SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入TIP36 / 36A / 36B / 36C
·直流电流增益
FE
=25(Min)@I
C
=1.5A
应用
·专为一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP35/35A/35B/35C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（T
C
=
)
符号
参数
TIP35
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP35A
TIP35B
TIP35C
TIP35
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP35A
TIP35B
TIP35C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
25
40
5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP35/35A/35B/35C
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP36 / 36A / 36B / 36C
ΔDC
电流增益
FE
=25(Min)@I
C
=1.5A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP35/35A/35B/35C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
电半
固
IN
参数
导½
条件
TIP35
TIP35A
TIP35B
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
昂
CH
TIP35C
TIP35
MIC
ê SE
发射极开路
开基
集电极开路
ND
O
OR
UCT
价值
40
60
80
100
40
60
单位
V
TIP35A
TIP35B
V
80
100
5
25
40
5
V
A
A
A
W
℃
℃
TIP35C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
125
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP35/35A/35B/35C
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP35A / D
其他芯片
大功率晶体管
。 。 。用于一般用途的功率放大器和开关应用。
25 A集电极电流
低漏电流 - ICEO = 1.0毫安， 30和60 V
出色的直流增益 - 的hFE = 40典型值@ 15 A
高电流增益带宽积 -
h
fe
= 3.0分钟@ IC = 1.0 A，
F = 1.0 MHz的
TIP35A
TIP35B*
TIP35C*
TIP36A
TIP36B*
TIP36C*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PNP
PD ，功耗（瓦）
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
TIP35A
TIP36A
60 V
60 V
TIP35B
TIP36B
80 V
80 V
5.0
25
40
TIP35C
TIP36C
100 V
100 V
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
基极电流 - 连续
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
5.0
PD
125
1.0
瓦
W/
_
C
工作和存储结
温度范围
非钳位感性负载
TJ ， TSTG
ESB
- 65至+ 150
90
25安培
补充
硅
功率晶体管
60 - 100伏
125瓦
_
C
mJ
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
1.0
单位
热阻，结到外壳
_
C / W
_
C / W
CASE 340D -02
TO–218AC
结到自由空气的热阻
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒，占空比
125
v
10%.
35.7
100
75
50
25
0
0
25
50
75
125
100
TC ，外壳温度（ ° C）
150
175
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
T， TIME （
s)
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
VDC
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP36B
TIP35C ， TIP36C
60
80
100
—
—
—
—
—
—
—
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = 30 V ， IB = 0 ）
（ VCE = 60 V ， IB = 0 ）
ICEO
mA
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP35C ， TIP36B ， TIP36C
1.0
1.0
0.7
1.0
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 5.0 V ， IC = 0 ）
冰
mA
mA
IEBO
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.5 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 15 A， VCE = 4.0 V）
的hFE
—
25
15
—
—
—
—
—
75
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 15 A ， IB = 1.5 A）
（ IC = 25 A ， IB = 5.0 A）
基射极电压ON
（ IC = 15 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 25 A， VCE = 4.0 V）
VCE （ SAT ）
VDC
1.8
4.0
2.0
4.0
VBE （ON）的
VDC
动态特性
小信号电流增益
（ IC = 1.0 A， VCE = 10 V ， F = 1.0千赫）
的hFE
fT
25
—
—
—
电流增益 - 带宽积
（ IC = 1.0 A， VCE = 10 V ， F = 1.0兆赫）
3.0
兆赫
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
VCC
RL
开启时间
– 30 V
3.0
TO SCOPE
tr
≤
20纳秒
2.0
1.0
TJ = 25°C
IC / IB = 10
VCC = 30 V
VBE （关闭） = 2 V
tr
+ 2.0 V
0
tr
≤
20纳秒
–11.0 V
10
RB
10至100
