摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP140 / D
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频率切换应用程序。
高直流电流增益 - 最小的hFE = 1000 @ IC = 5 A， VCE = 24 V
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30毫安
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP140 ， TIP145
VCEO （ SUS） =
80伏直流（最小值） - TIP141 ， TIP146
VCEO （ SUS） =
100伏（最小） - TIP142 ， TIP147
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TIP140
TIP141*
TIP142*
TIP145
TIP146*
TIP147*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PNP
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
TIP140
TIP145
60
60
TIP141
TIP146
80
80
TIP142
TIP147
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
10
15
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
基极电流 - 连续
器件总功耗
@ T = 25
_
C
0.5
PD
125
瓦
工作和存储结
温度范围
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
10安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
60 - 100伏
125瓦
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
1.0
单位
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到环境
_
C / W
_
C / W
（1） 5毫秒，
v
10 ％的占空比。
35.7
CASE 340D -02
达林顿原理图
NPN
TIP140
TIP141
TIP142
BASE
集热器
PNP
TIP145
TIP146
TIP147
BASE
集热器
≈
8.0 k
≈
40
≈
8.0 k
≈
40
辐射源
辐射源
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
T， TIME （
s)
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
开关特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
V2
约
+12 V
V1
appox 。
– 8.0 V
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载（见图1 ）
基射极电压ON
（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V直流）
基射极饱和电压
（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 5.0 A， IB = 10 mA）的
（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的
直流电流增益
（ IC = 5.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V）
发射极截止电流（ VBE = 5.0 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 V ， IE = 0 ）
（ VCB = 80 V， IE = 0 ）
（VCB = 100V ，IE = 0）的
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
2
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
RC
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
TUT
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
图1.开关时间测试电路
对于NPN测试电路反向二极管和电压极性。
25
s
（ VCC = 30 V ， IC = 5.0
V
5 0 A,
IB = 20毫安占空比
毫安，
2 0%
2.0%,
IB1 = IB2 ， RC & RB多样， TJ = 25
_
C)
,
)
51
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
特征
RB
D1
+ 4.0 V
≈
8.0 k
v
v
2.0%.
≈
40
VCC
– 30 V
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
范围
0.1
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
ts
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
td
ts
tr
tf
0.5
图2.开关时间
1.0
3.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
1000
500
民
60
80
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
tf
TD @ VBE （关闭） = 0
0.55
0.15
典型值
2.5
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
tr
最大
3.0
3.5
2.0
3.0
20
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
PNP
NPN
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
mA
mA
s
s
s
s
—
10
20
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
典型特征
NPN
TIP140 ， TIP141 ， TIP142
20,000
5000
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
的hFE ， DC电流增益
100°C
25°C
– 55°C
1000
10,000
7000
5000
3000
2000
VCE = 4.0 V
7.0
10
1000
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0 4.0 5.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
7.0
10
– 55°C
TJ = 150℃
100°C
25°C
PNP
TIP145 ， TIP146 ， TIP147
2000
500
300
0.5
VCE = 4.0 V
1.0
2.0
3.0 4.0 5.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.直流电流增益与集电极电流
VCE （ SAT ） ，集电极 - 发射极饱和电压（伏）
VCE （ SAT ） ，集电极 - 发射极饱和电压（伏）
5.0
5.0
3.0
2.0
3.0
2.0
IC = 10 A， IB = 4.0毫安
IC = 10 A， IB = 4.0毫安
IC = 5.0 A， IB = 10毫安
1.0
IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安
0.7
0.5
– 75
– 50
– 25
0
25
50
75 100 125
TJ ，结温（ ° C）
150
175
IC = 5.0 A， IB = 10毫安
1.0
0.7
0.5
– 75 – 50
– 25
IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安
0
25 50
75 100 125
TJ ，结温（ ° C）
150
175
图4.集电极 - 发射极饱和电压
VBE ，基极发射极电压（伏）
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
– 75
– 25
25
75
VBE ，基极发射极电压（伏）
4.0
VCE = 4.0 V
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
IC = 10 A
2.0
1.6
1.2
0.8
– 75
– 25
25
75
125
5.0 A
1.0 A
175
VCE = 4.0 V
IC = 10 A
5.0 A
1.0 A
125
175
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.基射极电压
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
有源区的安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
20
IC ，集电极电流（ AMP ） （MA ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
dc
TJ = 150℃
二次击穿极限
焊线LIMIT
散热的限制， @ TC = 25°C
TIP140 ， 145
TIP141 ， 146
TIP142 ， 147
20
30
50
15
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
15
10
7.0
5.0
100兆焦耳
图6中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。在高温情况下temper-
atures ，热限制会降低功率，可以是
处理，以值小于规定的限制
二次击穿。
2.0
0.2
10
1.0
100
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
L，松开电感的负荷（MH ）
50
100
图6.活动区安全工作区
VCE监控
MPS–U52
RBB1
输入
50
50
1.5 k
RBB2
= 100
VBB2 = 0
VBB1 = 10 V
100毫亨
TUT
VCC = 20 V
IC
MONITOR
RS = 0.1
图7.非钳位电感负载
w
≈
7.0毫秒（见注1）
5.0 V
0
100毫秒
0
输入
电压
集热器
当前
1.42 A
VCE （ SAT ）
– 20 V
集热器
电压
V（ BR ） CER
测试电路
注1：输入脉冲宽度增加，直到ICM = 1.42 A.
