MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP29,A,B,C(NPN)
TIP30,A,B,C(PNP)
1.0安培
补充
广颖电
晶体管
特点
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
标记：型号数量
R
TH （JC）
是4.167
O
C / W ，R
日（ JA ）
为62.5
O
C / W
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
TIP29 ， TIP30
TIP29A ， TIP30A
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
等级
40
60
80
100
5.0
1.0
3.0
0.4
30
0.24
-55到+150
-55到+150
最大
单位
V
V
A
A
W
W/
O
C
O
C
O
C
单位
K
F
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
,
T
英镑
符号
TO-220
B
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
3
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
PEAK
(1)
基极电流连续
总功率耗散@T
C
=25
O
C
减免上述25
O
C
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极电压维持
（注
2)
(I
C
= 30mAdc ，我
B
=0)
TIP29 ， TIP30
TIP29A ， TIP30A
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
发射基截止电流
(V
EB
= 5.0VDC ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=40V, V
EB
=0)
TIP29 ， TIP30
(V
CE
=60V, V
EB
=0)
TIP29A ， TIP30A
(V
CE
=80V, V
EB
=0)
TIP29B ， TIP30B
(V
CE
=100V, V
EB
=0)
TIP29C ， TIP30C
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流，我
B
=0)
TIP29 ， TIP29A ， TIP30 ， TIP30A
(V
CE
= 60Vdc的，我
B
=0)
TIP29B ， TIP29C ， TIP30B ， TIP30C
民
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
CEO （ SUS ）
40
60
80
100
---
---
---
---
---
1.0
VDC
L
V
D
G
N
J
R
I
EBO
I
CES
MADC
---
---
---
---
---
---
200
200
200
200
0.3
0.3
uAdc
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
I
首席执行官
MADC
基本特征
(2)
直流电流增益
(I
C
= 0.2Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
40
---
----
(I
C
= 1.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
15
75
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0Adc ，我
B
=125mAdc)
---
0.7
VDC
V
BE（上）
基射极电压上
VDC
(I
C
=1.0Adc,V
CE
=4.0Adc)
---
1.3
f
T
电流增益带宽积
（注
3)
3.0
---
MH
Z
(I
C
= 200mAdc ，V
CE
=10Vdc,
f=1.0MH
Z
)
h
fe
小信号电流增益
20
---
---
(I
C
= 0.2Adc ，V
CE
= 10V直流， F = 1.0KHz ）
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比<2.0 ％
3.
f
T
=| h
fe
| X F
TEST
h
FE(1)
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
修改：
3
www.mccsemi.com
1第3
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改：
3
3 3
2008/01/01
TIP29 ， 30
高功率双极晶体管
产品特点：
集电极 - 发射极电压 - 可持续
V
CEO （ SUS ）
= 60V （最小值） - TIP29A ， TIP30A
= 100V （最小） - TIP29C ， TIP30C 。
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 0.7V （最大值） ，在我
C
= 1.0A.
电流增益带宽乘积F
T
= 3.0MHz （最低）在我
C
= 200mA的电流
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器（箱） 。
L
M
O
最低
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
NPN
TIP29A
TIP29C
PNP
TIP30A
TIP30C
1.0安培
其他芯片
功率晶体管
40 - 100伏
30瓦
TO-220
外形尺寸：毫米为
第1页
31/05/05 V1.0
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
TIP30/30A/30B/30C
描述
·采用TO- 220封装
·补键入TIP29 / 29A / 29B / 29C
应用
·对于通用电源放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP30
TIP30A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP30B
TIP30C
TIP30
TIP30A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP30B
TIP30C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-80
-100
-5
-1
-3
-0.4
30
150
-65~150
V
A
A
A
w
发射极开路
-80
-100
-40
-60
V
条件
价值
-40
-60
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP30/30A/30B/30C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
TIP30 ， TIP30A ， TIP30B ， TIP30C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP29系列
在25 ° C的温度， 30瓦
1连续集电极电流
3 A峰值集电极电流
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP30
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP30A
TIP30B
TIP30C
TIP30
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP30A
TIP30B
TIP30C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-1
-3
-0.4
30
2
32
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.24的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP30 ， TIP30A ， TIP30B ， TIP30C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP30
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -0.2 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-1 A
-1 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
40
15
75
-0.7
-1.3
V
V
I
B
= 0
TIP30A
TIP30B
TIP30C
TIP30
TIP30A
TIP30B
TIP30C
TIP30/30A
TIP30B/30C
民
-40
-60
-80
-100
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.3
-0.3
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
B
= -125毫安
V
CE
=
-4 V
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.2 A
I
C
= -0.2 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
4.17
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -1 A
V
BE （OFF）的
= 4.3 V
I
B（上）
= -0.1 A
R
L
= 30
民
I
B（关闭）
= 0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.3
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP30 ， TIP30A ， TIP30B ， TIP30C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS632AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS632AE
I
C
= -100毫安
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
h
FE
- 直流电流增益
100
-1·0
10
-0·1
1
-0·001
-0·01
-0·1
-1·0
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
-1000
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·0
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-0·9
TCS632AF
-0·8
-0·7
-0·6
-0·5
-0·01
-0·1
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP30 ， TIP30A ， TIP30B ， TIP30C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS632AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP30
