SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入TIP34 / 34A / 34B / 34C
·直流电流增益
FE
=40(Min)@I
C
=1.0A
应用
·专为通用电源使用
放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP33/33A/33B/33C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP33
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP33A
TIP33B
TIP33C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
符号
R
第j个-C
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
10
15
3
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP33/33A/33B/33C
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP34 / 34A / 34B / 34C
ΔDC
电流增益
FE
=40(Min)@I
C
=1.0A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
TIP33/33A/33B/33C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
TIP33
TIP33A
TIP33B
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
TIP33C
TIP33
TIP33A
TIP33B
TIP33C
发射极开路
MIC
E
ND
O
OR
UCT
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
集电极开路
5
10
15
3
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
80
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP33/33A/33B/33C
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP34系列
80瓦，在25 ° C的温度
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
q
10 A连续集电极电流
15 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP33
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP33A
TIP33B
TIP33C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
80
100
120
140
40
60
80
100
5
10
15
3
80
3.5
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.64的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP33
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 100 V
V
CE
= 120 V
V
CE
= 140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
0.3 A
2.5 A
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
3A
3A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
40
20
100
1
4
1.6
3
V
V
I
B
= 0
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33/33A
TIP33B/33C
民
40
60
80
100
0.4
0.4
0.4
0.4
0.7
0.7
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.56
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 6 A
V
BE （OFF）的
= -4 V
I
B（上）
= 0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= -0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.6
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS633AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS633AB
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 6 A
I
C
= 10 A
h
FE
- 直流电流增益
100
1·0
10
0·1
1·0
0·01
0·1
1·0
10
0·01
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·8
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
1·6
TCS633AC
1·4
1·2
1·0
0·8
0·6
0·1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS633AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
1·0
0·1
TIP33
TIP33A
TIP33B
TIP33C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS633AA
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP34 / 34A / 34B / 34C
ΔDC
电流增益
FE
=40(Min)@I
C
=1.0A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
TIP33/33A/33B/33C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
TIP33
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP33A
TIP33B
TIP33C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
10
15
3
80
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP33/33A/33B/33C
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP34系列
80瓦，在25 ° C的温度
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
q
10 A连续集电极电流
15 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP33
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP33A
TIP33B
TIP33C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
80
100
120
140
40
60
80
100
5
10
15
3
80
3.5
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.64的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP33
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 100 V
V
CE
= 120 V
V
CE
= 140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
0.3 A
2.5 A
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
3A
3A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
40
20
100
1
4
1.6
3
V
V
I
B
= 0
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33
TIP33A
TIP33B
TIP33C
TIP33/33A
TIP33B/33C
民
40
60
80
100
0.4
0.4
0.4
0.4
0.7
0.7
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.56
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 6 A
V
BE （OFF）的
= -4 V
I
B（上）
= 0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= -0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.6
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS633AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS633AB
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 6 A
I
C
= 10 A
h
FE
- 直流电流增益
100
1·0
10
0·1
1·0
0·01
0·1
1·0
10
0·01
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·8
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
1·6
TCS633AC
1·4
1·2
1·0
0·8
0·6
0·1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS633AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
1·0
0·1
TIP33
TIP33A
TIP33B
TIP33C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS633AA
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP33 ， TIP33A ， TIP33B ， TIP33C
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
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