【SavantIC半导体产品speci fi cation硅PNP达林顿功率晶体管描述·采用TO- 3】,IC型号TIP147,TIP147 PDF资料,TIP147经销商,ic,电子元器件-51电子网

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

描述

·采用TO- 3PN封装

·达林顿

·高直流电流增益

·补键入TIP140 /一百四十二分之一百四十一

应用

·专为通用放大器和

低频开关应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

TIP145/146/147

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

绝对最大额定值（ TC = 25 ）

符号

参数

TIP145

V

CBO

集电极 - 基极电压

TIP146

TIP147

TIP145

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

TIP146

TIP147

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流DC

集电极电流峰值

基极电流DC

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-60

-80

-100

-60

-80

-100

-5

-10

-15

-0.5

125

150

-65~150

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻结到外壳

热敏电阻外壳到环境

最大

1.0

35.7

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

TIP145

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

TIP146

TIP147

V

CE

（SAT）

-1

V

CE

（SAT）

-2

V

BE

（SAT）

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

TIP145

I

CBO

集电极截止电流

TIP146

TIP147

TIP145

I

首席执行官

集电极截止电流

TIP146

TIP147

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射极截止电流

直流电流增益

I

C

= -5A ，我

B

=-10mA

I

C

= -10A ，我

B

=-40mA

I

C

= -10A ，我

B

=-40mA

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

V

CB

= -60V ，我

E

=0

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

CB

= -100V ，我

E

=0

V

CE

= -30V ，我

B

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= -50V ，我

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -5A ; V

CE

=-4V

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

I

C

= -30mA ，我

B

=0

条件

符号

TIP145/146/147

民

-60

-80

-100

典型值。

最大

单位

V

-2.0

-3.0

-3.5

-3.0

V

-1

mA

-2

mA

-2

1000

500

mA

开关时间

t

d

t

r

t

英镑

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= -30 V，I

C

= -5.0 A,

I

B

= -20毫安;职务CycleE20 ％

I

B1

= I

B2

, R

C

＆放大器;

B

五花八门，

T

J

= 25

0.15

0.55

2.5

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

包装外形

TIP145/146/147

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

TIP145/146/147

4

TIP142

TIP147

互补功率达林顿晶体管

特点

■

单片达林顿配置

集成的反平行集电极 - 发射极二极管

应用

■

线性和开关工业设备

TO-247

图1 。

2

1

3

描述

这些器件在平面制造

技术与“基地岛”的布局和

单片达林顿配置。由此产生的

晶体管显示出卓越的高增益

再加上非常低饱和度的表现

电压。

内部示意图

R

1

典型值。 = 5 KΩ

R

2

（典型值）。 = 60

Ω

R

1

（典型值）。 = 8千欧

R

2

（典型值）。 = 100

Ω

表1中。

设备简介

记号

TIP142

TIP147

极性

NPN

TO-247

管

PNP

包

包装

产品型号

TIP142

TIP147

2010年5月

文档编号4132版本7

1/8

www.st.com

8

绝对最大额定值

TIP142 ， TIP147

1

绝对最大额定值

表2中。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

J

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗在T

例

= 25 °C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

100

5

10

20

0.5

125

-65到150

150

单位

V

A

W

°C

注意：

对于PNP型电压和电流是负的。

表3中。

符号

R

thJC

热数据

参数

热阻结案件

__max

价值

1

单位

° C / W

2/8

文档编号4132版本7

TIP142 ， TIP147

电气特性

2

电气特性

T

例

= 25°C ;除非另有规定。

表4 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

电气特性

参数

集电极截止电流

(I

E

= 0)

集电极截止电流

(I

B

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压上

直流电流增益

阻性负载

开启时间

打开-O FF时间

测试条件

V

CB

= 100 V

V

CE

= 50 V

V

EB

= 5 V

分钟。

典型值。

马克斯。

1

2

单位

mA

V

CEO(sus)(1)

I

C

= 30毫安

I

C

= 5 A

I

C

= 10 A

I

C

= 10 A

I

C

= 5 A

I

C

= 10 A

I

B

= 10毫安

I

B

= 40毫安

V

CE

= 4 V

V

CE

= 4 V

V

CE

= 4 V

100

2

3

1000

500

0.9

4

V

CE(sat)(1)

V

BE(on)(1)

h

FE(1)

t

on

t

关闭

1.

