TIP41系列
NPN硅功率晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
集热器
2
BASE
1
1
2
产品特点：
*中功率线性开关应用
3
3
辐射源
1.基地
2.收集
3.辐射源
TO-220
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
TIP41
40
40
TIP41A
60
60
5
6
2
150
-55-150
TIP41B
80
80
TIP41C
100
100
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
符号
TEST
条件
民
40
60
80
100
40
60
80
100
5
最大
单位
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
I
C
= 1mA时，我
E
=0
V
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
发射极 - 基极击穿电压
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP41/41A
TIP41B/41C
V
（ BR ） EBO
I
E
= 1mA时，我
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
CE
= 30V ，我
B
=0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=0.3A
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
I
C
= 6A ，我
B
=0.6A
V
CE
= 4V ，我
C
=6A
V
CE
= 10V ，我
C
=0.5A
F = 1MHz的
V
集电极截止电流
I
CBO
0.4
mA
集电极截止电流
发射极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
0.7
1
30
15
75
1.5
2
3
mA
mA
直流电流增益
h
FE(2)
V
CE （SAT）
V
BE（上）
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
V
兆赫
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
12-Aug-10
TIP41系列
典型特征
TIP41/41A/41B/41C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
12-Aug-10
TIP41系列
TO- 220外形尺寸
单位：mm
D
F
A
C1
TO-220
暗淡
A
A1
B
B1
C
C1
D
E
E1
G
G1
F
H
L
L1
Φ
H
E1
E
B1
B
L
L1
A1
G
G1
C
米
米斧
4.67
4.47
2.82
2.52
0.91
0.71
1.37
1.17
0.53
0.31
1.37
1.17
10.31
10.01
8.90
8.50
12.06
12.446
2.54 TYP
4.98
5.18
2.89
2.59
0.30
0.00
13.4
13.8
3.96
3.56
3.93
3.73
魏TRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
12-Aug-10
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ，
TIP41C （ NPN ） ; TIP42 ， TIP42A ，
TIP42B ， TIP42C （ PNP ）
其他芯片
塑料功率晶体管
专为通用放大器和开关的使用
应用程序。
特点
http://onsemi.com
ESD额定值：
机器型号，C ; > 400 V
人体模型， 3B ; > 8000 V
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
TIP41 ， TIP42
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
TIP41 ， TIP42
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
符号
V
首席执行官
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5.0
6.0
10
2.0
65
0.52
2.0
0.016
62.5
- 65
+150
单位
VDC
6安培
其他芯片
功率晶体管
40-60-80-100伏，
65 WATTS
记号
图
4
集电极 - 基极电压
V
CB
VDC
1
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
°C
TIP4xx
xx
A
Y
WW
G
TO-220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP4xxG
AYWW
发射极 - 基极电压
集电极电流 -
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
非钳位电感负载能量
（注1 ）
工作和存储结，
温度范围
连续
PEAK
V
EB
I
C
I
B
P
D
P
D
E
T
J
, T
英镑
=器件代码
= 1， 1A，1B， 1C
2 ，2A，2B ，2C
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
1.67
57
单位
° C / W
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. I
C
= 2.5 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹，V
CC
= 10 V ，R
BE
= 100
W.