S
占空比
≈
2.0%
VCC
+ 9.0 V
0
10
RB
RL
– 30 V
3.0
TO SCOPE
tr
≤
20纳秒
关断时间
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
td
–11.0 V
（ PNP）
（ NPN ）
tr
≤
20纳秒
10至100
s
占空比
≈
2.0%
VBB
+ 4.0 V
0.07
0.05
0.03
0.02
0.3
针对图3 & 4曲线， RB & RL是多种多样的。
输入电平大致如图所示。
适用于NPN ，翻转所有的极性。
0.5 0.7 1.0
5.0 7.0 10
2.0 3.0
IC ，集电极电流（安培）
20
30
图2.开关时间等效测试电路
图3.开启时间
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
T， TIME （
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3 0.5 0.7
tf
ts
tf
1000
（ PNP）
（ NPN ）
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
500
200
的hFE ， DC电流增益
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（安培）
20
30
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
100
PNP
NPN
VCE = 4.0 V
TJ = 25°C
图4.开启，关闭时间
图5.直流电流增益
正向偏压
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图6中的数据是基于TC = 25
_
℃; T J （ PK）是
变量取决于功率电平。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10 ％，但必须降低
当TC
25
_
C.第二击穿限制不der-
吃一样的热限制。
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
50
30
20
10
10毫秒
5.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0
1.0
dc
二次击穿
热限制
焊线LIMIT
TIP35A ， 36A
TIP35B ， 36B
TIP35C ， 36C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
300
s
1.0毫秒
TC = 25°C
w
反向偏置
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，用
所述基极至发射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式如有源钳位来实现，
RC吸收，负载线整形，等安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在重新电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下的钳位验证
条件，使该装置从未经受ava-
拦车模式。图7给出了RBSOA特性。
图6.最大额定正向偏置
安全工作区
40
IC ，集电极电流（ AMPS ）
30
25
20
15
10
5.0
0
0
10
TIP35A
TIP36A
40
60
80
20
30
50
70
90
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
TIP35B
TIP36B
TIP35C
TIP36C
TJ
≤
100°C
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
测试电路
VCE监控
L1
（见注一）
MJE180
输入
50
RBB1
20
L2
（见注一）
50
RBB2 = 100
VCC = 10 V
+
VBB2 = 0
–
VBB1 = 10 V
+
RS = 0.1
IC监控
–
TUT
电压和电流波形
TW = 6.0毫秒
（见注B）
5.0 V
输入
电压
0
100毫秒
0
集热器
当前
– 3.0 A
0
–10 V
集热器
电压
V（ BR ） CER
注意事项：
答L1和L2为10毫亨， 0.11
,
芝加哥标准变压器公司C- 2688 ，或同等学历。
B.输入脉冲宽度增加，直到ICM = - 3.0 A.
C.对于NPN ，反向极性所有。
图8.感应负载开关
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
–––
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
–––
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
英寸
民
最大
–––
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
–––
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
CASE 340D -02
问题B
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP35A / D
其他芯片
大功率晶体管
。 。 。用于一般用途的功率放大器和开关应用。
25 A集电极电流
低漏电流 - ICEO = 1.0毫安， 30和60 V
出色的直流增益 - 的hFE = 40典型值@ 15 A
高电流增益带宽积 -
h
fe
= 3.0分钟@ IC = 1.0 A，
F = 1.0 MHz的
TIP35A
TIP35B*
TIP35C*
TIP36A
TIP36B*
TIP36C*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PNP
PD ，功耗（瓦）
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
TIP35A
TIP36A
60 V
60 V
TIP35B
TIP36B
80 V
80 V
5.0
25
40
TIP35C
TIP36C
100 V
100 V
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
基极电流 - 连续
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
5.0
PD
125
1.0
瓦
W/
_
C
工作和存储结
温度范围
非钳位感性负载
TJ ， TSTG
ESB
- 65至+ 150
90
25安培
补充
硅
功率晶体管
60 - 100伏
125瓦
_
C
mJ
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
1.0
单位
热阻，结到外壳
_
C / W
_
C / W
CASE 340D -02
TO–218AC
结到自由空气的热阻
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒，占空比
125
v
10%.
