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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第599页 > TIP160
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
·达林顿
10A
额定连续集电极电流
应用
For
在汽车点火使用，开关
和电机控制应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
TIP160/161/162
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
电半
固
IN
参数
导½
条件
TIP160
TIP161
发射极开路
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
TIP162
TIP160
TIP161
TIP162
MIC
E
ND
O
OR
UCT
价值
320
350
380
320
350
380
5
10
15
1
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
集电极开路
V
A
A
A
W
℃
℃
基极电流DC
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
125
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
TIP160
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
TIP161
TIP162
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
F
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
二极管的正向电压
TIP160
I
首席执行官
集热器
截止电流
I
C
= 6.5A ，我
B
=0.1A
I
C
= 10A ，我
B
=1A
I
C
= 6.5A ，我
B
=0.1A
I
F
=10A
V
CE
= 320V ，我
B
=0
V
CE
= 350V ，我
B
=0
V
CE
= 380V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
条件
TIP160/161/162
民
320
350
380
典型值。
最大
单位
V
2.8
2.9
2.2
3.5
V
V
V
V
I
EBO
h
FE
固电
IN
导½
半
TIP161
TIP162
发射极截止电流
直流电流增益
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
昂
CH
MIC
ê SE
I
C
= 4A ; V
CE
=2.2V
ND
O
OR
UCT
100
0.3
1.0
mA
mA
200
μs
μs
μs
μs
贮存时间
下降时间
V
CC
= 33 V，I
C
= 6.5 A,
I
B1
=-I
B2
-100毫安
t
p
= 20μS ;职务Cycle≤2.0 ％
1.5
2.3
2.8
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP160/161/162
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·达林顿
· 10A额定连续集电极电流
应用
·对于汽车点火使用，开关
和电机控制应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP160/161/162
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
参数
TIP160
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP161
TIP162
TIP160
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP161
TIP162
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
基极电流DC
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
320
350
380
320
350
380
5
10
15
1
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
TIP160
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
TIP161
TIP162
V
CE
（SAT）
-1
V
CE
（SAT）
-2
V
BE
（SAT）
V
F
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
二极管的正向电压
TIP160
I
首席执行官
集热器
截止电流
TIP161
TIP162
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
I
C
= 6.5A ，我
B
=0.1A
I
C
= 10A ，我
B
=1A
I
C
= 6.5A ，我
B
=0.1A
I
F
=10A
V
CE
= 320V ，我
B
=0
V
CE
= 350V ，我
B
=0
V
CE
= 380V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 4A ; V
CE
=2.2V
I
C
= 10毫安，我
B
=0
条件
符号
TIP160/161/162
民
320
350
380
典型值。
最大
单位
V
2.8
2.9
2.2
3.5
V
V
V
V
1.0
mA
100
200
mA
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 33 V，I
C
= 6.5 A,
I
B1
=-I
B2
-100毫安
t
p
= 20μS ;职务CycleA2.0 ％
0.3
1.5
2.3
2.8
s
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP160/161/162
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
·达林顿
10A
额定连续集电极电流
应用
For
在汽车点火使用，开关
和电机控制应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
TIP160/161/162
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
参数
TIP160
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP161
TIP162
TIP160
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP161
TIP162
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
基极电流DC
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
320
350
380
320
350
380
5
10
15
1
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
TIP160
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
TIP161
TIP162
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
F
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
二极管的正向电压
TIP160
I
首席执行官
集热器
截止电流
TIP161
TIP162
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
I
C
= 6.5A ，我
B
=0.1A
I
C
= 10A ，我
B
=1A
I
C
= 6.5A ，我
B
=0.1A
I
F
=10A
V
CE
= 320V ，我
B
=0
V
CE
= 350V ，我
B
=0
V
CE
= 380V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 4A ; V
CE
=2.2V
I
C
= 10毫安，我
B
=0
条件
TIP160/161/162
民
320
350
380
典型值。
最大
单位
V
2.8
2.9
2.2
3.5
V
V
V
V
1.0
mA
100
200
mA
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 33 V，I
C
= 6.5 A,
I
B1
=-I
B2
-100毫安
t
p
= 20μS ;职务Cycle≤2.0 ％
0.3
1.5
2.3
2.8
μs
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
TIP160/161/162
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
TIP160 ， TIP161 ， TIP162
NPN硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
q
q
q
q
在25 ° C的温度， 50瓦
10 A连续集电极电流
15 A集电极电流峰值
最大V
CE （ SAT ）
2.8 V ，在我
C
= 6.5 A
I
CEX （ SUS）的
7的额定V
（ BR ） CEO
C
2
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
B
1
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP160
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP161
TIP162
TIP160
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
峰值整流反并联二极管的电流（I
B
= 0 ） （见注2 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 100 ℃的外壳温度（见注3 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
TIP161
TIP162
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
320
350
380
320
350
380
5
10
15
10
1
50
3
-65到+150
-65到+150
260
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
V
单位
该值适用于吨
p
≤
10毫秒，占空比
≤
10%.