注2 ：对于NPN测试电路反向极性。
电压和电流波形
图8.感性负载
100
70
50
PNP
20
10
7.0
5.0
NPN
PNP
NPN
5.0
PD ，功耗（瓦）
VCE = 10 V
IC = 1.0
TJ = 25°C
HFE ，小信号正向电流
传输比
4.0
3.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
0
2.0
3.0
5.0
男，频率（MHz）
7.0
10
0
40
80
120
160
TA ，自由空气的温度（ ℃）
200
图9.幅度的共发射极的
小信号短路正向
电流传输比
4
图10.自由空气的温度
功率降额
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
–––
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
–––
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
英寸
民
最大
–––
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
–––
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
CASE 340D -02
问题B
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
高直流电流增益 - 最小的hFE = 1000 @ IC = 5 A， VCE = 24 V
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30毫安
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP140 ， TIP145
VCEO （ SUS） =
80伏直流（最小值） - TIP141 ， TIP146
VCEO （ SUS） =
100伏（最小） - TIP142 ， TIP147
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
（1） 5毫秒，
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频率切换应用程序。
达林顿互补
硅功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
热电阻，外壳到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
器件总功耗
@ T = 25
_
C
基极电流 - 连续
连续集电极电流 -
高峰（ 1 ）
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
v
10 ％的占空比。
等级
特征
BASE
NPN
TIP140
TIP141
TIP142
≈
8.0 k
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
≈
40
IC
IB
集热器
辐射源
达林顿原理图
符号
TIP140
TIP145
R
θJC
R
θJA
60
60
- 65至+ 150
TIP141
TIP146
125
0.5
5.0
80
80
10
15
BASE
PNP
TIP145
TIP146
TIP147
35.7
最大
1.0
TIP142
TIP147
100
100
≈
8.0 k
_
C / W
_
C / W
瓦
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
≈
40
集热器
辐射源
10安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
60 - 100伏
125瓦
*摩托罗拉的首选设备
TIP145
TIP146*
TIP147*
TIP140
TIP141*
TIP142*
CASE 340D -01
订购此文件
通过TIP140 / D
NPN
PNP
1
T， TIME （
s)
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
开关特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
V2
约
+12 V
V1
appox 。
– 8.0 V
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载（见图1 ）
基射极电压ON
（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V直流）
基射极饱和电压
（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 5.0 A， IB = 10 mA）的
（ IC = 10 A ， IB = 40 mA）的
直流电流增益
（ IC = 5.0 A， VCE = 4.0 V）
（ IC = 10 A， VCE = 4.0 V）
发射极截止电流（ VBE = 5.0 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 V ， IE = 0 ）
（ VCB = 80 V， IE = 0 ）
（VCB = 100V ，IE = 0）的
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
2
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
RC
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
TUT
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
图1.开关时间测试电路
对于NPN测试电路反向二极管和电压极性。
25
s
（ VCC = 30 V ， IC = 5.0 A，
IB = 20 mA时，占空比
2.0%,
IB1 = IB2 ， RC & RB多样， TJ = 25
_
C)
51
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
特征
RB
D1
+ 4.0 V
≈
8.0 k
v
v
2.0%.