R

L

= 3

Ω

I

C

= 10 A

I

B1

= -I

B2

= 40毫安

s

脉冲测试：脉冲持续时间

≤

300微秒，占空比

≤

2 %.

注意：

对于PNP型电压和电流是负的。

文档编号4132版本7

3/8

电气特性

TIP142 ， TIP147

2.1

测试电路

图2中。

阻性负载开关测试电路（ NPN型）

1.快速电子开关

2.无感电阻器

网络连接gure 3 。

阻性负载开关测试电路（ PNP型）

1.快速电子开关

2.无感电阻器

4/8

文档编号4132版本7

TIP142 ， TIP147

包装机械数据

3

包装机械数据

为了满足环保要求， ST提供不同档次的这些设备

ECOPACK

包，根据符合环保要求的水平。 ECOPACK

规格，等级定义和产品状态，请访问：

www.st.com 。

ECOPACK

是ST的商标。

文档编号4132版本7

5/8

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

描述

·带

TO- 3PN封装

·达林顿

高

直流电流增益

.Complement

键入TIP140 / 142分之141

应用

·设计

为通用放大器和

低频开关应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

TIP145/146/147

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

绝对最大额定值（ TC = 25

℃

)

符号

参数

TIP145

V

CBO

集电极 - 基极电压

TIP146

TIP147

TIP145

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

TIP146

TIP147

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流DC

集电极电流峰值

基极电流DC

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-60

-80

-100

-60

-80

-100

-5

-10

-15

-0.5

125

150

-65~150

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

R

日J-一

参数

热阻结到外壳

热敏电阻外壳到环境

最大

1.0

35.7

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

TIP145

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

TIP146

TIP147

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

TIP145

I

CBO

集电极截止电流

TIP146

TIP147

TIP145

I

首席执行官

集电极截止电流

TIP146

TIP147

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

发射极截止电流

直流电流增益

I

C

= -5A ，我

B

=-10mA

I

C

= -10A ，我

B

=-40mA

I

C

= -10A ，我

B

=-40mA

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

V

CB

= -60V ，我

E

=0

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

CB

= -100V ，我

E

=0

V

CE

= -30V ，我

B

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= -50V ，我

B

=0

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -5A ; V

CE

=-4V

I

C

= -10A ; V

CE

=-4V

I

C

= -30mA ，我

B

=0

条件

TIP145/146/147

民

-60

-80

-100

典型值。

最大

单位

V

-2.0

-3.0

-3.5

-3.0

V

-1

mA

-2

mA

-2

1000

500

mA

开关时间

t

d

t

r

t

英镑

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= -30 V，I

C

= -5.0 A,

I

B

= -20毫安责任Cycle≤20 ％

I

B1

= I

B2

, R

C

＆放大器;