35.7
100
75
50
25
0
0
25
50
75
125
100
TC ，外壳温度（ ° C）
150
175
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
T， TIME （
s)
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
VDC
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP36B
TIP35C ， TIP36C
60
80
100
—
—
—
—
—
—
—
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = 30 V ， IB = 0 ）
（ VCE = 60 V ， IB = 0 ）
ICEO
mA
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP35C ， TIP36B ， TIP36C
1.0
1.0
0.7
1.0
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 5.0 V ， IC = 0 ）
冰
mA
mA
IEBO
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.5 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 15 A， VCE = 4.0 V）
的hFE
—
25
15
—
—
—
—
—
75
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 15 A ， IB = 1.5 A）
（ IC = 25 A ， IB = 5.0 A）
基射极电压ON
（ IC = 15 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 25 A， VCE = 4.0 V）
VCE （ SAT ）
VDC
1.8
4.0
2.0
4.0
VBE （ON）的
VDC
动态特性
小信号电流增益
（ IC = 1.0 A， VCE = 10 V ， F = 1.0千赫）
的hFE
fT
25
—
—
—
电流增益 - 带宽积
（ IC = 1.0 A， VCE = 10 V ， F = 1.0兆赫）
3.0
兆赫
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
VCC
RL
开启时间
– 30 V
3.0
TO SCOPE
tr
≤
20纳秒
2.0
1.0
TJ = 25°C
IC / IB = 10
VCC = 30 V
VBE （关闭） = 2 V
tr
+ 2.0 V
0
tr
≤
20纳秒
–11.0 V
10
RB
10至100
S
占空比
≈
2.0%
VCC
+ 9.0 V
0
10
RB
RL
– 30 V
3.0
TO SCOPE
tr
≤
20纳秒
关断时间
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
td
–11.0 V
（ PNP）
（ NPN ）
tr
≤
20纳秒
10至100
s
占空比
≈
2.0%
VBB
+ 4.0 V
0.07
0.05
0.03
0.02
0.3
针对图3 & 4曲线， RB & RL是多种多样的。
输入电平大致如图所示。
适用于NPN ，翻转所有的极性。
0.5 0.7 1.0
5.0 7.0 10
2.0 3.0
IC ，集电极电流（安培）
20
30
图2.开关时间等效测试电路
图3.开启时间
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
T， TIME （
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3 0.5 0.7
tf
ts
tf
1000
（ PNP）
（ NPN ）
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
500
200
的hFE ， DC电流增益
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（安培）
20
30
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
100
PNP
NPN
VCE = 4.0 V
TJ = 25°C
图4.开启，关闭时间
图5.直流电流增益
正向偏压
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图6中的数据是基于TC = 25
_
℃; T J （ PK）是
变量取决于功率电平。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10 ％，但必须降低
当TC
25
_
C.第二击穿限制不der-
吃一样的热限制。
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
50
30
20
10
10毫秒
5.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0
1.0
dc
二次击穿
热限制
焊线LIMIT
TIP35A ， 36A
TIP35B ， 36B
TIP35C ， 36C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
300
s
1.0毫秒
TC = 25°C
w
反向偏置
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，用
所述基极至发射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式如有源钳位来实现，
RC吸收，负载线整形，等安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在重新电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下的钳位验证
条件，使该装置从未经受ava-
拦车模式。图7给出了RBSOA特性。
图6.最大额定正向偏置
安全工作区
40
IC ，集电极电流（ AMPS ）
30
25
20
15
10
5.0
0
0
10
TIP35A
TIP36A
40
60
80
20
30
50
70
90
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
TIP35B
TIP36B
TIP35C
TIP36C
TJ
≤
100°C
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
测试电路
VCE监控
L1
（见注一）
MJE180
输入
50
RBB1
20
L2
（见注一）
50
RBB2 = 100
VCC = 10 V
+
VBB2 = 0
–
VBB1 = 10 V
+
RS = 0.1
IC监控
–
TUT
电压和电流波形
TW = 6.0毫秒
（见注B）
5.0 V
输入
电压
0
100毫秒
0
集热器
当前
– 3.0 A
0
–10 V
集热器
电压
V（ BR ） CER
注意事项：
答L1和L2为10毫亨， 0.11
,
芝加哥标准变压器公司C- 2688 ，或同等学历。
B.输入脉冲宽度增加，直到ICM = - 3.0 A.
