CYStech电子股份有限公司
3A PNP外延平面功率晶体管
规格。编号： C610E3
发行日期： 2003年9月4日
修订日期：
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TIP32CE3
描述
TIP32CE3被设计为在通用放大器和开关应用中使用。
低集电极 - 发射极饱和电压，V
CE （ SAT ）
= -1.2V （最大值） @我
C
= -3A
高集电极 - 发射极维持电压
,
BV
CEO （ SUS ）
= -100V （最小值）
高电流增益带宽积，女
T
= 3MHz的（最小） @我
C
= -500mA
特点
符号
TIP32CE3
概要
TO-220AB
B：基本
C：收藏家
E：发射器
BCE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
功率耗散@ T
A
=25℃
功率耗散@ T
C
=25℃
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
结温
储存温度
注： 1。单脉冲私服≦ 380μs ，占空比≦ 2 ％ 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
P
D
R
θJA
R
θJC
Tj
TSTG
范围
-100
-100
-5
-3
-5
（注1 ）
-1
2
40
62.5
3.125
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
° C / W
° C / W
°C
°C
TIP32CE3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
TO- 220AB尺寸
规格。编号： C610E3
发行日期： 2003年9月4日
修订日期：
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A
D
B
E
C
标记：
TIP32C
H
I
G
4
P
M
3
2
1
N
类型：Pin 1.Base 2.Collector 3.Emitter
4.Collector
K
O
3引脚TO- 220AB塑料包装
CYStek包装代码： E3
* ：典型
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.2197 0.2949
0.3299 0.3504
0.1732
0.185
0.0453 0.0547
0.0138 0.0236
0.3803 0.4047
-
*
0.6398
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
5.58
7.49
8.38
8.90
4.40
4.70
1.15
1.39
0.35
0.60
9.66
10.28
-
*
16.25
暗淡
I
K
M
N
O
P
英寸
分钟。
马克斯。
-
*
0.1508
0.0295 0.0374
0.0449 0.0551
-
*
0.1000
0.5000 0.5618
0.5701 0.6248
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
-
*
3.83
0.75
0.95
1.14
1.40
-
*
2.54
12.70
14.27
14.48
15.87
注意事项：
1.Controlling尺寸：毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质：
导语： 42合金;镀锡
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品，恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
TIP32CE3
CYStek产品规格
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