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 修订版7
出版订单号：
TIP41A/D
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C （ NPN ） ; TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
TIP41 ， TIP42
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
TIP41 ， TIP41A ， TIP42 ， TIP42A
TIP41B ， TIP41C ， TIP42B ， TIP42C
I
CES
TIP41 ， TIP42
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
h
fe
-
-
-
-
-
400
400
400
400
1.0
MADC
V
CEO （ SUS ）
40
60
80
100
-
-
-
-
-
-
0.7
0.7
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，V
EB
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 0)
(V
CE
= 80伏，V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注2 ）
直流电流增益（I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
直流电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
I
首席执行官
MADC
30
15
-
-
-
75
1.5
2.0
-
VDC
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 6.0 ADC ，我
B
= 600 MADC ）
基射极电压上（我
C
= 6.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
动态特性
电流增益 - 带宽积（我
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0
兆赫）
小信号电流增益（I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
3.0
20
-
-
兆赫
-
订购信息
设备
TIP41
TIP41G
TIP41A
TIP41AG
TIP41B
TIP41BG
TIP41C
TIP41CG
TIP42
TIP42G
TIP42A
TIP42AG
TIP42B
TIP42BG
TIP42C
TIP42CG
包
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
2
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C （ NPN ） ; TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C （ PNP ）
T
A
4.0
PD ，功耗（瓦）
T
C
80
3.0
60
T
C
2.0
40
1.0
20
T
A
0
0
0
20
40
60
100
80
T，温度（ ° C）
120
140
160
图1.功率降额
V
CC
+ 30 V
25
ms
+11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
R
B
R
C
范围
T， TIME （
μ
s)
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06
t
r
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
D
1
-4 V
t
d
@ V
BE （OFF）的
≈
5.0 V
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
http://onsemi.com
3
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C （ NPN ） ; TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C （ PNP ）
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
0.5毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
1.0毫秒
3.0
T
J
= 150°C
2.0曲线适用于低于额定V
首席执行官
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
（单脉冲）
TIP41 ， TIP42
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
10
20
40
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
80 100
5.0毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.06
t
f
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
T
J
= 25°C
200
C，电容（pF ）
C
ib
100
70
50
C
ob
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
http://onsemi.com
4
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C （ NPN ） ; TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C （ PNP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 150°C
25°C
2.0
T
J
= 25°C
1.6
1.2
I
C
= 1.0 A
2.5 A
5.0 A
0.8
- 55°C
0.4
0
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
I
B
，基极电流（毫安）
0.1
0.2
0.3 0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
6.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
2.0
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.06
0.1
0.2 0.3
0.5
q
VB
对于V
BE
- 55 ° C至+ 25°C
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
*
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 ° C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 150°C
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/4
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.06
0.1
0.2 0.3 0.4
0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
0.8
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
10
3
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
反向
I
C
= I
CES
前锋
V
CE
= 30 V
T
J
= 150°C
100°C
25°C
10 M
V
CE
= 30 V
I
C
= 10 ×1
CES
I
C
≈
I
CES
1.0 M
100 k
10 k
I
C
= 2×我
CES
（典型I
CES
值
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0 k
10
-3
- 0.3 - 0.2 - 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
+ 0.7
0.1 k
V
BE
，基极发射极电压（伏）
T
J
，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
http://onsemi.com
5
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP41/41A/41B/41C
特点
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
补充
PNP
类型是TIP42分别
硅
NPN
动力
晶体管
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
标记：
产品型号
绝对最大额定值@ T
a
= 25° （除非另有说明）
符号
V
CBO
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
V
首席执行官
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
（打开发射器）
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
6
10
2
2
65
150
-65到+150
单位
V
TO-220
B
F
Q
C
S
集电极 - 发射极电压
（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
器件总功耗（ TA = 25 ℃ ）
器件总功耗（ TC = 25 ℃ ）
结温
存储温度范围
O
V
T
A
V
A
A
A
W
W
℃
℃
U
1 2
H
K
3
除非另有说明电气特性@ 25℃
符号
参数
民
V
CEO （ SUS ）
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
V
CE （ SAT ）
V
BE
I
CES
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
I
首席执行官
TIP41/41A
TIP41B/C
I
EBO
的hFE
集电极 - 发射极电压维持
( I
C
= 30毫安;我
B
=0)
集电极 - 发射极饱和电压
( I
C
= 6A我
B
=0.6A )
基射极电压
( I
C
= 6A ; V
CE
=4V )
集电极截止电流
(V
CE
=40V; V
EB
=0)
(V
CE
=60V; V
EB
=0)
(V
CE
=80V; V
EB
=0)
(V
CE
=100V; V
EB
=0)
集电极截止电流
(V
CE
=30V; V
EB
=0)
(V
CE
=60V; V
EB
=0)
发射极截止电流
(V
EB
= 5V ;我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 0.3A ; V
CE
=4V)
(I
C
= 3A ; V
CE
=4V)
跃迁频率
( I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V)