≈
40
VCC
– 30 V
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
范围
0.1
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
ts
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
td
ts
tr
tf
0.5
图2.开关时间
1.0
3.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
1000
500
民
60
80
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
tf
TD @ VBE （关闭） = 0
0.55
0.15
典型值
2.5
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
tr
最大
3.0
3.5
2.0
3.0
20
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
PNP
NPN
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
mA
mA
s
s
s
s
—
10
20
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
典型特征
NPN
TIP140 ， TIP141 ， TIP142
20,000
5000
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
的hFE ， DC电流增益
100°C
25°C
– 55°C
1000
10,000
7000
5000
3000
2000
VCE = 4.0 V
7.0
10
1000
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0 4.0 5.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
7.0
10
– 55°C
TJ = 150℃
100°C
25°C
PNP
TIP145 ， TIP146 ， TIP147
2000
500
300
0.5
VCE = 4.0 V
1.0
2.0
3.0 4.0 5.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.直流电流增益与集电极电流
VCE （ SAT ） ，集电极 - 发射极饱和电压（伏）
VCE （ SAT ） ，集电极 - 发射极饱和电压（伏）
5.0
5.0
3.0
2.0
3.0
2.0
IC = 10 A， IB = 4.0毫安
IC = 10 A， IB = 4.0毫安
IC = 5.0 A， IB = 10毫安
1.0
IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安
0.7
0.5
– 75
– 50
– 25
0
25
50
75 100 125
TJ ，结温（ ° C）
150
175
IC = 5.0 A， IB = 10毫安
1.0
0.7
0.5
– 75 – 50
– 25
IC = 1.0 A， IB = 2.0毫安
0
25 50
75 100 125
TJ ，结温（ ° C）
150
175
图4.集电极 - 发射极饱和电压
VBE ，基极发射极电压（伏）
VBE ，基极发射极电压（伏）
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
– 75
– 25
25
75
125
IC = 10 A
5.0 A
1.0 A
175
VCE = 4.0 V
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
IC = 10 A
2.0
1.6
1.2
0.8
– 75
– 25
25
75
125
5.0 A
1.0 A
175
VCE = 4.0 V
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.基射极电压
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
有源区的安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
20
IC ，集电极电流（ AMP ） （MA ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
dc
TJ = 150℃
二次击穿极限
焊线LIMIT
散热的限制， @ TC = 25°C
TIP140 ， 145
TIP141 ， 146
TIP142 ， 147
20
30
50
15
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
15
10
7.0
5.0
100兆焦耳
图6中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。在高温情况下temper-
atures ，热限制会降低功率，可以是
处理，以值小于规定的限制
二次击穿。
2.0
0.2
10
1.0
100
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
L，松开电感的负荷（MH ）
50
100
图6.活动区安全工作区
VCE监控
MPS–U52
RBB1
输入
50
50
1.5 k
RBB2
= 100
VBB2 = 0
VBB1 = 10 V
100毫亨
TUT
VCC = 20 V
IC
MONITOR
RS = 0.1
图7.非钳位电感负载
w
≈
7.0毫秒（见注1）
5.0 V
0
100毫秒
0
输入
电压
集热器
当前
1.42 A
VCE （ SAT ）
– 20 V
集热器
电压
V（ BR ） CER
测试电路
注1：输入脉冲宽度增加，直到ICM = 1.42 A.