C.对于NPN ，反向极性所有。
图8.感应负载开关
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
–––
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
–––
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
英寸
民
最大
–––
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
–––
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
CASE 340D -02
问题B
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP35A / D
其他芯片
大功率晶体管
。 。 。用于一般用途的功率放大器和开关应用。
25 A集电极电流
低漏电流 - ICEO = 1.0毫安， 30和60 V
出色的直流增益 - 的hFE = 40典型值@ 15 A
高电流增益带宽积 -
h
fe
= 3.0分钟@ IC = 1.0 A，
F = 1.0 MHz的
TIP35A
TIP35B*
TIP35C*
TIP36A
TIP36B*
TIP36C*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PNP
PD ，功耗（瓦）
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
TIP35A
TIP36A
60 V
60 V
TIP35B
TIP36B
80 V
80 V
5.0
25
40
TIP35C
TIP36C
100 V
100 V
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
基极电流 - 连续
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
5.0
PD
125
1.0
瓦
W/
_
C
工作和存储结
温度范围
非钳位感性负载
TJ ， TSTG
ESB
- 65至+ 150
90
25安培
补充
硅
功率晶体管
60 - 100伏
125瓦
_
C
mJ
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
1.0
单位
热阻，结到外壳
_
C / W
_
C / W
CASE 340D -02
TO–218AC
结到自由空气的热阻
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒，占空比
125
v
10%.
35.7
100
75
50
25
0
0
25
50
75
125
100
TC ，外壳温度（ ° C）
150
175
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
T， TIME （
s)
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
VDC
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP36B
TIP35C ， TIP36C
60
80
100
—
—
—
—
—
—
—
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE = 30 V ， IB = 0 ）
（ VCE = 60 V ， IB = 0 ）
ICEO
mA
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP35C ， TIP36B ， TIP36C
1.0
1.0
0.7
1.0
集电极 - 发射极截止电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
发射基截止电流
（ VEB = 5.0 V ， IC = 0 ）
冰
mA
mA
IEBO
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.5 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 15 A， VCE = 4.0 V）
的hFE
—
25
15
—
—
—
—
—
75
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 15 A ， IB = 1.5 A）
（ IC = 25 A ， IB = 5.0 A）
基射极电压ON
（ IC = 15 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 25 A， VCE = 4.0 V）
VCE （ SAT ）
VDC
1.8
4.0
2.0
4.0
VBE （ON）的
VDC
动态特性
小信号电流增益
（ IC = 1.0 A， VCE = 10 V ， F = 1.0千赫）
的hFE
fT
25
—
—
—
电流增益 - 带宽积
（ IC = 1.0 A， VCE = 10 V ， F = 1.0兆赫）
3.0
兆赫
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
v
2.0%.
VCC
RL
开启时间
– 30 V
3.0
TO SCOPE
tr
≤
20纳秒
2.0
1.0
TJ = 25°C
IC / IB = 10
VCC = 30 V
VBE （关闭） = 2 V
tr
+ 2.0 V
0
tr
≤
20纳秒
–11.0 V
10
RB
10至100
S
占空比
≈
2.0%
VCC
+ 9.0 V
0
10
RB
RL
– 30 V
3.0
TO SCOPE
tr
≤
20纳秒
关断时间
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
td
–11.0 V
（ PNP）
（ NPN ）
tr
≤
20纳秒
10至100
s
占空比
≈
2.0%
VBB
+ 4.0 V
0.07
0.05
0.03
0.02
0.3
针对图3 & 4曲线， RB & RL是多种多样的。
输入电平大致如图所示。
适用于NPN ，翻转所有的极性。
0.5 0.7 1.0
5.0 7.0 10
2.0 3.0
IC ，集电极电流（安培）
20
30
图2.开关时间等效测试电路
图3.开启时间
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
T， TIME （
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3 0.5 0.7
tf
ts
tf
1000
（ PNP）
（ NPN ）
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
500
200
的hFE ， DC电流增益
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（安培）
20
30
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
100
PNP
NPN
VCE = 4.0 V
TJ = 25°C
图4.开启，关闭时间
图5.直流电流增益
正向偏压
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图6中的数据是基于TC = 25
_
℃; T J （ PK）是
变量取决于功率电平。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10 ％，但必须降低
当TC
25
_
C.第二击穿限制不der-
吃一样的热限制。
IC ，集电极电流（ AMPS ）
100
50
30
20
10
10毫秒
5.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0
1.0
dc
二次击穿
热限制
焊线LIMIT
TIP35A ， 36A
TIP35B ， 36B
TIP35C ， 36C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
300
s
1.0毫秒
TC = 25°C
w
反向偏置
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，用
所述基极至发射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式如有源钳位来实现，
RC吸收，负载线整形，等安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在重新电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下的钳位验证
条件，使该装置从未经受ava-
拦车模式。图7给出了RBSOA特性。
图6.最大额定正向偏置
安全工作区
40
IC ，集电极电流（ AMPS ）
30
25
20
15
10
5.0
0
0
10
TIP35A
TIP36A
40
60
80
20
30
50
70
90
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
TIP35B
TIP36B
TIP35C
TIP36C
TJ
≤
100°C
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
测试电路
VCE监控
L1
（见注一）
MJE180
输入
50
RBB1
20
L2
（见注一）
50
RBB2 = 100
VCC = 10 V
+
VBB2 = 0
–
VBB1 = 10 V
+
RS = 0.1
IC监控
–
TUT
电压和电流波形
TW = 6.0毫秒
（见注B）
5.0 V
输入
电压
0
100毫秒
0
集热器
当前
– 3.0 A
0
–10 V
集热器
电压
V（ BR ） CER
注意事项：
答L1和L2为10毫亨， 0.11
,
芝加哥标准变压器公司C- 2688 ，或同等学历。
B.输入脉冲宽度增加，直到ICM = - 3.0 A.
