TIP131 ， TIP132 （ NPN ）
TIP137 （ PNP ）
首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
设计用于通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
h
FE
= 2500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 80伏直流（最小值） - TIP131
= 100伏直流（最小值） - TIP132 ， TIP137
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 4.0 ADC
= 3.0伏（最大） @我
C
= 6.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
达林顿8安培
其他芯片
功率晶体管
80-100伏， 70瓦
记号
图
4
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
TIP131
80
80
TIP132
TIP137
100
100
TO220AB
CASE 221A
风格1
1
2
3
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
8.0
12
70
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
300
2.0
MADC
W
W
总功率耗散@ T
C
= 25_C
总功率耗散@ T
A
= 25_C
工作和存储结，
温度范围
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
_C
TIP13xG
AYWW
TIP13x
x
A
Y
WW
G
=器件代码
= 1，2，或7
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
TIP131
TIP131G
TIP132
TIP132G
TIP137
TIP137G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
热特性
特征
热阻，
结到外壳
符号
R
QJC
R
qJA
最大
单位
1.78
63.5
° C / W
° C / W
热阻，
结到环境
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 第1版
出版订单号：
TIP131/D
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
基本特征
（注1 ）
开关特性
基射极电压ON
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 16 MADC ）
(I
C
= 6.0 ADC ，我
B
= 30 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
BASE
PNP
TIP137
特征
≈
8.0 k
TIP131 ， TIP132 （ NPN ） ， TIP137 （ PNP ）
图1.达林顿电路原理图
≈
120
集热器
辐射源
http://onsemi.com
TIP131
TIP132 ， TIP137
TIP131
TIP132 ， TIP137
TIP131
TIP132 ， TIP137
NPN
TIP131
TIP132
BASE
≈
8.0 k
≈
120
集热器
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
辐射源
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
500
1000
民
80
100
15000
最大
2.5
2.0
3.0
5.0
0.2
0.2
0.5
0.5
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
2
TIP131 ， TIP132 （ NPN ） ， TIP137 （ PNP ）
T
A
T
C
4.0 80
PD ，功耗（瓦）
3.0 60
T
C
2.0 40
1.0 20
T
A
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
图2.功率降额
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
P
（ PK）
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.78 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图3.热响应
http://onsemi.com
3
TIP131 ， TIP132 （ NPN ） ， TIP137 （ PNP ）
包装尺寸
TO220
CASE 221A -09
ISSUE AA
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
T
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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4
TIP131/D
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