注2 ：对于NPN测试电路反向极性。
电压和电流波形
图8.感性负载
HFE ，小信号正向电流
传输比
100
70
50
PNP
20
10
7.0
5.0
NPN
PNP
NPN
5.0
PD ，功耗（瓦）
10
VCE = 10 V
IC = 1.0
TJ = 25°C
4.0
3.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
0
2.0
3.0
5.0
男，频率（MHz）
7.0
0
40
80
120
160
TA ，自由空气的温度（ ℃）
200
图9.幅度的共发射极的
小信号短路正向
电流传输比
4
图10.自由空气的温度
功率降额
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
包装尺寸
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
19.00
19.60
14.00
14.50
4.20
4.70
1.00
1.30
1.45
1.65
5.21
5.72
2.60
3.00
0.40
0.60
28.50
32.00
14.70
15.30
4.00
4.25
17.50
18.10
3.40
3.80
1.50
2.00
BASE
集热器
辐射源
集热器
英寸
民
最大
0.749
0.771
0.551
0.570
0.165
0.185
0.040
0.051
0.058
0.064
0.206
0.225
0.103
0.118
0.016
0.023
1.123
1.259
0.579
0.602
0.158
0.167
0.689
0.712
0.134
0.149
0.060
0.078
U
S
K
L
1
2
4
A
3
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
D
V
G
J
H
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 340D -01
TO–218AC
发出
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
TIP140/141/142
TIP145/146/147
互补硅功率
达林顿晶体管
s
s
s
s
TIP141 ， TIP142 ， TIP145 TIP147和ARE
意法半导体的优选
SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
单片达林顿
CON组fi guration
综合反平行
集电极 - 发射极二极管
3
2
1
应用
s
线性和开关工业
设备
描述
该TIP140 ， TIP141 TIP142和硅都
外延基极的NPN功率晶体管
单片达林顿配置，安装在
TO- 218塑料封装。他们intented的
在电源线和开关应用程序使用。
互补PNP类型TIP145 ，
TIP146 TIP147和分别。
TO-218
内部原理图
R
1
典型值。 = 5 KΩ
R
2
典型值。 = 150
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
例
≤
25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
TIP140
TIP145
60
60
价值
TIP141
TIP146
80
80
5
10
20
0.5
125
-65到150
150
TIP142
TIP147
100
100
V
V
V
A
A
A
W
o
o
单位
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
2000年3月
1/4
TIP140 / TIP141 / TIP142 / TIP145 / TIP146 / TIP147
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
CBO
参数
集电极截止
电流（I
E
= 0)
集电极截止
电流（I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
为
TIP140/145
为
TIP141/146
为
TIP142/147
为
TIP140/145
为
TIP141/146
为
TIP142/147
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为
TIP140/145
为
TIP141/146
为
TIP142/147
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
B2
= -40毫安
I
B
= 10毫安
I
B
= 40毫安
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
I
B1
= 40毫安
R
L
= 3
1000
500
0.9
4
s
s
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
分钟。
典型值。
马克斯。
1
1
1
2
2
2
2
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
首席执行官
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
*集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （ SAT ）
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
阻性负载
开启时间
打开-O FF时间
60
80
100
2
3
3
V
V
V
V
V
V
t
on
t
关闭
为PNP型的电压和电流值是负的。
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
2/4
TIP140 / TIP141 / TIP142 / TIP145 / TIP146 / TIP147
TO- 218 （ SOT- 93 ）机械数据
mm
分钟。
A
C
D
E
F
G
H
L2
L3
L5
L6
R
–
4
3.95
31
12.2
4.1
–
0.157
0.5
1.1
10.8
14.7
–
18
4.15
0.155
1.220
0.480
0.161
4.7
1.17
2.5
0.78
1.3
11.1
15.2
16.2
0.019
0.043
0.425
0.578
–
0.708
0.163
典型值。
马克斯。
4.9
1.37
分钟。
0.185
0.046
0.098
0.030
0.051
0.437
0.598
0.637
寸
典型值。
马克斯。
0.193
0.054
DIM 。
A
C
L5
L3
L2
L6
D
E
H
F
R
1 2 3
P025A
G
3/4
TIP140 / TIP141 / TIP142 / TIP145 / TIP146 / TIP147
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
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未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
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4/4
TIP140/141/142
TIP140/141/142
整体结构与内置的基线
发射极分流电阻
高直流电流增益：H
FE
= 1000 @ V
CE
= 4V ，我
C
= 5A （最小值）
工业用途
补到TIP145 /一百四十七分之一百四十六
1
TO-3P
NPN外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
： TIP140
： TIP141
： TIP142
价值
60
80
100
60
80
100
5
10
15
0.5
125
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
1.Base 2.Collector 3.Emitter
等效电路
C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压： TIP140
： TIP141
： TIP142
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
B
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
R1
R2
E
R1
8k
R2
0.12k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