C.对于NPN ，反向极性所有。
图8.感应负载开关
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP35A TIP35B TIP35C TIP36A TIP36B TIP36C
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
–––
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
–––
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
英寸
民
最大
–––
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
–––
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
CASE 340D -02
问题B
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
TIP35 ， TIP35A ， TIP35B ， TIP35C
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP36系列
在25 ° C的温度125瓦
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
q
25 A连续集电极电流
40 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP35
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP35A
TIP35B
TIP35C
TIP35
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP35A
TIP35B
TIP35C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
80
100
120
140
40
60
80
100
5
25
40
5
125
3.5
90
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度以1的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP35 ， TIP35A ， TIP35B ， TIP35C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP35
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 100 V
V
CE
= 120 V
V
CE
= 140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
1.5 A
5A
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 1.5 A
I
C
= 15 A
I
C
= 15 A
I
C
= 25 A
I
C
= 15 A
I
C
= 25 A
I
C
=
I
C
=
1A
1A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
3
25
10
50
1.8
4
2
4
V
V
I
B
= 0
TIP35A
TIP35B
TIP35C
TIP35
TIP35A
TIP35B
TIP35C
TIP35/35A
TIP35B/35C
民
40
60
80
100
0.7
0.7
0.7
0.7
1
1
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 15 A
V
BE （OFF）的
= -4.15 V
I
B（上）
= 1.5 A
R
L
= 2
民
I
B（关闭）
= -1.5 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
1.2
0.9
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP35 ， TIP35A ， TIP35B ， TIP35C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS635AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS635AB
h
FE
- 直流电流增益
100
1·0
10
0·1
I
C
= 25 A
I
C
= 20 A
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
0·1
1·0
10
100
1
0·1
1·0
10
100
0·01
0·001
I
C
= 300毫安
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
0·01
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
2·0
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
TCS635AC
1·8
V
BE
- 基射极电压 - V
1·6
1·4
1·2
1·0
0·8
0·6
0·1
1·0
10
100
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP35 ， TIP35A ， TIP35B ， TIP35C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS635AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
1·0
0·1
TIP35
TIP35A
TIP35B
TIP35C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
140
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS635AA
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP35 ， TIP35A ， TIP35B ， TIP35C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
TIP35A ， TIP35B ， TIP35C
（ NPN型） ; TIP36A ， TIP36B ，
TIP36C （ PNP ）
TIP35B ， TIP35C ， TIP36B和TIP36C的首选设备
其他芯片
大功率晶体管
设计用于一般用途的功率放大器和开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
25 A集电极电流
低漏电流 -
I
首席执行官
= 1.0毫安， 30和60 V
出色的直流增益 -
h
FE
= 40典型值@ 15 A
高电流增益带宽积 -
h
fe
= 3.0分钟@我
C
= 1.0 A， F = 1.0 MHz的
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
- 山顶（注1 ）
基极电流 - 连续
总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储
结温范围
非钳位感性负载
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
25
40
I
B
P
D
5.0
125
W
W / ℃，
T
J
, T
英镑
E
SB
符号
R
QJC
R
qJA
-65到+150
90
_C
mJ
ADC
TIP35A
TIP36A
60
60
TIP35B
TIP36B
80
80
5.0
TIP35C
TIP36C
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
25安培
其他芯片
功率晶体管
60-100伏， 125瓦
SOT- 93 （ TO- 218 ）
CASE 340D
风格1
标记图
AYWWG
TIP3xx
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到自由空气
热阻
最大
1.0
35.7
单位
° C / W
° C / W
A
Y
WW
TIP3xx
xx
G
=
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
图5A ，5B，5C
图6A ，6B，6C
= Pb-Free包装
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒，占空比
v
10%.
