-80
-100
-40
-60
V
-80
-100
-5
-6
-10
-2
65
W
2
150
-65~150
℃
℃
V
A
A
A
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
j
T
英镑
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
TIP42
TIP42A
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
TIP42B
TIP42C
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
TIP42
TIP42A
I
CES
收藏家Cuto FF电流
TIP42B
TIP42C
TIP42/42A
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
TIP42B/42C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
V
CE
= -60V ;我
B
= 0
B
TIP42/42A/42B/42C
条件
民
-40
-60
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-80
-100
I
C
= -6A ，我
B
= -0.6A
I
C
= -6A ; V
CE
= -4V
V
CE
= -40V; V
EB
= 0
V
CE
= -60V; V
EB
= 0
-1.5
-2.0
V
V
-0.4
V
CE
= -80V; V
EB
= 0
V
CE
= -100V; V
EB
= 0
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
mA
-0.7
mA
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -0.3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -10V
30
15
3
-1.0
mA
75
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
TIP42/42A/42B/42C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
TIP42/42A/42B/42C
描述
·采用TO- 220封装
·补键入TIP41 / 41A / 41B / 41C
应用
·对于中等功率线性开关
应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP42
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP42
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP42A
TIP42B
TIP42C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
T
a
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-2
65
2
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
TIP42
TIP42A
I
C
= 30毫安;我
B
=0
TIP42B
TIP42C
V
CE（
SAT
)
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
TIP42
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP41/41A
TIP41B/41C
I
C
= -6A ，我
B
=-0.6A
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
V
CE
=-40V; V
EB
=0
V
CE
=-60V; V
EB
=0
条件
符号
TIP42/42A/42B/42C
民
-40
-60
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-80
-100
-1.5
-2.0
V
V
I
CES
集热器
截止电流
-0.4
V
CE
=-80V; V
EB
=0
V
CE
=-100V; V
EB
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-0.7
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -3A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V
30
15
3
75
-1.0
mA
I
首席执行官
集热器
截止电流
mA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP42/42A/42B/42C
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
TIP42/42A/42B/42C
4
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
晶体管
NPN
部分
数
or
PNP
(V)
(V)
（MA ）
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
Ta=25°C
（ mW）的
民
最大
电气特性（Ta = 25℃）
的hFE
IC
（MA ）
VCE
(V)
最大
(V)
VCE （ SAT ）
IC
（MA ）
IB
（MA ）
fT
针
兆赫
SOT-323
(P.28)
BC846W
BC847W
MMBT2222AW
MMBT2907AW
MMBT3904W
MMBT3906W
*MMBT5401W
*MMBT5551W
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
80
50
75
-60
60
-40
-160
180
65
45
40
-60
40
-40
-150
160
100
100
600
-600
200
-200
-600
600
225
225
225
225
225
225
225
225
110
110
100
100
100
120
60
80
800
800
300
300
300
360
240
250
2
2
150
-150
10
-10
-10
10
5
5
10
-10
1
-1
-5
5
0.25
0.25
0.5
-0.4
0.2
0.25
-0.2
0.15
10
10
380
-150
10
-10
-10
10
0.5
0.5
10
-15
1
-1
-1
1
300
300
300
200
300
250
100
100
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
N + P
SOT-363
(P.29)
MMDT2412
MMDT3904
MMDT2222
MMDT2411
MMDT1036
MMDT1037
MMDT3906
MMDT2907
MMDT2227
MMDT3946
N*2
N*2
N*2
N*2
P*2
P*2
P*2
P*2
N + P
50
60
75
40
-40
-60
-40
-60
75
-60
60
-40
40
40
40
40
-32
-50
-40
-60
40
-60
40
-40
150
200
600
600
500
150
200
600
600
600
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
120
100
100
82
100
120
100
100
100
100
100
100
820
300
300
560
300
820
300
300
300
300
300
300
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
6
1
10
3
-10
-6
-1
-10
10
-10
1
-1
0.4
0.2
0.5
0.4
-0.4
-0.5
-0.25
-0.4
0.3
-0.4
0.2
-0.25
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
5
1
10
10
-15
-5
-1
-15
15
-15
1
-1
180
300
300
300
200
140
250
200
300
200
300
250
N + P
N + P
SOT-23
(P.28)
BC807
BC817
BC846
BC847
BC848
BC856
BC857
BC858
BCW65C
MMBT1015
MMBT1815
MMBT2222A
MMBT2369
MMBT2484
MMBT2907A
MMBT3904
MMBT3906
MMBT4124
MMBT4125
MMBT4401
MMBT4403
MMBT5086
MMBT5087
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5401
MMBT5550
MMBT5551
MMBT6427
MMBT6429
MMBT6517
MMBT6520
MMBT8050
MMBT8099
MMBT8550
MMBT8599
MMBT9018
MMBTA06
MMBTA13
MMBTA14
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
-50
50
80
50
30
-80
-50
-30
60
-50
60
75
40
60
-60
60
-40
30
-30
60
-40
-50
-50
35
30
-160
160
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-350
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-200
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-700
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300
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225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
100
100
110
110
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-
-
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-100
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125
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300
300
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80
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BCE
BCE
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BCE
BCE
BCE
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NPN
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NPN