集电极 - 发射极电压维持
： TIP140
： TIP141
： TIP142
集电极截止电流
： TIP140
： TIP141
： TIP142
I
CBO
集电极截止电流
： TIP140
： TIP141
： TIP142
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
t
D
t
R
t
英镑
t
F
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 5A
V
CE
= 4V ，我
C
= 10A
I
C
= 5A ，我
B
= 10毫安
I
C
= 10A ，我
B
= 40毫安
I
C
= 10A ，我
B
= 40毫安
V
CE
= 4V ，我
C
= 10A
V
CC
= 30V ，我
C
= 5A
I
B1
= 20mA时，我
B2
= -20mA
R
L
= 6
0.15
0.55
2.5
2.5
1000
500
2
3
3.5
3
V
V
V
V
s
s
s
s
版本A ， 2000年2月
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
60
80
100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
I
首席执行官
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 40V ，我
B
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
2
2
2
1
1
1
2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2000仙童半导体国际
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
TIP140 ， TIP141 ， TIP142
NPN硅功率DARLINGTONS
●
●
●
●
专为配套使用带
TIP145 ， TIP146 TIP147和
在25 ° C的温度125瓦
10 A连续集电极电流
最低
FE
1000在4 V， 5 A
C
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
2
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAAA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
TIP140
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP141
TIP142
TIP140
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
TIP141
TIP142
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
V
CBO
价值
60
80
100
60
单位
V
V
首席执行官
80
100
5
10
15
0.5
125
3.5
100
-65到+150
-65到+150
260
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度以1的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
TIP140 ， TIP141 ， TIP142
NPN硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性
参数
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
并联二极管
正向电压
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
I
E
=
5V
4V
4V
10毫安
40毫安
4V
10 A
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
5A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
1000
500
2
3
3
3.5
V
V
V
测试条件
TIP140
I
B
= 0
TIP141
TIP142
TIP140
TIP141
TIP142
TIP140
TIP141
TIP142
民
60
80
100
2
2
2
1
1
1
2
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
V
EC
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
B
= 0
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 10 A
V
BE （OFF）的
= -4.2 V
I
B（上）
= 40毫安
R
L
= 3
民
I
B（关闭）
= -40毫安
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.9
11
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
TIP140 ， TIP141 ， TIP142 ，
（ NPN型） ; TIP145 ， TIP146 ，
TIP147 ， （ PNP ）
TIP141 ， TIP142 ， TIP146和TIP147是首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
设计用于一般用途的放大器和低频率
开关应用。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
闵
FE
= 1000 @ I
C
= 5.0 A，V
CE
= 4 V
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30毫安
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小） - TIP140 ， TIP145
= 80伏直流（最小值） - TIP141 ， TIP146
= 100伏直流（最小值） - TIP142 ， TIP147
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
- 山顶（注1 ）
基极电流 - 连续
总功耗
@ T
C
= 25_C
工作和存储
结温范围
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
10
15
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
0.5
125
-65到+150
ADC
W
_C
TIP140
TIP145
60
60
TIP141
TIP146
80
80
5.0
TIP142
TIP147
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
10安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
60-100伏， 125瓦
SOT- 93 （ TO- 218 ）
CASE 340D
风格1
标记图
AYWWG
TIP14x
热特性
特征
热阻，
结到外壳
热阻，
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
1.0
35.7
单位
° C / W
° C / W
A
Y
WW
TIP14x
x
G
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
= 0，1 ，2，5 ，6或7
= Pb-Free包装
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. 5毫秒，
v
10 ％的占空比。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年9月 - 修订版5
出版订单号：
TIP140/D
TIP140 ， TIP141 ， TIP142 （ NPN ） ; TIP145 ， TIP146 ， TIP147 ， （ PNP ）
达林顿原理图
NPN
TIP140
TIP141
TIP142
BASE
集热器
PNP
TIP145
TIP146
TIP147
BASE
集热器
≈
8.0 k
≈
40
≈
8.0 k
≈
40
辐射源
辐射源
订购信息
设备
TIP140
TIP140G
TIP141
TIP141G
TIP142
TIP142G
TIP145
TIP145G