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年9月 - 修订版5
出版订单号：
TIP35A/D
TIP35A ， TIP35B ， TIP35C （ NPN ） ; TIP36A ， TIP36B ， TIP36C （ PNP ）
订购信息
设备
TIP35A
TIP35AG
TIP35B
TIP35BG
TIP35C
TIP35CG
TIP36A
TIP36AG
TIP36B
TIP36BG
TIP36C
TIP36CG
包
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
航运
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
V
CEO （ SUS ）
VDC
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP36B
TIP35C ， TIP36C
60
80
100
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 30 V，I
B
= 0)
(V
CE
= 60 V，I
B
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
EB
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0)
I
首席执行官
mA
TIP35A ， TIP36A
TIP35B ， TIP35C ， TIP36B ， TIP36C
1.0
1.0
0.7
1.0
I
CES
mA
mA
I
EBO
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 1.5 A，V
CE
= 4.0 V)
(I
C
= 15 A，V
CE
= 4.0 V)
h
FE
25
15
75
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 15 A，I
B
= 1.5 A)
(I
C
= 25 A，I
B
= 5.0 A)
基射极电压ON
(I
C
= 15 A，V
CE
= 4.0 V)
(I
C
= 25 A，V
CE
= 4.0 V)
V
CE （ SAT ）
VDC
1.8
4.0
2.0
4.0
V
BE（上）
VDC
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 10 V ， F = 1.0千赫）
h
fe
f
T
25
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
3.0
兆赫
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
http://onsemi.com
2
TIP35A ， TIP35B ， TIP35C （ NPN ） ; TIP36A ， TIP36B ， TIP36C （ PNP ）
125
PD ，功耗（瓦）
100
75
50
25
0
0
25
50
75
125
100
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
175
图1.功率降额
开启时间
+2.0 V
0
t
r
≤
20纳秒
11.0 V
V
CC
R
L
10
R
B
30 V
3.0
关断时间
+9.0 V
V
CC
R
L
10
R
B
30 V
3.0
TO SCOPE
t
r
≤
20纳秒
TO SCOPE
t
r
≤
20纳秒
0
11.0 V
t
r
≤
20纳秒
10至100
mS
占空比
≈
2.0%
10至100
ms
占空比
≈
2.0%
针对图曲线3 & 4，R
B
＆放大器;
L
是多种多样的。
输入电平大致如图所示。
适用于NPN ，翻转所有的极性。
V
BB
+4.0 V
图2.开关时间等效测试电路
2.0
1.0
0.7
0.5
T， TIME （
μ
s)
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.3
t
d
（ PNP）
（ NPN ）
t
r
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 30 V
V
BE （OFF）的
= 2 V
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（安培）
20
30
图3.开启时间
http://onsemi.com
3
TIP35A ， TIP35B ， TIP35C （ NPN ） ; TIP36A ， TIP36B ， TIP36C （ PNP ）
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
μ
s)
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3 0.5 0.7
t
f
t
s
t
f
1000
（ PNP）
（ NPN ）
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
500
200
的hFE ， DC电流增益
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（安培）
20
30
1.0
0.1
0.2
0.5
5.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1.0
2.0
50
100
PNP
NPN
V
CE
= 4.0 V
T
J
= 25°C
图4.开启，关闭时间
图5.直流电流增益
正向偏压
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
30
20
10
10毫秒
dc
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6的数据是基于T
C
= 25°C ;吨
J（下PK）
is
变量取决于功率电平。二次击穿
脉冲限制是有效的占空比以10％，但必须是
降级当T
C
w
25_C 。二次击穿限制做
不减免一样的热限制。
反向偏置
300
ms
1.0毫秒
T
C
= 25°C
5.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0
1.0
二次击穿
热限制
焊线LIMIT
TIP35A ， 36A
TIP35B ， 36B
TIP35C ， 36C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，
与基极 - 射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式，例如有源钳位， RC完成
不压井作业，载重线成型等。安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件，使该装置从未经受
雪崩模式。图7给出了RBSOA特性。
图6.最大额定正向偏置
安全工作区
40
30
25
20
15
10
TIP35A
TIP36A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
TIP35B