B

五花八门，

T

J

= 25℃

0.15

0.55

2.5

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

包装外形

TIP145/146/147

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP达林顿功率晶体管

TIP145/146/147

4

TIP140

TIP145

TIP141

TIP146

TIP142

TIP147

NPN

PNP

中央

TM

半导体公司

描述：

中央SEMICONDUCTOR TIP140 ，

TIP145系列类型是互补硅

功率达林顿晶体管制造

外延基地的过程中，设计用于一般

目的放大器和低速开关

应用中的高增益是必需的。

标记：全部型号

广颖电达林顿

互补晶体管

TO- 218晶体管CASE

最大额定值：

(TC=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

VCBO

VCEO

VEBO

IC

ICM

IB

PD

TJ ， TSTG

Θ

JC

TIP140

SYMBOL TIP145

60

TIP141

TIP146

80

5.0

10

20

0.5

125

-65到+150

1.0

TIP142

TIP147

100

单位

V

A

W

°C

° C / W

电气特性：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

典型值

ICBO

ICEO

IEBO

BVCEO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

VF

的hFE

吨

花花公子

VCB =额定VCBO

VCE =

1

/

2

额定VCEO

VEB=5.0V

IC = 30毫安（ TIP140 ， TIP145 ）

IC = 30毫安（ TIP141 ， TIP146 ）

IC = 30毫安（ TIP142 ， TIP147 ）

IC = 5.0A ， IB = 10毫安

IC = 10A ， IB = 40毫安

VCE = 4.0V ， IC = 10A

IF=10A

VCE = 4.0V ， IC = 5.0A

VCE = 4.0V ， IC = 10A

IC=10A,

IB1 = IB2 = 40毫安， RL = 3.0Ω

1000

500

0.9

4.0

60

80

100

最大

1.0

2.0

单位

mA

V

2.0

3.0

2.8

V

μs

R2 （2008年1月）

中央

TM

半导体公司

TIP140

TIP145

TIP141

TIP146

TIP142

TIP147

NPN

PNP

广颖电达林顿

互补晶体管

TO- 218晶体管案例 - 机械外形

前导码：

1）基础

2 ）集电极

3 ）辐射源

注：标签是常见的导致2 。

标记：

全部型号

R2 （2008年1月）

TIP145 ， TIP146 ， TIP147

PNP硅功率DARLINGTONS

1971年12月 - 修订1997年3月

q

专为配套使用带

TIP140 ， TIP141 TIP142和

在25 ° C的温度125瓦

B

SOT- 93封装

（ TOP VIEW ）

1

q

10 A连续集电极电流

最低

FE

1000在4 V， 5 A

C

2

E

3

销2与安装底座的电接触。

MDTRAA

绝对最大额定值

在25℃的情况下的温度（除非另有说明）

等级

TIP145

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

TIP146

TIP147

TIP145

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流（见注1 ）

连续基极电流

连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）

在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）

非钳位电感负载的能量（见注4 ）

工作结温范围

存储温度范围

从案例铅温度3.2毫米10秒

注：1 。

2.

3.

4.

TIP146

TIP147

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

P

合计

½LI

C

T

j

T

英镑

T

L

2

符号

V

CBO

价值

-60

-80

-100

-60

单位

V

首席执行官

-80

-100

-5

-10

-15

-0.5

125

3.5

100

-65到+150

260

V

A

W

mJ

°C

该值适用于吨

p

≤

0.3毫秒，占空比

≤

10%.

降额直线到150℃情况下，温度以1的速率的W / ℃。

线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。

此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我

B（上）

= -5毫安，R

BE

= 100

,

V

BE （OFF）的

= 0, R

S

= 0.1

,

V

CC

= -20 V.

产品

信息

信息为出版日期。产品符合根据规格

随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

1

TIP145 ， TIP146 ， TIP147

PNP硅功率DARLINGTONS

1971年12月 - 修订1997年3月

在25℃的情况下温度的电特性

参数

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

集电极 - 发射极

截止电流

集电极截止

当前

发射极截止

当前

正向电流

传输比

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

电压

并联二极管

正向电压

I

C

= -30毫安

（见注5 ）

V

CE

= -30 V

V

CE

= -40 V

V

CE

= -50 V

V

CB

= -60 V

V

CB

= -80 V

V

CB

= -100 V

V

EB

=

V

CE

=

V

CE

=

-5 V

-4 V

I

B

= 0

I

B

= 0

I

B

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

E

= 0

I

C

= 0

I

C

= -5 A

I

C

= -10 A

I

C

= -5 A

I

C

= -10 A

I

C

= -10 A

I

B

= 0

（见注5和6）

1000

500

-2

-3

-3.5

V

测试条件

TIP145

I

B

= 0

TIP146

TIP147

TIP145

TIP146

TIP147

TIP145

TIP146

TIP147

民

-60

-80

-100

-2

-1

-2

mA

V

典型值

最大

单位

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE

V

EC

I

B

= -10毫安

I

B

= -40毫安

V

CE

=

I

E

=

-4 V

-10 A

注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T

p

= 300微秒，占空比

≤

2%.