该值适用于总的集电极端的电流时的集电极处于负电位相对于发射极。
降额直线到150℃情况下，温度以0.4的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为24毫瓦/ ℃的速率。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP160 ， TIP161 ， TIP162
NPN硅功率DARLINGTONS
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - 发射极
维持电流
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
并联二极管
正向电压
V
CE
= 320 V
V
CE
= 350 V
V
CE
= 380 V
V
钳
= V
（ BR ） CEO
V
EB
=
5V
I
C
= 0
I
C
=
4A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
200
2.8
2.9
2.2
3.5
V
V
V
测试条件
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
TIP160
TIP161
TIP162
7
100
A
mA
1
mA
民
典型值
最大
单位
I
CEX （ SUS）的
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
EC
V
CE
= 2.2 V
I
B
=
I
B
=
I
B
=
I
E
=
0.1A
1A
0.1A
10 A
I
C
= 6.5 A
I
C
= 10 A
I
C
= 6.5 A
I
B
= 0
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
C
θ
C
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
案件的热容
1.4
民
典型值
最大
1
41.7
单位
° C / W
° C / W
焦/ ℃，
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= 6.5 A
V
BE （OFF）的
= -5 V
I
B（上）
= 100毫安
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= -100毫安
典型值
40
1.5
2.2
2.6
最大
单位
ns
s
s
s
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP160 ， TIP161 ， TIP162
NPN硅功率DARLINGTONS
1973年6月 - 修订1997年3月
参数测量信息
24 V
Vz
L = 7毫亨
驱动器和
当前
限制
电路
TUT
100
0.22
F
0.2
图1.功能测试电路
16.6毫秒
11.6毫秒
输入
信号
0
IB
BASE
当前
0
IC
集热器
当前
集热器
辐射源
电压
0
VCLAMP
0
24 V
图2.功能测试波形
40 V
0.056
7毫亨
IRF140
BY205-600
V IN = 10 V
1 k
TUT
调整
IB
V夹
47
12 V
图3.开关测试电路
产品
信息
3
TIP160 ， TIP161 ， TIP162
NPN硅功率DARLINGTONS
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -30°C
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10000
TCD160AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
10
I
C
/ I
B
= 65
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCD160AB
h
FE
- 典型的直流电流增益
1000
1·0
100
V
CE
= 2.2 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
10
0·4
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
40
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -30°C
0·1
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
图4中。
图5中。
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
4·0
I
C
/ I
B
= 10
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCD160AD
基射极饱和电压
vs
集电极电流
3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
I
C
/ I
B
= 65
t
p
= 300μS ，占空比< 2 ％
TCP160AC
1·0
1·0
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -30°C
0·4
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
T
C
= -30°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0·6
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
图6 。
图7 。
产品
信息
4
TIP160 ， TIP161 ， TIP162
NPN硅功率DARLINGTONS
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
T
C
≤
100
o
C
SAD160AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
1·0
0.1
直流操作
t
p
= 150毫秒，
d = 1%
t
p
= 5毫秒，
d = 5%
t
p
= 1毫秒，
d=
5%
t
p
= 0.1毫秒，
d=
5%
10
0·01
1·0
TIP160
TIP161
TIP162
100
1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
网络连接gure 8 。
产品
信息
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TLE2071AMU
TC54VC2101EMBRTP
TPS61183RTJT
TL074BCNSR
TPS61045DRBR
TSC80C51-40MA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TIP160
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TIP160
ST
2443+
23000
TO-3P
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