TIP146
TIP146G
TIP147
TIP147G
包
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
SOT- 93 （ TO- 218 ）
（无铅）
航运
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
http://onsemi.com
2
TIP140 ， TIP141 ， TIP142 （ NPN ） ; TIP145 ， TIP146 ， TIP147 ， （ PNP ）
T， TIME （
μ
s)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
V
CEO （ SUS ）
VDC
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
60
80
100
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 80 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 100 V，I
E
= 0)
I
首席执行官
mA
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
2.0
2.0
2.0
I
CBO
mA
TIP140 ， TIP145
TIP141 ， TIP146
TIP142 ， TIP147
1.0
1.0
1.0
发射极截止电流（V
BE
= 5.0 V)
I
EBO
20
mA
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 5.0 A，V
CE
= 4.0 V)
(I
C
= 10 A，V
CE
= 4.0 V)
h
FE
1000
500
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 5.0 A，I
B
= 10 mA）的
(I
C
= 10 A，I
B
= 40 mA）的
基射极饱和电压
(I
C
= 10 A，I
B
= 40 mA）的
基射极电压ON
(I
C
= 10 A，V
CE
= 4.0伏）
V
CE （ SAT ）
VDC
2.0
3.0
3.5
3.0
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
VDC
VDC
开关特性
阻性负载
（参见图1）
延迟时间
上升时间
t
d
t
r
0.15
0.55
2.5
2.5
ms
ms
ms
ms
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30 V，I
C
= 5.0 A,
I
B
= 20 mA时，占空比
v
2.0%,
I
B1
= I
B2
, R
C
＆放大器;
B
多样，T
J
= 25_C)
t
s
t
f
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
10
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
R
C
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+12 V
0
V
1
appox 。
8.0 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
， D1断开
和V
2
= 0
V
CC
30 V
5.0
t
s
范围
PNP
NPN
2.0
t
f
1.0
0.5
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.1
0.2
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
10
20
≈
8.0 k
≈
40
0.5
对于NPN测试电路反向二极管和电压极性。
1.0
3.0
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图1.开关时间测试电路
图2.开关时间
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3
TIP140 ， TIP141 ， TIP142 （ NPN ） ; TIP145 ， TIP146 ， TIP147 ， （ PNP ）
典型特征
NPN
TIP140 ， TIP141 ， TIP142
20,000
5000
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
的hFE ， DC电流增益
100°C
25°C
55
°C
1000
10,000
7000
5000
3000
2000
V
CE
= 4.0 V
7.0
10
1000
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0 4.0 5.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
7.0
10
55
°C
T
J
= 150°C
100°C
25°C
PNP
TIP145 ， TIP146 ， TIP147
2000
500
300
0.5
V
CE
= 4.0 V
1.0
2.0
3.0 4.0 5.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
VCE （ SAT ） ，集电极 - 发射极饱和电压（伏）
5.0
VCE （ SAT ） ，集电极 - 发射极饱和电压（伏）
图3.直流电流增益与集电极电流
5.0
3.0
2.0
3.0
2.0
I
C
= 10 A，I
B
= 4.0毫安
I
C
= 10 A，I
B
= 4.0毫安
I
C
= 5.0 A，I
B
= 10毫安
1.0
I
C
= 1.0 A，I
B
= 2.0毫安
0.7
0.5
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
C
= 5.0 A，I
B
= 10毫安
1.0
0.7
0.5
75
50
25
0
25
50
75
I
C
= 1.0 A，I
B
= 2.0毫安
100
125
150
175
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图4.集电极 - 发射极饱和电压
VBE ，基极发射极电压（伏）
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
75
25
25
75
VBE ，基极发射极电压（伏）
4.0
V
CE
= 4.0 V
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
I
C
= 10 A
2.0
1.6
1.2
0.8
75
25
25
75
125
5.0 A
1.0 A
175
V
CE
= 4.0 V
I
C
= 10 A
5.0 A
1.0 A
125
175
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图5.基射极电压
http://onsemi.com
4
TIP140 ， TIP141 ， TIP142 （ NPN ） ; TIP145 ， TIP146 ， TIP147 ， （ PNP ）
有源区的安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
20
IC ，集电极电流（ AMP ） （MA ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
dc
T
J
= 150°C
二次击穿极限
焊线LIMIT
散热的限制， @ T
C
= 25°C
TIP140 ， 145
TIP141 ， 146
TIP142 ， 147
15
20
70
30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
15
10
7.0
5.0
100兆焦耳
2.0
0.2
10
1.0
100
0.5 1.0 2.0
5.0
10 20
L，松开电感的负荷（MH ）
50
100
图6.活动区安全工作区
图7.非钳位电感负载
V
CE
MONITOR
MPSU52
R
BB1
输入
50
50
1.5 k
R
BB2
= 100
V
BB2
= 0
V
BB1
= 10 V
100毫亨
TUT
V
CC
= 20 V
I
C
MONITOR
R
S
= 0.1
输入
电压
集热器
当前
1.42 A
V
CE （ SAT ）
20 V
集热器
电压
V
（ BR ） CER
w
≈
7.0毫秒（见注1）
5.0 V
0
100毫秒
0
测试电路
注1：输入脉冲宽度增加，直到我
CM
= 1.42 A.