6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。

在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性

参数

t

on

t

关闭

测试条件

I

C

= -10 A

V

BE （OFF）的

= 4.2 V

I

B（上）

= -40毫安

R

L

= 3

民

I

B（关闭）

= 40毫安

t

p

= 20微秒，直流

≤

2%

典型值

0.9

11

最大

单位

s

开启时间

打开-O FF时间

显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。

产品

信息

2

TIP145 ， TIP146 ， TIP147

PNP硅功率DARLINGTONS

1971年12月 - 修订1997年3月

典型特征

典型的直流电流增益

vs

集电极电流

V

CE （ SAT ）

- 集电极 - 发射极饱和电压 - V

10000

TCS145AA

集电极 - 发射极饱和电压

vs

集电极电流

-2·0

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

I

B

= I

C

/ 100

-1·5

TCS145AB

h

FE

- 典型的直流电流增益

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

1000

-1·0

-0·5

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

0

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

-20

V

CE

= -4 V

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

100

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

-20

图1 。

图2中。

基射极饱和电压

vs

集电极电流

-3·0

V

BE （ SAT ）

- 基射极饱和电压 - V

T

C

= -40°C

T

C

= 25°C

-2·5 T

C

= 100°C

TCS145AC

-2·0

-1·0

-1·5

-0·5

I

B

= I

C

/ 100

t

p

= 300微秒，占空比< 2 ％

0

-0·5

-1·0

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

-20

网络连接gure 3 。

产品

信息

3

TIP145 ， TIP146 ， TIP147

PNP硅功率DARLINGTONS

1971年12月 - 修订1997年3月

最大安全工作区

最大正向偏置

安全工作区

-100

SAS145AA

I

C

- 集电极电流 - 一个

-10

-1·0

TIP145

TIP146

TIP147

-0·1

-1·0

-10

-100

-1000

V

CE

- 集电极 - 发射极电压 - V

图4中。

热信息

最大功率耗散

vs

外壳温度

140

P

合计

- 最大功耗 - W

TIS140AA

120

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

T

C

- 外壳温度 - C

图5中。

产品

信息

4

TIP145 ， TIP146 ， TIP147

PNP硅功率DARLINGTONS

1971年12月 - 修订1997年3月

机械数据

SOT-93

3 - pin塑料法兰安装型封装

此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的

化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能

当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的

在钎焊组件中使用时，清洗或处理。

SOT-93

4,90

4,70

4,1

4,0

15,2

14,7

3,95

4,15

1,37

1,17

16,2 MAX 。

12,2 MAX 。

31,0 TYP 。

18,0 TYP 。

1

1,30

1,10

2

3

0,78

0,50

11,1

10,8

2,50 TYP 。

以毫米为单位所有长度

注一：中心引脚与安装标签的电接触。

MDXXAW

产品

信息

5

A

A

A

A

PNP外延

TIP145/146

/147

高直流电流增益

硅达林顿晶体管

为了配合TIP140 / 142分之141

SC-65

绝对最大额定值（T

a

=25°C)

C

特征

集电极 - 基

电压： TIP145

： TIP146

： TIP147

集电极 -

EmitterVoltage ： TIP140

： TIP146

： TIP147

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

集电极耗散（ TC = 25

°C

)