TIP30A
TIP30B
TIP30C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
40
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AB
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP30 ， TIP30A ， TIP30B ， TIP30C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
TIP30系列（ TIP30 / 30A / 30B / 30C ）
TIP30系列（ TIP30 / 30A / 30B / 30C ）
中功率线性开关应用
为了配合TIP29 / 29A / 29B / 29C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： TIP30
： TIP30A
： TIP30B
： TIP30C
1.Base
价值
- 40
- 60
- 80
- 100
- 40
- 60
- 80
- 100
-5
-1
-3
- 0.4
30
2
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压： TIP30
： TIP30A
： TIP30B
： TIP30C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： TIP30
： TIP30A
： TIP30B
： TIP30C
集电极截止电流
： TIP30 / 30A
： TIP30B / 30℃
集电极截止电流
： TIP30
： TIP30A
： TIP30B
： TIP30C
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
CE
= -40V, V
EB
= 0
V
CE
= -60V, V
EB
= 0
V
CE
= -80V, V
EB
= 0
V
CE
= -100V, V
EB
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CE
= -4V ，我
C
= -0.2A
V
CE
= -4V ，我
C
= -1A
I
C
= -1A ，我
B
= -125mA
V
CE
= -4V ，我
C
= -1A
V
CE
= -10V ，我
C
= -200mA
3.0
40
15
-200
-200
-200
-200
-1.0
75
-0.7
-1.3
V
V
兆赫
A
A
A
A
mA
测试条件
I
C
= -30mA ，我
B
= 0
分钟。
-40
-60
-80
-100
-0.3
-0.3
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
I
首席执行官
V
CE
= -30V ，我
B
= 0
V
CE
= -60V ，我
B
= 0
I
CES
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
TIP30系列（ TIP30 / 30A / 30B / 30C ）
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（SAT） [毫伏] ，饱和电压
1000
-10000
V
CE
= -4V
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
100
-1000
V
BE
（SAT）
10
-100
V
CE
（SAT）
1
-1
-10
-100
-1000
-10000
-10
-1
-10
-100
-1000
-10000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
-10
40
35
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
（MAX） （PULSE ）
P
C
[W] ，功率耗散
30
25
s
1m
I
C
（MAX） （DC）的
-1
s
5m
DC
20
15
TIP30 V
首席执行官
马克斯。
TIP30A V
首席执行官
马克斯。
TIP30B V
首席执行官
马克斯。
TIP30C V
首席执行官
马克斯。
-0.1
-10
-100
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
TIP30系列（ TIP30 / 30A / 30B / 30C ）
包装Demensions
TO-220
9.90
±0.20
1.30
±0.10
2.80
±0.10
4.50
±0.20
(8.70)
3.60
±0.10
(1.70)
1.30
–0.05
+0.10
9.20
±0.20
(1.46)
13.08
±0.20
(1.00)
(3.00)
15.90
±0.20
1.27
±0.10
1.52
±0.10
0.80
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
10.08
±0.30
18.95MAX.
(3.70)
)
(45
°
0.50
–0.05
+0.10
2.40
±0.20
10.00
±0.20
单位：毫米
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP29,A,B,C(NPN)
TIP30,A,B,C(PNP)
1.0安培
补充
广颖电
晶体管
特点
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
标记：型号数量
R
TH （JC）
是4.167
O
C / W ，R
日（ JA ）
为62.5
O
C / W
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
TIP29 ， TIP30
TIP29A ， TIP30A
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
等级
40
60
80
100
5.0
1.0
3.0
0.4
30
0.24
-55到+150
-55到+150
最大
单位
V
V
A
A
W
W/
O
C
O
C
O
C
单位
K
F
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
,
T
英镑
符号
TO-220
B
C
S
Q
T
A
U
1 2
H
3
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
PEAK
(1)
基极电流连续
总功率耗散@T
C
=25
O
C
减免上述25
O
C
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极电压维持
（注
2)
(I
C
= 30mAdc ，我
B
=0)
TIP29 ， TIP30
TIP29A ， TIP30A
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
发射基截止电流
(V
EB
= 5.0VDC ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=40V, V
EB
=0)
TIP29 ， TIP30
(V
CE
=60V, V
EB
=0)
TIP29A ， TIP30A
(V
CE
=80V, V
EB
=0)
TIP29B ， TIP30B
(V
CE
=100V, V
EB
=0)
TIP29C ， TIP30C
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流，我
B
=0)
TIP29 ， TIP29A ， TIP30 ， TIP30A
(V
CE
= 60Vdc的，我
B
=0)
TIP29B ， TIP29C ， TIP30B ， TIP30C
民
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
CEO （ SUS ）
40
60
80
100
---
---
---
---
---
1.0
VDC
L
V
D
G
N
J
R
I
EBO
I
CES
MADC
---
---
---
---
---
---
200
200
200
200
0.3
0.3
uAdc
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
I
首席执行官
MADC
基本特征
(2)
直流电流增益
(I
C
= 0.2Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
40
---
----
(I
C
= 1.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
15
75
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0Adc ，我
B
=125mAdc)
---
0.7
VDC
V
BE（上）
基射极电压上
VDC
(I
C
=1.0Adc,V
CE
=4.0Adc)
---
1.3
f
T
电流增益带宽积
（注
3)
3.0
---
MH
Z
(I
C
= 200mAdc ，V
CE
=10Vdc,
f=1.0MH
Z
)
h
fe
小信号电流增益
20
---
---
(I
C
= 0.2Adc ，V
CE
= 10V直流， F = 1.0KHz ）
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比<2.0 ％
3.
f
T
=| h
fe
| X F
TEST
h
FE(1)
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
修订版：A
www.mccsemi.com
1第3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3 3
2011/01/01
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
TIP30/30A/30B/30C
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入TIP29 / 29A / 29B / 29C
应用
For
在通用电源放大器使用
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
参数
TIP30
TIP30A
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP30B
TIP30C
TIP30
TIP30A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP30B
TIP30C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-80
-100
-5
-1
-3
-0.4
30
150
-65~150
V
A
A
A
w
℃
℃
发射极开路
-80
-100
-40
-60
V
条件
价值
-40
-60
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP30/30A/30B/30C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
QQ：2881677436 复制