注2 ：对于NPN测试电路反向极性。
电压和电流波形
图8.感性负载
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5
TIP140 - TIP141 - TIP142
NPN硅DARLINGTONS ，
硅功率晶体管
它们是在单片达林顿结构的硅外延基NPN型晶体管，并且
安装在TO- 3PN塑料packtage 。
它们设计用于Power线性和开关应用中使用。
互补是TIP145 ， TIP146 ， TIP147 。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
TIP140
TIP141
TIP142
TIP140
TIP141
TIP142
I
C
I
CM
@ T
mb
= 25° C
价值
60
80
100
60
80
100
5.0
10
15
0.5
125
150
-65到+150
单位
V
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
J
T
S
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
储存温度
V
V
A
A
瓦
°C
热特性
符号
R
THJ - MB
评级
热阻结 - 案
价值
1
单位
C / W
30/10/2012
半导体COMSET
1/3
TIP140 - TIP141 - TIP142
机械数据案例TO3PN非隔离塑料包装
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
R
S
T
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
15.20
1.90
4.60
3.10
马克斯。
1600
2.10
5.00
3.30
9.60
2.00
0.55
1.40
5.55
20.20
1.25
2.00
3.00
4.00
4.00
1.80
5.20
BASE
集热器
辐射源
集热器
0.35
5.35
20.00
19.60
0.95
4.80
2012年9月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何
和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
在生命支持设备或系统中的关键组件。
www.comsetsemi.com
30/10/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
3/3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
TIP140/141/142
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
TIP140
TIP145
TIP141
TIP146
TIP142
TIP147
NPN
PNP
中央
TM
半导体公司
描述：
中央SEMICONDUCTOR TIP140 ，
TIP145系列类型是互补硅
功率达林顿晶体管制造
外延基地的过程中，设计用于一般
目的放大器和低速开关
应用中的高增益是必需的。
标记：全部型号
广颖电达林顿
互补晶体管
TO- 218晶体管CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
TIP140
SYMBOL TIP145
60
60
TIP141
TIP146
80
80
5.0
10
20
0.5
125
-65到+150
1.0
TIP142
TIP147
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
ICBO
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
VF
的hFE
的hFE
吨
花花公子
VCB =额定VCBO
VCE =
1
/
2
额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 30毫安（ TIP140 ， TIP145 ）
IC = 30毫安（ TIP141 ， TIP146 ）
IC = 30毫安（ TIP142 ， TIP147 ）
IC = 5.0A ， IB = 10毫安
IC = 10A ， IB = 40毫安
VCE = 4.0V ， IC = 10A
IF=10A
VCE = 4.0V ， IC = 5.0A
VCE = 4.0V ， IC = 10A
IC=10A,
IC=10A,
IB1 = IB2 = 40毫安， RL = 3.0Ω
IB1 = IB2 = 40毫安， RL = 3.0Ω
1000
500
0.9
4.0
60
80
100
最大
1.0
2.0
2.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
2.0
3.0
3.0
2.8
V
V
V
V
μs
μs
R2 （2008年1月）
QQ：2880707522 复制