结温

储存温度

符号

V

CBO

等级

-60

-80

-100

-60

-80

-100

-5

-10

-15

-0.5

125

150

-50~150

单位

V

A

W

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

T

j

TSTG

°C

永诚电脑配件有限公司，（香港）有限公司。

主页：

http://www.wingshing.com

联系电话：（ 852 ） 2341 9276传真：（ 852 ） 2797 8153

电子信箱： wsccltd@hkstar.com

电气特性（Ta = 25℃）

C

Characterristic

集电极发射极耐受电压： TIP145

： TIP146

： TIP147

收藏家Cuto FF电流

： TIP145

： TIP146

： TIP147

收藏家Cuto FF电流

： TIP145

： TIP146

： TIP147

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基地 - 发射极饱和电压

基地 - 发射极电压

延迟时间

上升时间

贮存时间

秋天

时间

符号

V

CEO （ SUS ）

测试条件

I

C

=-30mA,

I

B

=0

民

60

80

100

典型值

最大

单位

V

mA

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

t

d

t

r

t

s

t

f

V

CE

= -30V ,

I

B

=0

I

B

=0

V

CE

= -40V ,

V

CE

= -50V ,

I

B

=0

I

E

=0

V

CB

= -60V ,

V

CB

= -80V ,

I

E

=0

I

E

=0

V

CB

= -100V ,

I

C

=

0

V

EB

= -5V ,

V

CE

=- 4V ,

I

C

=-5A

V

CE

= -4V ，我

C

=-10A

I

B

=-10mA

I

C

=-5A ,

I

C

= -10A ，我

B

=-40mA

I

C

= -10A ，我

B

=-40mA

V

CE

= -4V ，我

C

=-10A

V

CC

= -30V ，我

C

=-5A

I

B

=-20mA

I

B1

= I

B2

2

1

2

1000

500

2

3

3.5

3

0.15

0.55

2.5

V

S

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过TIP140 / D

达林顿互补

硅功率晶体管

。。。设计用于一般用途的放大器和低频率切换应用程序。

高直流电流增益 - 最小的hFE = 1000 @ IC = 5 A， VCE = 24 V

集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30毫安

VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP140 ， TIP145

VCEO （ SUS） =

80伏直流（最小值） - TIP141 ， TIP146

VCEO （ SUS） =

100伏（最小） - TIP142 ， TIP147

单片式结构，具有内置基射极分流电阻

TIP140

TIP141*

TIP142*

TIP145

TIP146*

TIP147*

*摩托罗拉的首选设备

NPN

PNP

最大额定值

等级

符号

VCEO

VCB

VEB

IC

IB

TIP140

TIP145

60

TIP141

TIP146

80

TIP142

TIP147

100

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

5.0

10

15

连续集电极电流 -

高峰（ 1 ）

基极电流 - 连续

器件总功耗

@ T = 25

_

C

0.5

PD

125

瓦

工作和存储结

温度范围

TJ ， TSTG

- 65至+ 150

10安培

达林顿

其他芯片

功率晶体管

60 - 100伏

125瓦

_

C

热特性

特征

符号

R

θJC

R

θJA

最大

1.0

单位

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到环境

_

C / W

_

C / W

（1） 5毫秒，

v

10 ％的占空比。

35.7

CASE 340D -02

达林顿原理图

NPN

TIP140

TIP141

TIP142

BASE

集热器

PNP

TIP145

TIP146

TIP147

BASE

集热器

≈

8.0 k

≈

40

≈

8.0 k

≈

40

辐射源

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

REV 1

摩托罗拉公司1996年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

1

T， TIME （

s)

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

开关特性

基本特征（ 1 ）

开关特性

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

V2

约

+12 V

V1

appox 。

– 8.0 V

下降时间

贮存时间

上升时间

延迟时间

阻性负载（见图1 ）

基射极电压ON

（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V直流）

基射极饱和电压

（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 5.0 A， IB = 10 mA）的

（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的

直流电流增益

（ IC = 5.0 A， VCE = 4.0 V）

（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V）

发射极截止电流（ VBE = 5.0 V）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 60 V ， IE = 0 ）

（ VCB = 80 V， IE = 0 ）

（VCB = 100V ，IE = 0）的

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）

（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）

（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）

2

RB & RC变化，以获得所需的电流水平

D1 ，必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用IB

≈

百毫安

RC

MSD6100下使用IB

≈

百毫安

TUT

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

0

图1.开关时间测试电路

对于NPN测试电路反向二极管和电压极性。

25

s

（ VCC = 30 V ， IC = 5.0

V

5 0 A,

IB = 20毫安占空比

毫安，

2 0%

2.0%,

IB1 = IB2 ， RC & RB多样， TJ = 25

_

C)

,

)

51

对于TD和TR ， D1断开

和V2 = 0

特征

RB

D1

+ 4.0 V

≈

8.0 k

v

2.0%.

