TIP 32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
TIP32/32A/32B/32C
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
TIP32/32A/32B/32C
中功率线性开关应用
- 补到TIP31 / 31A / 31B / 31C
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
等级
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-3
-5
-1
2
40
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
PNP外延
硅达林顿
晶体管
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极 - 发射极电压： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
集电极截止电流
： TIP32 / 32A
： TIP32B / 32C
集电极截止电流
： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
输出电容
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
C
= -30mA ，我
B
=0
-40
-60
-80
-100
-0.3
-0.3
-200
-200
-200
-200
-1
25
10
50
-1.2
-1.8
3.0
V
V
V
V
V
V
测试条件
民
最大
单位
I
首席执行官
I
CES
V
CE
=-30V,I
B
=0
V
CE
=-60V,I
B
=0
V
CE
=-40V,V
EB
=0
V
CE
=-60V,V
EB
=0
V
CE
=-80V,V
EB
=0
V
CE
=-100V,V
EB
=0
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-4V,I
C
=-1A
V
CE
=-4V,I
C
=-3A
I
C
=-3A,I
B
=-375mA
V
CE
=-4V,I
C
=-3A
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA
f=1
*脉冲测试： PW≤300us ，职务Cycle≤2 ％
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
典型特征
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
包装尺寸为
TO- 220 （ A）
9.90
±0.20
0
.6
φ3
±0
.2
0
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
2.80
±0.20
9.19
±0.20
6.50
±0.20
13.08
±0.20
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
包装尺寸为
的TO-220 （B）中
±0.20
φ
4
.8
3
±0
0
.2
4.57
±0.20
1.27
±0.20
15.44
±0.20
2.74
±0.20
9.14
±0.20
6.30
±0.20
2.67
±0.20
13.28
±0.20
1.27
±0.20
2.67
±0.20
0.81
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
TIP32/32A/32B/32C
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入TIP31 / 31A / 31B / 31C
应用
Medium
Power线性和开关
应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
电半
固
IN
参数
导½
条件
TIP32
TIP32A
TIP32B
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
昂
CH
TIP32C
TIP32
MIC
ê SE
发射极开路
开基
集电极开路
ND
O
OR
UCT
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
单位
V
TIP32A
TIP32B
TIP32C
V
-80
-100
-5
-3
-5
-1
V
A
A
A
W
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
储存温度
40
2
150
-65~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP32/32A/32B/32C
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
TIP32/32A/32B/32C
描述
·采用TO- 220封装
·补键入TIP31 / 31A / 31B / 31C
应用
·中功率线性和开关
应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP32
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP32A
TIP32B
TIP32C
TIP32
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP32A
TIP32B
TIP32C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
T
a
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-3
-5
-1
40
2
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP32/32A/32B/32C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
TIP32 ， TIP32A ... C
PNP
版本2004-06-29
通用晶体管
硅外延PlanarTransistors
PNP
集电极电流 - Kollektorstrom
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
1=B
2=C
3=E
3A
TO-220AB
2.2 g
标准包装管
标准Lieferform在Stangen
最大额定值（T
A
= 25°C)
TIP32
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基电压
无冷却 - 指数ohne Kühlung
与冷却 - 麻省理工学院Kühlung
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
TIP32A
60 V
60 V
5V
2 W
1
)
40 W
3 A（ DC）
5A
1A
150°C
- 65…+ 150°C
TIP32B
80 V
80 V
TIP32C
100 V
100 V
- V
CE0
- V
EB0
P
合计
40 V
40 V
B开
c打开
B短路 - V
CES
功耗 - Verlustleistung
T
C
= 25°C P
合计
- I
C
- I
CM
- I
B
T
j
T
S
集电极电流 - Kollektorstrom
峰值集电极电流
Kollektor - Spitzenstrom
基极电流 - Basisstrom
结温。 - Sperrschichttemp 。
储存温度。 - Lagerungstemperatur
特性，T
j
= 25°C
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
- I
C
= 3 A， - 我
B
= 375毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
- V
CE
= 4 V， - 我
C
= 3 A
- V
CE
= 4 V， - 我
C
= 1 A
- V
CE
= 4 V， - 我
C
= 3 A
1
Kennwerte ，T
j
= 25°C
典型值。
–
–
–
–
马克斯。
1.2 V
1.8
–
50
- V
CESAT
- V
BEON
h
FE
h
FE
–
–
25
10
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在5毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
28
通用晶体管
TIP32 ， TIP32A ... C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
- V
CE
= 30 V
- V
CE
= 60 V
- V
CE
=额定V
CE0
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 0.5 A ， F = 1兆赫
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
打开-O FF时间
- I
CON
= 1 A,
- I
BON
= I
B关
= 100毫安
t
on
t
关闭
–
–
f
T
3兆赫
TIP32
TIP32A
TIP32B
TIP32C
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CES
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
300 nA的
300 nA的
300 nA的
300 nA的
200 nA的
H-参数为 - V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 0.5 A ， F = 1千赫
h
fe
20
–
–
–
300纳秒
1 s
–
–
–
62 K / W
1
)
3 K / W
9 ±10％ lb.in.
