TIP29 ， A，B ，C （ NPN ） ， TIP30 ， A，B ，C （ PNP ）
集热器
集热器
BASE
BASE
≈
8.0 k
≈
120
≈
8.0 k
≈
120
辐射源
辐射源
图1.达林顿电路原理图
订购信息
设备
TIP29
TIP29G
TIP29A
TIP29AG
TIP29B
TIP29BG
TIP29C
TIP29CG
TIP30
TIP30G
TIP30A
TIP30AG
TIP30B
TIP30BG
TIP30C
TIP30CG
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
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2
TIP29 ， A，B ，C （ NPN ） ， TIP30 ， A，B ，C （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0） （注2）
TIP29 ， TIP30
TIP29A ， TIP30A
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
V
CEO （ SUS ）
VDC
40
60
80
100
MADC
0.3
0.3
MADC
200
200
200
200
1.0
75
0.7
1.3
MADC
VDC
VDC
兆赫
符号
民
最大
单位
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，V
EB
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 0)
(V
CE
= 80伏，V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注2 ）
直流电流增益（I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
TIP29 ， TIP29A ， TIP30 ， TIP30A
TIP29B ， TIP29C ， TIP30B ， TIP30C
TIP29 ， TIP30
TIP29A ， TIP30A
TIP29B ， TIP30B
TIP29C ， TIP30C
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
h
fe
40
15
3.0
20
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 125 MADC ）
基射极电压上（我
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
动态特性
电流增益
带宽积（注3 ）
(I
C
= 200 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0兆赫）
小信号电流增益（I
C
= 0.2 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%
3. f
T
=
h
fe
f
TEST
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3
TIP29 ， A，B ，C （ NPN ） ， TIP30 ， A，B ，C （ PNP ）
500
300
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
T， TIME （
μ
s)
100
70
50
30
V
CE
= 2.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.5 0.7 1.0
0.05 0.07 0.1
0.3
I
C
，集电极电流（ AMP ）
3.0
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
t
f
@ V
CC
= 30 V
3.0
2.0
t
s
′
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s
′
= t
s
- 1/8 t
f
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 10 V
10
7.0
5.0
0.03
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图2.直流电流增益
图3.关断时间
开通脉冲
约
+11 V
V
in
0
V
EB （O FF ）
t
1
t
3
V
CC
R
C
V
in
R
B
T， TIME （
μ
s)
C
jd
<<
eb
t
1
≤
7.0纳秒
100 <吨
2
＆ LT ; 500
ms
t
3
< 15纳秒
- 4.0 V
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 10 V
约
+11 V
V
in
t
2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
占空比
≈
2.0%
APPROX - 9.0 V
R
B
和R
C
改变以OBTAIN
所需的电流水平。
关断脉冲
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
3.0
图4.开关时间等效电路
图5.开启时间
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
T
J
= 150°C
3.0
dc
0.1
二次击穿有限公司
限热@ T
C
= 25°C
键合丝有限公司
TIP29 ， 30
曲线适用BELOW
TIP29A ， 30A
为V
首席执行官
TIP29B ， 30B
TIP29C ， 30C
0.1
1.0
4.0
20
40
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
5毫秒
1毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
100
图6.活动区安全工作区
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4
TIP29 ， A，B ，C （ NPN ） ， TIP30 ， A，B ，C （ PNP ）
包装尺寸
TO220
CASE 221A -09
发行公司
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.036
0.142
0.161
0.095
0.105
0.110
0.161
0.014
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.91
3.61
4.09
2.42
2.66
2.80
4.10
0.36
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
T
B
4
座位
飞机
F
T
C
S
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
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