TIP36B
TIP35C
TIP36C
T
J
≤
100°C
5.0
0
图7.最大额定正向偏置
安全工作区
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4
TIP35A ， TIP35B ， TIP35C （ NPN ） ; TIP36A ， TIP36B ， TIP36C （ PNP ）
测试电路
V
CE
MONITOR
MJE180
输入
50
R
BB1
20
L1
（见注一）
TUT
L2
（见注一）
50
R
BB2
= 100
V
CC
= 10 V
+
I
C
MONITOR
V
BB2
= 0
V
BB1
= 10 V
+
R
S
= 0.1
W
电压和电流波形
t
w
= 6.0毫秒
（见注B）
5.0 V
输入
电压
0
100毫秒
集热器
当前
0
3.0 A
0
10 V
集热器
电压
V
（ BR ） CER
注意事项：
答L1和L2为10毫亨， 0.11
W,
芝加哥标准变压器公司C- 2688 ，或同等学历。
B.输入脉冲宽度增加，直到我
CM
= 3.0 A.
C.对于NPN ，反向极性所有。
图8.感应负载开关
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5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP36 / 36A / 36B / 36C
ΔDC
电流增益
FE
=25(Min)@I
C
=1.5A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP35/35A/35B/35C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
TIP35
TIP35A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP35B
TIP35C
TIP35
TIP35A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP35B
TIP35C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
80
100
5
25
40
5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极开路
80
100
40
60
V
条件
价值
40
60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP35/35A/35B/35C
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C NPN
TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C PNP
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体TIP35 ， TIP36
系列类型是互补硅功率
通过外延基极。制造的晶体管
过程中，设计用于高电流放大器和
开关应用。
标记：全部型号
其他芯片
功率晶体管
TO- 218晶体管CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
TIP35
TIP36
40
40
TIP35A
TIP36A
60
60
5.0
25
40
5.0
125
-65到+150
1.0
TIP35B
TIP36B
80
80
TIP35C
TIP36C
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICEO
VCE = 30V ， （ TIP35 ， TIP35A ， TIP36 ， TIP36A ）
ICEO
冰
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VCE = 60V ， （ TIP35B ， TIP35C ， TIP36B ， TIP36C ）
VCE =额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 30毫安（ TIP35 ， TIP36 ）
IC = 30毫安（ TIP35A ， TIP36A ）
IC = 30毫安（ TIP35B ， TIP36B ）
IC = 30毫安（ TIP35C ， TIP36C ）
IC=15A,
IC=25A,
IB=1.5A
IB=5.0A
40
60
80
100
最大
1.0
1.0
0.7
1.0
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
1.8
4.0
2.0
4.5
25
10
25
3.0
100
V
V
V
V
VCE = 4.0V ， IC = 15A
VCE = 4.0V ， IC = 25A
VCE = 4.0V ， IC = 1.5A
VCE = 4.0V ， IC = 15A
VCE = 10V ， IC = 1.0A ， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0A ， F = 1.0MHz的
兆赫
R1 （2008年29月）
中央
TM
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C NPN
TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C PNP
半导体公司
其他芯片
功率晶体管
TO- 218晶体管案例 - 机械外形
前导码：
1）基础
2 ）集电极
3 ）辐射源
注：标签是常见的导致2 。
标记：
全部型号
R1 （2008年29月）
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP36 / 36A / 36B / 36C
ΔDC
电流增益
FE
=25(Min)@I
C
=1.5A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP35/35A/35B/35C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
电半
固
IN
参数
导½
条件
TIP35
TIP35A
TIP35B
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
昂
CH
TIP35C
TIP35
MIC
ê SE
发射极开路
开基
集电极开路
ND
O
OR
UCT
价值
40
60
80
100
40
60
单位
V
TIP35A
TIP35B
V
80
100
5
25
40
5
V
A
A
A
W
℃
℃
TIP35C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
125
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP35/35A/35B/35C
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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