1 ±10％牛
TIP31 ， TIP31A
TIP31B ， TIP31C
热电阻 - Wrmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到外壳 - Sperrschicht祖Gehuse
安装受理的扭矩
Zulssiges Anzugsdrehmoment
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
R
THA
R
THC
M4
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在5毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
29
TO- 220塑料包装
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
博卡半导体公司
TIP31 ， 31A，31B ，31C
TIP32 ， 32A，32B， 32C
通用放大器和开关应用
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
（ BSC）的
塑料NPN功率晶体管
PNP塑料功率晶体管
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
M英寸
14.42
9.63
3.56
M A X 。
N
L
O
1 2 3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DE西方7
A
O
绝对最大额定值
31
32
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
31
32
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
31A 31B
32A 32B
60
80
60
80
3.0
40
150
1.2
10
50
31A 31B
32A 32B
60
80
60
80
5.0
31C
32C
100
100
31C
32C
100
100
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3 A;我
B
= 375毫安
直流电流增益
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
所有的暗淡insions在M M 。
K
V
V
A
W
°C
V
评级
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
V
V
http://www.bocasemi.com
页： 1
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
总功率耗散高达牛逼
C
=25°C
减免上述25℃
总功率耗散高达牛逼
A
=25°C
减免上述25℃
结温
储存温度
热阻
从结点到外壳
从结点到环境
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
B
= 0; V
CE
= 30V
I
B
= 0; V
CE
= 60V
V
BE
= 0; V
CE
= V
CEO （最大值）
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 3 A;我
B
= 375毫安
基极发射极电压
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 1 ; V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
小信号电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1千赫
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1 MHz的
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
R
第j个-C
R
日J-一
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
最大
马克斯。
最大
马克斯。
3.0
5.0
1.0
40
0.32
2
0.016
150
-65到+150
3.125
62.5
A
A
A
W
W
/°C
W
W
/°C
°C
C
°C宽
/
°C宽
/
31 31A 31B 31C
32 32A 32B 32C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
*
V
CBO
V
EBO
V
CESAT
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
FE
*
|h
fe
|
f
T
(1)
最大。 0.3
最大。 -
马克斯。
马克斯。
分钟。 40
分钟。 40
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。
60
60
0.3
–
–
0.3
0.2
1.0
80
80
100
100
–
0.3
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
5.0
1.2
1.8
25
10
50
20
3
兆赫
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2%.
(1) f
T
= |h
fe
| f
TEST
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第2页
TIP32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
TIP32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
中功率线性开关应用
补到TIP31 / 31A / 31B / 31C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
价值
- 40
- 60
- 80
- 100
- 40
- 60
- 80
-100
-5
-3
-5
-3
40
2
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
集电极截止电流
： TIP32 / 32A
： TIP32B / 32C
集电极截止电流
： TIP32
： TIP32A
： TIP32B
： TIP32C
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
CE
= - 40V, V
EB
= 0
V
CE
= - 60V, V
EB
= 0
V
CE
= - 80V, V
EB
= 0
V
CE
= - 100V, V
CE
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 4V ，我
C
= - 1A
V
CE
= - 4V ，我
C
= - 3A
I
C
= - 3A ，我
B
= - 375毫安
V
CE
= - 4V ，我
C
= - 3A
V
CE
= - 10V ，我
C
= - 500毫安
3.0
25
10
- 200
- 200
- 200
- 200
-1
50
- 1.2
- 1.8
V
V
兆赫
版本A ， 2000年2月
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
分钟。
-40
-60
-80
-100
马克斯。
单位
V
V
V
V
I
首席执行官
V
CE
= - 30V ，我
B
= 0
V
CE
= - 60V ，我
B
= 0
- 0.3
- 0.3
mA
mA
A
A
A
A
mA
I
CES
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2000仙童半导体国际
TIP32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（SAT） [毫伏] ，饱和电压
1000
-10000
V
CE
= -4V
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
100
-1000
V
BE
（SAT）
10
-100
V
CE
（SAT）
1
-1
-10
-100
-1000
-10000
-10
-1
-10
-100
-1000
-10000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
-10
50
I
C
（MAX） （PULSE ）
45
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
（MAX） （DC）的
P
C
[W] ，功率耗散
100
s
40
35
30
25
20
15
10
5
0
s
5m
s
1m
-1
TIP32 V
首席执行官
马克斯。
TIP32A V
首席执行官
马克斯。
TIP32B V
首席执行官
马克斯。
TIP32C V
首席执行官
马克斯。
-0.1
-10
-100
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
TIP32系列（ TIP32 / 32A / 32B / 32C ）
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位：毫米
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP31系列
在25 ° C的温度， 40瓦
3连续集电极电流
5 A峰值集电极电流
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP32
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP32A
TIP32B
TIP32C
TIP32
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP32A
TIP32B
TIP32C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-3
-5
-1
40
2
32
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.32的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP32
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
-3 A
-3 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
25
10
50
-1.2
-1.8
V
V
I
B
= 0
TIP32A
TIP32B
TIP32C
TIP32
TIP32A
TIP32B
TIP32C
TIP32/32A
TIP32B/32C
民
-40
-60
-80
-100
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.3
-0.3
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
B
= -375毫安
V
CE
=
-4 V
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -1 A
V
BE （OFF）的
= 4.3 V
I
B（上）
= -0.1 A
R
L
= 30
民
I
B（关闭）
= 0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.3
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS632AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS632AB
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
I
C
= -100毫安
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
-1·0
-10
-100
-1000
10
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-0·01
-0·1
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-0·9
TCS632AC
-0·8
-0·7
-0·6
-0·5
-0·01
-0·1
-1
-10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS632AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP32
TIP32A
TIP32B
TIP32C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AA
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
QQ：2881677436 复制
