集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 1.2伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP31A ， TIP32A
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP31B ， TIP32B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP31C ， TIP32C
高电流增益 - 带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
（ 1 ） IC = 1.8 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 10 V ， RBE = 100
..
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
*最大额定值
REV 1
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
非钳位感应
负载能（ 1）
总功耗
@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
E
符号
R
θJC
R
θJA
TIP31A
TIP32A
60
60
- 65至+ 150
TIP318
TIP32B
2.0
0.016
40
0.32
1.0
3.0
5.0
5.0
80
80
32
3.125
62.5
最大
TIP31C
TIP32C
100
100
_
C / W
_
C / W
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
mJ
_
C
3安培
功率晶体管
补充
硅
60 - 80 - 100伏
40瓦
*摩托罗拉的首选设备
TIP31A
TIP31B*
TIP31C*
PNP
TIP32A
TIP32B*
TIP32C*
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过TIP31A / D
NPN
3–1
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
3–2
VIN 0
VEB （关闭）
集电极截止电流（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
直流电流增益（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
约
+11 V
小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
基射极电压上（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 3.0 ADC ， IB = 375 MADC ）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
开通脉冲
约
+11 V
RB和RC变化，以获得所需的电流水平。
VIN
t2
关断脉冲
电流增益 - 带宽积（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
图2.开关时间等效电路
t1
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
VCC
VIN
PD ，功耗（瓦）
TC
10
20
30
40
0
特征
1.0
2.0
3.0
TA
4.0
0
0
RB
T， TIME （
s)
t3
t1
≤
7.0纳秒
100 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
CJD << CEB
RC
20
– 4.0 V
40
图1.功率降额
60
100
80
T，温度（ ° C）
范围
TC
TA
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP31C
TIP32B ， TIP32C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
0.1
0.3
0.7
0.5
2.0
1.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
120
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
TR @ VCC = 10 V
140
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
冰
的hFE
fT
的hFE
TR @ VCC = 30 V
160
民
60
80
100
3.0
20
25
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
最大
200
200
200
1.8
1.2
1.0
0.3
0.3
0.3
—
50
—
—
—
—
—
IC / IB = 10
TJ = 25°C
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
图3.开启时间
MADC
MADC
3.0
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
（ T） = 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
二次击穿
LIMITED @ TJ
≤
150°C
热极限@ TC = 25°C
（单脉冲）
焊线LIMIT
TIP31A ， TIP32A
曲线适用
TIP31B ， TIP32B
低于额定VCEO
TIP31C ， TIP32C
1.0毫秒
100
s
0.2
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图5.活动区的安全工作区
3.0
2.0
ts
′
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
TF @ VCC = 30 V
300
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
TJ = + 25°C
200
电容（pF）
TF @ VCC = 10 V
100
CEB
70
50
建行
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
3.0
30
0.1
0.2 0.3
10
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
VR ，反向电压（伏）
20 30 40
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3–3
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
VCE = 2.0 V
2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 0.3 A
1.0 A
3.0 A
100
70
50
30
1.2
0.8
10
7.0
5.0
0.5 0.7 1.0
0.03 0.05 0.07 0.1
0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.4
3.0
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
200
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
θ
VB的VBE
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
TJ = - 65 °C至+ 150°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
A)
102
101
100
10–1
10–2
VCE = 30 V
TJ = 150℃
107
IC = 10× ICES
IC
≈
冰
VCE = 30 V
106
105
104
103
102
20
100°C
反向
25°C
冰
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
前锋
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
40
60
80
100
120
140
160
10–3
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
3–4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3–5
TIP 31系列（ TIP31 / 31A / 31B / 31C ）
TIP31/31A/31B/31C
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 31系列（ TIP31 / 31A / 31B / 31C ）
TIP31/31A/31B/31C
中功率线性开关应用
- 补到TIP32 / 32A / 32B / 32C
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
： TIP31
： TIP31A
： TIP31B
： TIP31C
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
等级
40
60
80
100
40
60
80
100
5
3
5
1
2
40
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
PNP外延
硅达林顿
晶体管
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极 - 发射极电压： TIP31
： TIP31A
： TIP31B
： TIP31C
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
： TIP31
： TIP31A
： TIP31B
： TIP31C
集电极截止电流
： TIP31 / 31A
： TIP31B / 31C
集电极截止电流
： TIP31
： TIP31A
： TIP31B
： TIP31C
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
输出电容
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
C
= 30mA时我
B
=0
40
60
80
100
0.3
0.3
200
200
200
200
1
25
10
50
1.2
1.8
3.0
V
V
V
V
V
V
测试条件
民
最大
单位
I
首席执行官
I
CES
V
CE
=30V,I
B
=0
V
CE
=60V,I
B
=0
V
CE
=40V,V
EB
=0
V
CE
=60V,V
EB
=0
V
CE
=80V,V
EB
=0
V
CE
=100V,V
EB
=0
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=4V,I
C
=1A
V
CE
=4V,I
C
=3A
I
C
=3A,I
B
=375mA
V
CE
=4V,I
C
=3A
V
CE
=10V,I
C
=500mA,f=1
*脉冲测试： PW≤300us ，职务Cycle≤2 ％
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 31系列（ TIP31 / 31A / 31B / 31C ）
典型特征
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 31系列（ TIP31 / 31A / 31B / 31C ）