≈

40

VCC

– 30 V

TIP140 ， TIP145

TIP141 ， TIP146

TIP142 ， TIP147

TIP140 ， TIP145

TIP141 ， TIP146

TIP142 ， TIP147

TIP140 ， TIP145

TIP141 ， TIP146

TIP142 ， TIP147

范围

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

ts

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

ICBO

ICEO

IEBO

的hFE

td

ts

tr

tf

0.5

图2.开关时间

1.0

3.0

5.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

1000

500

民

60

80

100

—

tf

TD @ VBE （关闭） = 0

0.55

0.15

典型值

2.5

—

tr

最大

3.0

3.5

2.0

3.0

20

1.0

2.0

—

PNP

NPN

VCC = 30 V

IC / IB = 250

IB1 = IB2

TJ = 25°C

单位

VDC

mA

s

—

10

20

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

典型特征

NPN

TIP140 ， TIP141 ， TIP142

20,000

5000

的hFE ， DC电流增益

TJ = 150℃

的hFE ， DC电流增益

100°C

25°C

– 55°C

1000

10,000

7000

5000

3000

2000

VCE = 4.0 V

7.0

10

1000

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0 4.0 5.0

IC ，集电极电流（ AMPS ）

7.0

10

– 55°C

TJ = 150℃

100°C

25°C

PNP

TIP145 ， TIP146 ， TIP147

2000

500

300

0.5

VCE = 4.0 V

1.0

2.0

3.0 4.0 5.0

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图3.直流电流增益与集电极电流

VCE （ SAT ），集电极 - 发射极饱和电压（伏）

5.0

3.0

2.0

3.0

2.0

IC = 10 A， IB = 4.0毫安

IC = 5.0 A， IB = 10毫安

1.0

IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安

0.7

0.5

– 75

– 50

– 25

0

25

50

75 100 125

TJ ，结温（ ° C）

150

175

IC = 5.0 A， IB = 10毫安

1.0

0.7

0.5

– 75 – 50

– 25

IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安

0

25 50

75 100 125

TJ ，结温（ ° C）

150

175

图4.集电极 - 发射极饱和电压

VBE ，基极发射极电压（伏）

3.6

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

– 75

– 25

25

75

VBE ，基极发射极电压（伏）

4.0

VCE = 4.0 V

4.0

3.6

3.2

2.8

2.4

IC = 10 A

2.0

1.6

1.2

0.8

– 75

– 25

25

75

125

5.0 A

1.0 A

175

VCE = 4.0 V

IC = 10 A

5.0 A

1.0 A

125

175

TJ ，结温（ ° C）

图5.基射极电压

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

3

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

有源区的安全工作区

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

灰比的曲线表示。

20

IC ，集电极电流（ AMP ）（MA ）

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

dc

TJ = 150℃

二次击穿极限

焊线LIMIT

散热的限制， @ TC = 25°C

TIP140 ， 145

TIP141 ， 146

TIP142 ， 147

20

30

50

15

70

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

IC ，集电极电流（ AMPS ）

15

10

7.0

5.0

100兆焦耳

图6中的数据是基于T J （峰） = 150

_

℃; TC是

可变根据条件。在高温情况下temper-

atures ，热限制会降低功率，可以是

处理，以值小于规定的限制

二次击穿。

2.0

0.2

10

1.0

100

0.5 1.0

2.0

5.0

10 20

L，松开电感的负荷（MH ）

50

100

图6.活动区安全工作区

VCE监控

MPS–U52

RBB1

输入

50

1.5 k

RBB2

= 100

VBB2 = 0

VBB1 = 10 V

100毫亨

TUT

VCC = 20 V

IC

MONITOR

RS = 0.1

图7.非钳位电感负载

w

≈

7.0毫秒（见注1）

5.0 V

0

100毫秒

0

输入

电压

集热器

当前

1.42 A

VCE （ SAT ）

– 20 V

集热器

电压

V（ BR ） CER

测试电路

注1：输入脉冲宽度增加，直到ICM = 1.42 A.