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-
-
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BCE
BCE
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BCE
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BCE
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BCE
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欧洲央行
欧洲央行
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PNP
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PNP
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PNP
PNP
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PNP
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PNP
PNP
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PNP
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-300
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1.5
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1
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-
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300
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-
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-
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NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
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NPN
NPN
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-200
200
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625
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625
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625
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40
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50
P.13
NPN
部分
数
or
PNP
(V)
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
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Ta=25°C
(V)
（MA ）
（ mW）的
民
最大
电气特性（Ta = 25℃）
的hFE
IC
（MA ）
VCE
(V)
最大
(V)
VCE （ SAT ）
IC
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IB
（MA ）
fT
针
兆赫
TO-92
(P.31)
BC237
BC327
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BF423
DY227
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-
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-
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CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
欧洲央行
欧洲央行
EBC
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欧洲央行
EBC
EBC
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欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
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EBC
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BEC
CBE
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
P.14
NPN
部分
数
or
PNP
(V)
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
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(V)
（MA ）
（ mW）的
民
最大
电气特性（Ta = 25℃）
的hFE
IC
（MA ）
VCE
(V)
最大
(V)
VCE （ SAT ）
IC
（MA ）
IB
（MA ）
fT
针
兆赫
TO-92
(P.31)
SB764
SB772S
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SC1959
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SC2240
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TO-220
(P.30)
H2584
H2585
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LB124E
LB125E
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MJE3055T
SB507
SB857
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TIP50
SC4234
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PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
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10
10
-10
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100
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-2
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90
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300
10
10
10
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
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欧洲央行
欧洲央行
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PNP
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
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-15
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400
400
400
400
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1K
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60K
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-
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-
75
50
50
75
75
150
150
150
-
-10
-5
5
-5
2
2
2
-2
0.3
0.01
1
2
0.5
-4
4
-1
-1
4
1
1
0.5
3
-3
-3
1
-1
0.5
-0.5
-0.5
1
3
-3
3
-3
0.3
0.3
0.3
1
-1.7
-1.7
3
-3
5
5
1
-1
5
5
5
5
5
-4
4
-2
-4
5
5
2
5
4
-4
-4
4
-4
3
-3
-3
4
4
-4
4
-4
10
10
10
5
-1.5
-1.5
2
-2
1
1
1
-1
0.3
0.5
0.5
1
1
-1.1
1.1
-1
-1
0.8
1
1
1
2
-2
-2
2.5
-2.5
2
-2
-2
0.7
1.2
-1.2
1.5
-1.5
1
1
1
1
-10
-5
5
-5
5
5
8
-8
0.1
1
1
2
5
-4
4
-2
-2
4
4
2
3
3
-3
-3
2
-2
3
-3
-3
1
3
-3
6
-6
1
1
1
1.5
-10
-5
10
-10
500
500
400
-800
10
200
200
400
1000
-400
400
-200
-200
800
400
200
300
6
-6
-6
8
-8
12
-12
-12
125
375
-375
600
-600
200
200
200
300
3
3
3
3
3
10
10
10
8
10
8
3
4
2
2
8
15
10
50
40
15
TO-3P
(P.30)
MJE13007R
MJE13009R
KTC5242
NPN
NPN
NPN
700
700
230
400
400
230
8
12
15
130
130
130
10
8
55
30
40
160
0.5
5
7
5
5
5
1
1
0.4
2
5
8
400
1000
1000
30
BCE
P.15
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1970年12月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP41系列
65瓦，在25 ° C的温度
6的连续集电极电流
10 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP42