40
60
80
100
L
最大
单位
G
N
V
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
V
D
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
J
R
BASE
集热器
辐射源
1.5
2.0
V
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
0.4
mA
0.7
1.0
30
15
3
mA
mA
75
兆赫
f
T
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
www.mccsemi.com
修订版：A
1 2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
2 2
2011/01/01
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入TIP42 / 42A / 42B / 42C
应用
For
中功率线性开关
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP41/41A/41B/41C
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
TIP41
TIP41A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP41B
TIP41C
TIP41
TIP41A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP41B
TIP41C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
储存温度
2
150
-65~150
℃
℃
集电极开路
开基
80
100
5
6
10
2
65
W
V
A
A
A
发射极开路
80
100
40
60
V
条件
价值
40
60
V
单位
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1970年12月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP42系列
65瓦，在25 ° C的温度
6的连续集电极电流
10 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP41
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP41
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP41A
TIP41B
TIP41C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
80
100
120
140
40
60
80
100
5
6
10
3
65
2
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度保持在0.52的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
NPN硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP41
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 100 V
V
CE
= 120 V
V
CE
= 140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
5V
4V
4V
0.6 A
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.3 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
3A
6A
6A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
30
15
75
1.5
2
V
V
I
B
= 0
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
TIP41/41A
TIP41B/41C
民
40
60
80
100
0.4
0.4
0.4
0.4
0.7
0.7
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.92
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 6 A
V
BE （OFF）的
= -4 V
I
B（上）
= 0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= -0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.6
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
NPN硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
h
FE
- 直流电流增益
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
1000
TCS633AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
10
TCS633AE
I
C
= 300毫安
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 6 A
1·0
100
10
0·1
1·0
0·01
0·1
1·0
10
0·01
0·001
0·01
0·1
I
B
- 基极电流 - 一个
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·2
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
1·1
TCS633AF
1·0
0·9
0·8
0·7
0·6
0·1
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
NPN硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS633AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
1·0
0·1
TIP41
TIP41A
TIP41B
TIP41C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS633AB
图5中。
产品
信息
4
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
NPN硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
产品
信息
5
TO- 220塑料包装
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
博卡半导体公司
提示41 ， 41A，41B， 41C
提示42 ， 42A，42B ，42C
通用放大器和开关应用
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
（ BSC）的
塑料NPN功率晶体管
PNP塑料功率晶体管
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
分钟。
14.42
9.63
3.56
马克斯。
N
L
O
1 2
3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DEG 7
A
O
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6 A;我
B
= 0.6 A
直流电流增益
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
41
42
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
41
42
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
41A 41B
42A 42B
60
80
60
80
6.0
65
150
1.5
15
75
41A 41B
42A 42B
60
80
60
80
5.0
6.0
41C
42C
100
100
41C
42C
100
100
V
V
A
W
°C
V
评级
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
所有迪民所起到的毫米。
K
V
V
V
A
http://www.bocasemi.com
页： 1
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
集电极电流（峰值）
基极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散高达至T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
储存温度
热阻
从结点到环境
从结点到外壳
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 60 V
V
BE
= 0; V
CE
= V
首席执行官
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 6 A;我
B
= 0.6 A
基射极电压上
I
C
= 6 A; V
CE
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
小信号电流增益
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 10 V ; F = 1千赫
跃迁频率
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
R
日J-一
R
第j个-C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
10
2.0
65
0.52
2.0
0.016
150
-65到+150
62.5
1.92
A
A
W
W
/°C
W
W
/°C
°C
C
° C / W
° C / W
41
42
I
首席执行官
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
最大。 0.7
最大。 -
马克斯。
马克斯。
41A 41B 41C
42A 42B 42C
0.7
–
–
0.7
0.4
1.0
60
60
5.0
1.5
2.0
30
15
75
20
3
兆赫
80
80
100
100
–
0.7
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
CEO （ SUS ）
*分钟。 40
V
CBO
分钟。 40
V
EBO
分钟。
V
CESAT
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
FE *
|h
fe
|
f
T
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。 （1）
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2%.