注2 ：对于NPN测试电路反向极性。

电压和电流波形

图8.感性负载

100

70

50

PNP

20

10

7.0

5.0

NPN

PNP

NPN

5.0

PD ，功耗（瓦）

VCE = 10 V

IC = 1.0

TJ = 25°C

HFE ，小信号正向电流

传输比

4.0

3.0

2.0

1.0

0

2.0

3.0

5.0

男，频率（MHz）

7.0

10

0

40

80

120

160

TA ，自由空气的温度（ ℃）

200

图9.幅度的共发射极的

小信号短路正向

电流传输比

4

图10.自由空气的温度

功率降额

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

包装尺寸

C

B

Q

E

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

MILLIMETERS

民

最大

–––

20.35

14.70

15.20

4.70

4.90

1.10

1.30

1.17

1.37

5.40

5.55

2.00

3.00

0.50

0.78

31.00 REF

–––

16.20

4.00

4.10

17.80

18.20

4.00 REF

1.75 REF

英寸

民

最大

–––

0.801

0.579

0.598

0.185

0.193

0.043

0.051

0.046

0.054

0.213

0.219

0.079

0.118

0.020

0.031

1.220 REF

–––

0.638

0.158

0.161

0.701

0.717

0.157 REF

0.069

U

S

K

L

1

2

4

A

3

D

V

G

J

H

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

Q

S

U

V

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

CASE 340D -02

问题B

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

5

高直流电流增益 - 最小的hFE = 1000 @ IC = 5 A， VCE = 24 V

集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30毫安

VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP140 ， TIP145

VCEO （ SUS） =

80伏直流（最小值） - TIP141 ， TIP146

VCEO （ SUS） =

100伏（最小） - TIP142 ， TIP147

单片式结构，具有内置基射极分流电阻

（1） 5毫秒，

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

。。。设计用于一般用途的放大器和低频率切换应用程序。

达林顿互补

硅功率晶体管

半导体技术资料

摩托罗拉

热特性

最大额定值

热电阻，外壳到环境

热阻，结到外壳

工作和存储结

温度范围

器件总功耗

@ T = 25

_

C

基极电流 - 连续

连续集电极电流 -

高峰（ 1 ）

发射极 - 基极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

v

10 ％的占空比。

等级

特征

BASE

NPN

TIP140

TIP141

TIP142

≈

8.0 k

符号

TJ ， TSTG

VCEO

VCB

VEB

PD

≈

40

IC

IB

集热器

辐射源

达林顿原理图

符号

TIP140

TIP145

R

θJC

R

θJA

60

- 65至+ 150

TIP141

TIP146

125

0.5

5.0

80

10

15

BASE

PNP

TIP145

TIP146

TIP147

35.7

最大

1.0

TIP142

TIP147

100

≈

8.0 k

_

C / W

_

C / W

瓦

单位

ADC

VDC

_

C

≈

40

集热器

辐射源

10安培

达林顿

其他芯片

功率晶体管

60 - 100伏

125瓦

*摩托罗拉的首选设备

TIP145

TIP146*

TIP147*

TIP140

TIP141*

TIP142*

CASE 340D -01

订购此文件

通过TIP140 / D

NPN

PNP

1

T， TIME （

s)

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

开关特性

基本特征（ 1 ）

开关特性

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

V2

约

+12 V

V1

appox 。

– 8.0 V

下降时间

贮存时间

上升时间

延迟时间

阻性负载（见图1 ）

基射极电压ON

（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V直流）

基射极饱和电压

（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 5.0 A， IB = 10 mA）的

（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的

直流电流增益

（ IC = 5.0 A， VCE = 4.0 V）

（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V）

发射极截止电流（ VBE = 5.0 V）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 60 V ， IE = 0 ）

（ VCB = 80 V， IE = 0 ）

（VCB = 100V ，IE = 0）的

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）

（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）

（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）

2

RB & RC变化，以获得所需的电流水平

D1 ，必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用IB

≈

百毫安

RC

MSD6100下使用IB

≈

百毫安

TUT

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

0

图1.开关时间测试电路

对于NPN测试电路反向二极管和电压极性。

25

s

（ VCC = 30 V ， IC = 5.0 A，

IB = 20 mA时，占空比

2.0%,

IB1 = IB2 ， RC & RB多样， TJ = 25

_

C)

51

对于TD和TR ， D1断开

和V2 = 0

特征

RB

D1

+ 4.0 V

≈

8.0 k

v

2.0%.

