TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C ，
（ NPN ） ， TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ，
TIP32C ， （ PNP ）
其他芯片
塑料功率晶体管
专为通用放大器和开关的使用
应用程序。
特点
http://onsemi.com
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.2伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 40 VDC （最小） - TIP31 ， TIP32
= 60 VDC （最小） - TIP31A ， TIP32A
= 80伏直流（最小值） - TIP31B ， TIP32B
= 100伏直流（最小值） - TIP31C ， TIP32C
高电流增益 - 带宽积
f
T
= 3.0兆赫（最小值） @我
C
= 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
无铅包可用*
3安培
功率晶体管
其他芯片
40-60-80-100伏，
40瓦
记号
图
4
最大额定值
集电极 - 发射极电压TIP31 ， TIP32
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
40
60
80
100
40
60
80
100
5.0
3.0
5.0
1.0
VDC
TIP31 ， TIP32
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
连续
PEAK
V
CB
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
EB
I
C
I
B
VDC
ADC
ADC
总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功耗
@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
P
D
40
0.32
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
_C
P
D
2.0
0.016
32
非钳位感性负载能量（注1 ）
工作和存储结
温度范围
E
T
J
, T
英镑
- 65
+ 150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. I
C
= 1.8 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹，V
CC
= 10 V ，R
BE
= 100
W
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
等级
符号
价值
单位
1
TO220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP3xxG
AYWW
TIP3xx
xx
A
Y
WW
G
=器件代码
= 1 ，1A， 1B，1C，
2 ，2A，2B ，2C，
=大会地点
=年
=工作周
无铅封装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
2005年9月 - 10牧师
出版订单号：
TIP31A/D
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C ， （ NPN ） ， TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C ， （ PNP ）
热特性
特征
符号
R
qJA
最大
单位
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
62.5
° C / W
° C / W
R
QJC
3.125
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
40
60
80
100
最大
单位
VDC
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
TIP31 ， TIP32
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
V
CEO （ SUS ）
集电极截止电流（V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，V
EB
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 0)
(V
CE
= 80伏，V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
TIP31 ， TIP32 ， TIP31A ， TIP32A
I
首席执行官
I
CES
0.3
0.3
MADC
MADC
TIP31B ， TIP31C ， TIP32B ， TIP32C
TIP31 ， TIP32
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
200
200
200
200
1.0
50
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
I
EBO
h
FE
MADC
基本特征
（注2 ）
直流电流增益（I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
直流电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
25
10
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 375 MADC ）
基射极电压上（我
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
1.2
1.8
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（我
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0兆赫）
小信号电流增益（I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
3.0
20
兆赫
h
fe
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
订购信息
设备
TIP31
TIP31G
TIP31A
TIP31AG
TIP31B
TIP31BG
TIP31C
TIP31CG
TIP32
TIP32G
TIP32A
TIP32AG
TIP32B
TIP32BG
TIP32C
TIP32CG
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
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2
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C ， （ NPN ） ， TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C ， （ PNP ）
T
C
T
A
P
D
，功耗（瓦）
40 4.0
30 3.0
T
C
20 2.0
10 1.0
T
A
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
开通脉冲
约
+11 V
V
in
0
V
EB （O FF ）
t
1
t
3
V
CC
R
C
V
in
R
B
吨，时间（ ms）的
C
jd
<<
eb
t
1
≤
7.0纳秒
100 <吨
2
＆ LT ; 500
ms
t
3
< 15纳秒
4.0 V
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
r
@ V
CC
= 10 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
约
+11 V
V
in
t
2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
关断脉冲
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
0.05
0.1
0.3
0.5
1.0
3.0
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平。
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图2.开关时间等效电路
图3.开启时间
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3
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C ， （ NPN ） ， TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C ， （ PNP ）
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
（ T） = 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P
（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.05
1.0
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
0.02
图4.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
5.0毫秒
二次击穿
有限公司@ T
J
≤
150°C
热极限@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
焊线LIMIT
TIP31A ， TIP32A
曲线适用
TIP31B ， TIP32B
以下为V
首席执行官
TIP31C ， TIP32C
1.0毫秒
100
ms
0.5
0.2
0.1
5.0
10
20
50
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区的安全工作区
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
t
s
′
t
f
@ V
CC
= 30 V
电容（pF）
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s
′
= t
s
1/8 t
f
T
J
= 25°C
300
T
J
= +25°C
200
t
f
@ V
CC
= 10 V
100
70
50
30
0.1
C
eb
C
cb
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
3.0
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20 30 40
图6.开启，关闭时间
图7.电容
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4
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C ， （ NPN ） ， TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C ， （ PNP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
25°C
55
°C
V
CE
= 2.0 V
2.0
T
J
= 25°C
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
I
C
= 0.3 A
1.0 A
3.0 A
100
70
50
30
10
7.0
5.0
0.03 0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
3.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500 1000
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
B
，基极电流（毫安）
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
J
= 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
q
VB
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/2
T
J
-65 ° C至+ 150°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
10
3
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
V
CE
= 30 V
T
J
= 150°C
10
7
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
20
I
C
≈
I
CES
I
C
= 10 ×1
CES
V
CE
= 30 V
100°C
反向
25°C
I
CES
0
+0.1 +0.2
+0.3 +0.4 +0.5
+0.6
前锋
I
C
= 2×我
CES
（典型I
CES
值
购自图12）
40
60
80
100
120
140
160
10
3
0.4 0.3 0.2 0.1
V
BE
，基极发射极电压（伏）
T
J
，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