包装尺寸为
TO- 220 （ A）
9.90
±0.20
0
.6
φ3
±0
.2
0
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
2.80
±0.20
9.19
±0.20
6.50
±0.20
13.08
±0.20
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 31系列（ TIP31 / 31A / 31B / 31C ）
包装尺寸为
的TO-220 （B）中
±0.20
φ
4
.8
3
±0
0
.2
4.57
±0.20
1.27
±0.20
15.44
±0.20
2.74
±0.20
9.14
±0.20
6.30
±0.20
2.67
±0.20
13.28
±0.20
1.27
±0.20
2.67
±0.20
0.81
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
TIP31/31A/31B/31C
描述
·采用TO- 220封装
·补键入TIP32 / 32A / 32B / 32C
应用
·中功率线性开关
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（T
C
=25 )
符号
参数
TIP31
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP31A
TIP31B
TIP31C
TIP31
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP31A
TIP31B
TIP31C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
T
a
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
3
5
1
40
2
150
-65~150
V
A
A
A
w
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP31/31A/31B/31C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 1.2伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP31A ， TIP32A
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP31B ， TIP32B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP31C ， TIP32C
高电流增益 - 带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
（ 1 ） IC = 1.8 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 10 V ， RBE = 100
..
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
*最大额定值
REV 1
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
非钳位感应
负载能（ 1）
总功耗
@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
E
符号
R
θJC
R
θJA
TIP31A
TIP32A
60
60
- 65至+ 150
TIP318
TIP32B
2.0
0.016
40
0.32
1.0
3.0
5.0
5.0
80
80
32
3.125
62.5
最大
TIP31C
TIP32C
100
100
_
C / W
_
C / W
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
mJ
_
C
3安培
功率晶体管
补充
硅
60 - 80 - 100伏
40瓦
*摩托罗拉的首选设备
TIP31A
TIP31B*
TIP31C*
PNP
TIP32A
TIP32B*
TIP32C*
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过TIP31A / D
NPN
3–1
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
3–2
VIN 0
VEB （关闭）
集电极截止电流（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
直流电流增益（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
约
+11 V
小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
基射极电压上（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 3.0 ADC ， IB = 375 MADC ）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
开通脉冲
约
+11 V
RB和RC变化，以获得所需的电流水平。
VIN
t2
关断脉冲
电流增益 - 带宽积（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
图2.开关时间等效电路
t1
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
VCC
VIN
PD ，功耗（瓦）
TC
10
20
30
40
0
特征
1.0
2.0
3.0
TA
4.0
0
0
RB
T， TIME （
s)
t3
t1
≤
7.0纳秒
100 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
CJD << CEB
RC
20
– 4.0 V
40
图1.功率降额
60
100
80
T，温度（ ° C）
范围
TC
TA
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP31C
TIP32B ， TIP32C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
0.1
0.3
0.7
0.5
2.0
1.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
120
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
TR @ VCC = 10 V
140
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
冰
的hFE
fT
的hFE
TR @ VCC = 30 V
160
民
60
80
100
3.0
20
25
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
最大
200
200
200
1.8
1.2
1.0
0.3
0.3
0.3
—
50
—
—
—
—
—
IC / IB = 10
TJ = 25°C
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
图3.开启时间
MADC
MADC
3.0
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
（ T） = 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
二次击穿
LIMITED @ TJ
≤
150°C
热极限@ TC = 25°C
（单脉冲）
焊线LIMIT
TIP31A ， TIP32A
曲线适用
TIP31B ， TIP32B
低于额定VCEO
TIP31C ， TIP32C
1.0毫秒
100
s
0.2
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图5.活动区的安全工作区
3.0
2.0
ts
′
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
TF @ VCC = 30 V
300
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
TJ = + 25°C
200
电容（pF）
TF @ VCC = 10 V
100
CEB
70
50
建行
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
3.0
30
0.1
0.2 0.3
10
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
VR ，反向电压（伏）
20 30 40
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3–3
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
VCE = 2.0 V
2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 0.3 A
1.0 A
3.0 A
100
70
50
30
1.2
0.8
10
7.0
5.0
0.5 0.7 1.0
0.03 0.05 0.07 0.1
0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.4
3.0
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
200
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
θ
VB的VBE
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
TJ = - 65 °C至+ 150°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
A)
102
101
100
10–1
10–2
VCE = 30 V
TJ = 150℃
107
IC = 10× ICES
IC
≈
冰
VCE = 30 V
106
105
104
103
102
20
100°C
反向
25°C
冰
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
前锋
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
40
60
80
100
120
140
160
10–3
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
3–4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3–5
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 1.2伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP31A ， TIP32A
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP31B ， TIP32B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP31C ， TIP32C
高电流增益 - 带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
（ 1 ） IC = 1.8 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 10 V ， RBE = 100
..
