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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
TIP41D/41E/41F
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入TIP42D / 42E / 42F
应用
For
中等功率的线性
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
TIP41D
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP41E
TIP41F
TIP41D
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP41E
TIP41F
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-65~150
℃
℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
160
180
200
120
140
160
5
6
10
3
65
W
V
A
A
A
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
TIP41D
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
TIP41E
TIP41F
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
TIP41D
I
CES
集热器
截止电流
TIP41E
TIP41F
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
集电极截止电流
I
C
= 6A ;我
B
=1.5A
I
C
= 6A ; V
CE
=4V
V
CE
=120V; V
EB
=0
V
CE
=140V; V
EB
=0
V
CE
=160V; V
EB
=0
V
CE
= 90V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.3A ; V
CE
=4V
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
30
15
3
I
C
= 30毫安;我
B
=0
条件
民
120
140
160
TIP41D/41E/41F
典型值。
最大
单位
V
1.5
2.0
V
V
0.4
mA
0.7
1.0
mA
mA
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
Transiton频率
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP41D/41E/41F
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
TIP41D/41E/41F
描述
·采用TO- 220封装
·补键入TIP42D / 42E / 42F
应用
·对于中等功率线性开关
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP41D
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP41E
TIP41F
TIP41D
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP41E
TIP41F
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
T
C
=25
集电极耗散功率
T
a
=25
结温
储存温度
2
150
-65~150
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
160
180
200
120
140
160
5
6
10
3
65
W
V
A
A
A
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
TIP41D
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
TIP41E
TIP41F
V
CE
（SAT）
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
TIP41D
I
CES
集热器
截止电流
TIP41E
TIP41F
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
集电极截止电流
I
C
= 6A ;我
B
=1.5A
I
C
= 6A ; V
CE
=4V
V
CE
=120V; V
EB
=0
V
CE
=140V; V
EB
=0
V
CE
=160V; V
EB
=0
V
CE
= 90V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.3A ; V
CE
=4V
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
I
C
= 30毫安;我
B
=0
条件
TIP41D/41E/41F
符号
民
120
140
160
典型值。
最大
单位
V
1.5
2.0
V
V
0.4
mA
0.7
1.0
30
15
3
mA
mA
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP41D/41E/41F
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
TIP41D/41E/41F
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入TIP42D / 42E / 42F
应用
For
中等功率的线性
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
参数
条件
TIP41D
TIP41E
集电极 - 基极电压
发射极开路
TIP41F
TIP41D
TIP41E
集电极 - 发射极电压
开基
TIP41F
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
160
180
200
120
140
160
5
6
10
3
65
单位
V
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
V
A
A
A
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
2
150
-65~150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
TIP41D
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
TIP41E
TIP41F
V
CESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
TIP41D
I
CES
集热器
截止电流
TIP41E
TIP41F
I
C
= 6A ;我
B
=1.5A
I
C
= 6A ; V
CE
=4V
V
CE
=120V; V
EB
=0
V
CE
=140V; V
EB
=0
V
CE
=160V; V
EB
=0
V
CE
= 90V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 30毫安;我
B
=0
条件
民
120
140
160
TIP41D/41E/41F
典型值。
最大
单位
V
1.5
2.0
V
V
0.4
mA
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=4V
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
30
15
3
Transiton频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
OR
CT
U
0.7
1.0
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP41D/41E/41F
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸
OR
CT
U
3
A
A
A
A
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