≈

40

VCC

– 30 V

TIP140 ， TIP145

TIP141 ， TIP146

TIP142 ， TIP147

TIP140 ， TIP145

TIP141 ， TIP146

TIP142 ， TIP147

TIP140 ， TIP145

TIP141 ， TIP146

TIP142 ， TIP147

范围

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

ts

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

ICBO

ICEO

IEBO

的hFE

td

ts

tr

tf

0.5

图2.开关时间

1.0

3.0

5.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

1000

500

民

60

80

100

—

tf

TD @ VBE （关闭） = 0

0.55

0.15

典型值

2.5

—

tr

最大

3.0

3.5

2.0

3.0

20

1.0

2.0

—

PNP

NPN

VCC = 30 V

IC / IB = 250

IB1 = IB2

TJ = 25°C

单位

VDC

mA

s

—

10

20

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

典型特征

NPN

TIP140 ， TIP141 ， TIP142

20,000

5000

的hFE ， DC电流增益

TJ = 150℃

的hFE ， DC电流增益

100°C

25°C

– 55°C

1000

10,000

7000

5000

3000

2000

VCE = 4.0 V

7.0

10

1000

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0 4.0 5.0

IC ，集电极电流（ AMPS ）

7.0

10

– 55°C

TJ = 150℃

100°C

25°C

PNP

TIP145 ， TIP146 ， TIP147

2000

500

300

0.5

VCE = 4.0 V

1.0

2.0

3.0 4.0 5.0

IC ，集电极电流（ AMPS ）

图3.直流电流增益与集电极电流

VCE （ SAT ），集电极 - 发射极饱和电压（伏）

5.0

3.0

2.0

3.0

2.0

IC = 10 A， IB = 4.0毫安

IC = 5.0 A， IB = 10毫安

1.0

IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安

0.7

0.5

– 75

– 50

– 25

0

25

50

75 100 125

TJ ，结温（ ° C）

150

175

IC = 5.0 A， IB = 10毫安

1.0

0.7

0.5

– 75 – 50

– 25

IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安

0

25 50

75 100 125

TJ ，结温（ ° C）

150

175

图4.集电极 - 发射极饱和电压

VBE ，基极发射极电压（伏）

4.0

3.6

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

– 75

– 25

25

75

125

IC = 10 A

5.0 A

1.0 A

175

VCE = 4.0 V

4.0

3.6

3.2

2.8

2.4

IC = 10 A

2.0

1.6

1.2

0.8

– 75

– 25

25

75

125

5.0 A

1.0 A

175

VCE = 4.0 V

TJ ，结温（ ° C）

图5.基射极电压

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

3

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

有源区的安全工作区

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

灰比的曲线表示。

20

IC ，集电极电流（ AMP ）（MA ）

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

dc

TJ = 150℃

二次击穿极限

焊线LIMIT

散热的限制， @ TC = 25°C

TIP140 ， 145

TIP141 ， 146

TIP142 ， 147

20

30

50

15

70

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

IC ，集电极电流（ AMPS ）

15

10

7.0

5.0

100兆焦耳

图6中的数据是基于T J （峰） = 150

_

℃; TC是

可变根据条件。在高温情况下temper-

atures ，热限制会降低功率，可以是

处理，以值小于规定的限制

二次击穿。

2.0

0.2

10

1.0

100

0.5 1.0

2.0

5.0

10 20

L，松开电感的负荷（MH ）

50

100

图6.活动区安全工作区

VCE监控

MPS–U52

RBB1

输入

50

1.5 k

RBB2

= 100

VBB2 = 0

VBB1 = 10 V

100毫亨

TUT

VCC = 20 V

IC

MONITOR

RS = 0.1

图7.非钳位电感负载

w

≈

7.0毫秒（见注1）

5.0 V

0

100毫秒

0

输入

电压

集热器

当前

1.42 A

VCE （ SAT ）

– 20 V

集热器

电压

V（ BR ） CER

测试电路

注1：输入脉冲宽度增加，直到ICM = 1.42 A.

注2 ：对于NPN测试电路反向极性。

电压和电流波形

图8.感性负载

HFE ，小信号正向电流

传输比

100

70

50

PNP

20

10

7.0

5.0

NPN

PNP

NPN

5.0

PD ，功耗（瓦）

10

VCE = 10 V

IC = 1.0

TJ = 25°C

4.0

3.0

2.0

1.0

0

2.0

3.0

5.0

男，频率（MHz）

7.0

0

40

80

120

160

TA ，自由空气的温度（ ℃）

200

图9.幅度的共发射极的

小信号短路正向

电流传输比

4

图10.自由空气的温度

功率降额

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147

包装尺寸

C

B

Q

E

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

MILLIMETERS

民

最大

19.00

19.60

14.00

14.50

4.20

4.70

1.00

1.30

1.45

1.65

5.21

5.72

2.60

3.00

0.40

0.60

28.50

32.00

14.70

15.30

4.00

4.25

17.50

18.10

3.40

3.80

1.50

2.00

BASE

集热器

辐射源

集热器

英寸

民

最大

0.749

0.771

0.551

0.570

0.165

0.185

0.040

0.051

0.058

0.064

0.206

0.225

0.103

0.118

0.016

0.023

1.123

1.259

0.579

0.602

0.158

0.167

0.689

0.712

0.134

0.149

0.060

0.078

U

S

K

L

1

2

4

A

3

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

Q

S

U

V

D

V

G

J

H

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

CASE 340D -01

TO–218AC

发出

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

5