(1) f
T
= |h
fe
| f
TEST
http://www.bocasemi.com
第2页
WS
TIP41 SERIRES
(TIP41/41A/41B/41C)
中等功率的线性
切换应用程序
为了配合TIP42 / 42A / 42B / 42C
TO-220
NPN
外延硅晶体管
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
集电极 - EmitterVoltage
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
集电极耗散（ TC = 25
°C
)
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
符号
V
CBO
等级
40
60
80
100
40
60
80
100
5
6
10
2
65
150
-50~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
I
B
P
C
T
j
TSTG
永诚电脑配件有限公司（ H.K 。 ）l TD 。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 23419276传真： （ 852 ）279 8153 7
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
TIP41系列（ TIP41 / 41A / 41B / 41C ）
TIP41系列（ TIP41 / 41A / 41B / 41C ）
中功率线性开关应用
补到TIP42 / 42A / 42B / 42C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 发射极电压： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
集电极 - 发射极电压： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
6
10
2
65
2
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
集电极截止电流
： TIP41 / 41A
： TIP41B / 41C
集电极截止电流
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
40
60
80
100
0.7
0.7
400
400
400
400
1
30
15
75
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
mA
I
首席执行官
V
CE
= 30V ，我
B =
0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 40V, V
EB
= 0
V
CE
= 60V, V
EB
= 0
V
CE
= 80V, V
EB
= 0
V
CE
= 100V, V
EB
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.3A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
C
= 6A ，我
B
= 600毫安
V
CE
= 4V ，我
C
= 6A
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
3.0
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
1.5
2.0
V
V
兆赫
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
TIP41系列（ TIP41 / 41A / 41B / 41C ）
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（SAT） [毫伏] ，饱和电压
1000
10000
V
CE
= 4V
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
100
1000
V
BE
（SAT）
10
100
V
CE
（SAT）
1
1
10
100
1000
10000
10
1
10
100
1000
10000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
100
100
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
（MAX） （PULSE ）
10
P
C
[W] ，功率耗散
80
0. 5
ms
60
1m
I
C
（MAX） （DC）的
5m
s
s
40
1
TIP41 V
首席执行官
马克斯。
TIP41A V
首席执行官
马克斯。
TIP41B V
首席执行官
马克斯。
TIP41C V
首席执行官
马克斯。
0.1
1
10
100
20
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
TIP41系列（ TIP41 / 41A / 41B / 41C ）
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位：毫米
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
TIP41A/41B/41C
TIP42A/42C
互补硅功率
晶体管
s
互补PNP - NPN器件
描述
该TIP41A ， TIP41B和TIP41C为硅
安装在外延基极的NPN功率晶体管
JEDEC TO- 220塑料封装。他们intented
在中等功率线性和开关应用
应用程序。
该TIP41A和TIP41C PNP互补
类型分别为TIP42A和TIP42C 。
TO-220
3
1
2
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
例
≤
25
o
C
T
AMB
≤
25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
TIP41A
TIP42A
60
60
价值
TIP41B
80
80
5
6
10
3
65
2
-65到150
150
单位
TIP41C
TIP42C
100
100
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1999年10月
1/4
TIP41A/TIP41B/TIP41C/TIP42A/TIP42C
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.92
62.5
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
首席执行官
I
CES
参数
集电极截止
电流（I
B
= 0)
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
为
TIP41A/42A
为
TIP41B/41C/42C
为
TIP41A/42A
为
TIP41B
为
TIP41C/42C
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为
TIP41A/42A
为
TIP41B
为
TIP41C/42C
I
C
= 6 A
I
C
= 6 A
I
C
= 0.3 A
I
C
= 3 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.6 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
30
15
20
3
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.7
0.7
0.4
0.4
0.4
1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
*集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （ SAT ）
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
fe
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
小信号电流
收益
60
80
100
1.5
2
75
V
V
V
V
V
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
2/4
TIP41A/TIP41B/TIP41C/TIP42A/TIP42C
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
P011C
3/4
TIP41A/TIP41B/TIP41C/TIP42A/TIP42C
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
.
4/4
QQ：2880707522 复制