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
*最大额定值
REV 1
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
非钳位感应
负载能（ 1）
总功耗
@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
E
符号
R
θJC
R
θJA
TIP31A
TIP32A
60
60
- 65至+ 150
TIP318
TIP32B
2.0
0.016
40
0.32
1.0
3.0
5.0
5.0
80
80
32
3.125
62.5
最大
TIP31C
TIP32C
100
100
_
C / W
_
C / W
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
mJ
_
C
3安培
功率晶体管
补充
硅
60 - 80 - 100伏
40瓦
*摩托罗拉的首选设备
TIP31A
TIP31B*
TIP31C*
PNP
TIP32A
TIP32B*
TIP32C*
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过TIP31A / D
NPN
3–1
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
3–2
VIN 0
VEB （关闭）
集电极截止电流（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
直流电流增益（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
约
+11 V
小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
基射极电压上（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 3.0 ADC ， IB = 375 MADC ）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
开通脉冲
约
+11 V
RB和RC变化，以获得所需的电流水平。
VIN
t2
关断脉冲
电流增益 - 带宽积（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
图2.开关时间等效电路
t1
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
VCC
VIN
PD ，功耗（瓦）
TC
10
20
30
40
0
特征
1.0
2.0
3.0
TA
4.0
0
0
RB
T， TIME （
s)
t3
t1
≤
7.0纳秒
100 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
CJD << CEB
RC
20
– 4.0 V
40
图1.功率降额
60
100
80
T，温度（ ° C）
范围
TC
TA
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP32B
TIP31C ， TIP32C
TIP31A ， TIP32A
TIP31B ， TIP31C
TIP32B ， TIP32C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
0.1
0.3
0.7
0.5
2.0
1.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
120
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
TR @ VCC = 10 V
140
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
冰
的hFE
fT
的hFE
TR @ VCC = 30 V
160
民
60
80
100
3.0
20
25
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
最大
200
200
200
1.8
1.2
1.0
0.3
0.3
0.3
—
50
—
—
—
—
—
IC / IB = 10
TJ = 25°C
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
图3.开启时间
MADC
MADC
3.0
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
（ T） = 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
二次击穿
LIMITED @ TJ
≤
150°C
热极限@ TC = 25°C
（单脉冲）
焊线LIMIT
TIP31A ， TIP32A
曲线适用
TIP31B ， TIP32B
低于额定VCEO
TIP31C ， TIP32C
1.0毫秒
100
s
0.2
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图5.活动区的安全工作区
3.0
2.0
ts
′
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
TF @ VCC = 30 V
300
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
TJ = + 25°C
200
电容（pF）
TF @ VCC = 10 V
100
CEB
70
50
建行
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
3.0
30
0.1
0.2 0.3
10
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
VR ，反向电压（伏）
20 30 40
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3–3
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
VCE = 2.0 V
2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 0.3 A
1.0 A
3.0 A
100
70
50
30
1.2
0.8
10
7.0
5.0
0.5 0.7 1.0
0.03 0.05 0.07 0.1
0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.4
3.0
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
200
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
θ
VB的VBE
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
TJ = - 65 °C至+ 150°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
A)
102
101
100
10–1
10–2
VCE = 30 V
TJ = 150℃
107
IC = 10× ICES
IC
≈
冰
VCE = 30 V
106
105
104
103
102
20
100°C
反向
25°C
冰
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
前锋
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
40
60
80
100
120
140
160
10–3
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
3–4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3–5
TO- 220塑料包装
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
博卡半导体公司
TIP31 ， 31A，31B ，31C
TIP32 ， 32A，32B， 32C
通用放大器和开关应用
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
（ BSC）的
塑料NPN功率晶体管
PNP塑料功率晶体管
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
M英寸
14.42
9.63
3.56
M A X 。
N
L
O
1 2 3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DE西方7