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP42
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP42A
TIP42B
TIP42C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-3
65
2
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度保持在0.52的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP42
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-0.6 A
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -0.3 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-3 A
-6 A
-6 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
30
15
75
-1.5
-2
V
V
I
B
= 0
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP42
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP42/42A
TIP42B/42C
民
-40
-60
-80
-100
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.92
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -6 A
V
BE （OFF）的
= 4 V
I
B（上）
= -0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= 0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.4
0.7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
1000
TCS634AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
-10
TCS634AE
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1·0
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-0·01
-0·001
-0·01
-0·1
I
B
- 基极电流 - 一个
-1·0
-10
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·2
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·1
TCS634AF
-1·0
-0·9
-0·8
-0·7
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS634AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP42
TIP42A
TIP42B
TIP42C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
25
C
TIS633AB
50
100
125
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
TO- 220塑料包装
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
博卡半导体公司
提示41 ， 41A，41B， 41C
提示42 ， 42A，42B ，42C
通用放大器和开关应用
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
（ BSC）的
塑料NPN功率晶体管
PNP塑料功率晶体管
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
分钟。
14.42
9.63
3.56
马克斯。
N
L
O
1 2
3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DEG 7
A
O
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6 A;我
B
= 0.6 A
直流电流增益
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
41
42
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
41
42
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
41A 41B
42A 42B
60
80
60
80
6.0
65
150
1.5
15
75
41A 41B
42A 42B
60
80
60
80
5.0
6.0
41C
42C
100
100
41C
42C
100
100
V
V
A
W
°C
V
评级
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
所有迪民所起到的毫米。
K
V
V
V
A
http://www.bocasemi.com
页： 1
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
集电极电流（峰值）
基极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散高达至T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
储存温度
热阻
从结点到环境
从结点到外壳
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 60 V
V
BE
= 0; V
CE
= V
首席执行官
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 6 A;我
B
= 0.6 A
基射极电压上
I
C
= 6 A; V
CE
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
小信号电流增益
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 10 V ; F = 1千赫
跃迁频率
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
R
日J-一
R
第j个-C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
10
2.0
65
0.52
2.0
0.016
150
-65到+150
62.5
1.92
A
A
W
W
/°C
W
W
/°C
°C
C
° C / W
° C / W
41
42
I
首席执行官
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
最大。 0.7
最大。 -
马克斯。
马克斯。
41A 41B 41C
42A 42B 42C
0.7
–
–
0.7
0.4
1.0
60
60
5.0
1.5
2.0
30
15
75
20
3
兆赫
80
80
100
100
–
0.7
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
CEO （ SUS ）
*分钟。 40
V
CBO
分钟。 40
V
EBO
分钟。
V
CESAT
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
FE *
|h
fe
|
f
T
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。 （1）
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2%.
(1) f
T
= |h
fe
| f
TEST
http://www.bocasemi.com
第2页
A
A
A
A
TIP42 SERIRES
(TIP42/42A/42B/42C)
中等功率的线性
切换应用程序
为了配合TIP41 / 41A / 41B / 41C
TO-220
PNP
外延硅晶体管
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
集电极 - EmitterVoltage ： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
集电极耗散（ TC = 25
°C
)
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
符号
V
CBO
等级
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-2
65
150
-50~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
I
B
P
C
T
j
TSTG
°C
°C
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
电气特性（Ta = 25℃）
C
Characterristic
集电极发射极电压维持
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
： TIP41 / 41A
： TIP41B / 41C
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
符号
BV
CEO （ SUS ）
测试条件
I
C
=-30mA,
I
B
=0
民
-40
-600
-80
-100
典型值
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
mA
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
I
首席执行官
I
CES
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
电流增益带宽产品
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
I
B
=0
V
CE
= -30V ,
V
CE
= -60V ,
I
B
=0
V
CE
= -40V , V
EB
= 0
V
CE
= 60V , V
EB
= 0
V
CE
= -80V , V
EB
= 0
V
CE
= -100V , V
EB
= 0
I
C
=
0
V
EB
= -5V ,
V
CE
= -4V ，我
C
=-
0.3A
I
C
=-3A
V
CE
= -4V ,
I
C
= -6A ，我
B
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C
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CE
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f=1MHZ
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