A
O
绝对最大额定值
31
32
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
31
32
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
31A 31B
32A 32B
60
80
60
80
3.0
40
150
1.2
10
50
31A 31B
32A 32B
60
80
60
80
5.0
31C
32C
100
100
31C
32C
100
100
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3 A;我
B
= 375毫安
直流电流增益
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
所有的暗淡insions在M M 。
K
V
V
A
W
°C
V
评级
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
V
V
http://www.bocasemi.com
页： 1
TIP31 ， TIP31A ， TIP31B ， TIP31C
TIP32 ， TIP32A ， TIP32B ， TIP32C
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
总功率耗散高达牛逼
C
=25°C
减免上述25℃
总功率耗散高达牛逼
A
=25°C
减免上述25℃
结温
储存温度
热阻
从结点到外壳
从结点到环境
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
B
= 0; V
CE
= 30V
I
B
= 0; V
CE
= 60V
V
BE
= 0; V
CE
= V
CEO （最大值）
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 3 A;我
B
= 375毫安
基极发射极电压
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 1 ; V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
小信号电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1千赫
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1 MHz的
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
R
第j个-C
R
日J-一
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
最大
马克斯。
最大
马克斯。
3.0
5.0
1.0
40
0.32
2
0.016
150
-65到+150
3.125
62.5
A
A
A
W
W
/°C
W
W
/°C
°C
C
°C宽
/
°C宽
/
31 31A 31B 31C
32 32A 32B 32C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
*
V
CBO
V
EBO
V
CESAT
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
FE
*
|h
fe
|
f
T
(1)
最大。 0.3
最大。 -
马克斯。
马克斯。
分钟。 40
分钟。 40
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。
60
60
0.3
–
–
0.3
0.2
1.0
80
80
100
100
–
0.3
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
5.0
1.2
1.8
25
10
50
20
3
兆赫
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2%.
(1) f
T
= |h
fe
| f
TEST
http://www.bocasemi.com
第2页
TIP31 ， TIP31A ... C
NPN
版本2004-06-29
通用晶体管
硅外延PlanarTransistors
NPN
集电极电流 - Kollektorstrom
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
1=B
2=C
3=E
3A
TO-220AB
2.2 g
标准包装管
标准Lieferform在Stangen
最大额定值（T
A
= 25°C)
TIP31
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基电压
无冷却 - 指数ohne Kühlung
与冷却 - 麻省理工学院Kühlung
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
TIP31A
60 V
60 V
5V
2 W
1
)
40 W
3 A（ DC）
5A
1A
150°C
- 65…+ 150°C
TIP31B
80 V
80 V
TIP31C
100 V
100 V
V
CE0
V
EB0
P
合计
40 V
40 V
B开
c打开
B短路V
CES
功耗 - Verlustleistung
T
C
= 25°C P
合计
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
集电极电流 - Kollektorstrom
峰值集电极电流
Kollektor - Spitzenstrom
基极电流 - Basisstrom
结温。 - Sperrschichttemp 。
储存温度。 - Lagerungstemperatur
特性，T
j
= 25°C
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
I
C
= 3 A，I
B
= 375毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
V
CE
= 4 V，I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V，I
C
= 1 A
V
CE
= 4 V，I
C
= 3 A
1
Kennwerte ，T
j
= 25°C
典型值。
–
–
–
–
马克斯。
1.2 V
1.8
–
50
V
CESAT
- V
BEON
h
FE
h
FE
–
–
25
10
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在5毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
26
通用晶体管
TIP31 ， TIP31A ... C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
=额定V
CE0
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 10 V，I
C
= 0.5 A ， F = 1兆赫
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
打开-O FF时间
I
CON
= 1 A,
I
BON
= - I
B关
= 100毫安
t
on
t
关闭
–
–
f
T
3兆赫
TIP31
TIP31A
TIP31B
TIP31C
I
CE0
I
CE0
I
CE0
I
CE0
I
CES
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
300 nA的
300 nA的
300 nA的
300 nA的
200 nA的
H-参数在V
CE
= 10 V，I
C
= 0.5 A ， F = 1千赫
h
fe
20
–
–
–
300纳秒
1 s
–
–
–
62 K / W
1
)
3 K / W
9 ±10％ lb.in.
1 ±10％牛
TIP32 ， TIP32A
TIP32B ， TIP32C
热电阻 - Wrmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到外壳 - Sperrschicht祖Gehuse
安装受理的扭矩
Zulssiges Anzugsdrehmoment
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
R
THA
R
THC
M4
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在5毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
27
QQ：2880707522 复制
