TIP130 ， TIP131 ， TIP132
NPN硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
TIP135 ， TIP136 TIP137和
在25 ° C的温度， 70瓦
8的连续集电极电流
最低
FE
1000在4 V， 4的
B
C
E
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP130
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP131
TIP132
TIP130
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
TIP131
TIP132
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
V
CBO
价值
60
80
100
60
单位
V
V
首席执行官
80
100
5
8
12
0.3
70
2
75
-65到+150
-65到+150
260
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.56的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP130 ， TIP131 ， TIP132
NPN硅功率DARLINGTONS
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
截止电流
I
C
= 30毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= 100 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
C
敖包
V
EC
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
输出电容
并联二极管
正向电压
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
5V
4V
4V
16毫安
30毫安
4V
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= 1 A
I
C
= 4 A
I
C
= 4 A
I
C
= 6 A
I
C
= 4 A
I
E
= 0
I
B
= 0
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
500
1000
15000
2
3
2.5
200
3.5
V
V
pF
V
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
测试条件
TIP130
（见注5 ）
TIP131
TIP132
TIP130
TIP131
TIP132
TIP130
TIP131
TIP132
TIP130
TIP131
TIP132
民
60
80
100
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
1
1
1
5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
首席执行官
V
CB
= 10 V
I
E
=
8A
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
产品
信息
2
TIP130 ， TIP131 ， TIP132
NPN硅功率DARLINGTONS
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
TIP132 / TIP135 / TIP137
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
.
4/4
TRANSYS
电子
L I M I T E
塑料功率晶体管
TIP130
TIP131
TIP132
NPN
TIP135
TIP136
TIP137
PNP
TO-220
塑料包装
线性和开关应用旨在用于
绝对最大额定值（T
a
=25C)
描述
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
连续集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
功率耗散高达牛逼
c
=25C
功率耗散高达牛逼
a
=25C
减免上述25℃
工作和存储结
温度
热阻
结到外壳
结到环境中的自由空气
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
1.78
62.5
摄氏度/ W
摄氏度/ W
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
TIP130/135
60
60
TIP131/136
80
80
5.0
8.0
12
0.3
70
2.0
16
- 65 + 150
TIP132/137
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
毫瓦/℃
C
电气特性（T
c
= 25C除非另有规定）
描述
符号
测试条件
I
首席执行官
V
CE
=半额定V
首席执行官
收藏家切断电流
收藏家切断电流
发射器切断电流
集电极 - 发射极（ SUS ）电压
I
CBO
I
EBO
*V
CEO （ SUS ）
V
CB
=额定V
CBO
V
EB
= 5V ，我
C
=0
I
C
= 30mA时我
B
=0
TIP130/135
TIP131/136
TIP132/137
I
C
= 4A ，我
B
=16mA
I
C
= 6A ，我
B
=30mA
I
C
= 4A ，V
CE
=4V
I
C
= 1A ，V
CE
=4V
I
C
= 4A ，V
CE
=4V
民
最大
0.5
0.2
5.0
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
60
80
100
2.0
3.0
2.5
500
1,000
15,000
集电极发射极饱和
电压
基极发射极电压
直流电流增益
*V
CE （SAT）
*V
BE（上）
*h
FE
*脉冲测试：脉冲width<300μs ，占空比<2 ％
TIP130
TIP131
TIP132
NPN
TIP135
TIP136
TIP137
PNP
TO-220
塑料包装
TO- 220塑料包装
B
H
F
C
E
暗淡
民
最大
14.42
16.51
A
9.63 10.67
B
C
3.56
4.83
—
0.90
D
1.15
E
1.40
3.75
3.88
F
G
2.29
2.79
2.54
3.43
H
—
0.56
J
K
12.70 14.73
2.80
4.07
L
M
2.03
2.92
—
31.24
N
O
7 DEG
在MM都diminsions 。
A
N
L
1
2
3
D
G
K
0
J
M
0
4
1
2
3
TO- 220包装管
LABEL
536.00
±1.5
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
尾销
13.74
设备名称
SR 。
数量。
一ll尺寸（mm）
50件/管
弹药盒大小
6.87
管厚度
LABEL
92.0
.00
538
75.
0
20管/弹药包
1000件/弹药包
包装细节
包
详细
TO-220
200个/
塑料袋
50个/
管
标准包装
净重/
数量
396克/
200个
120克/个
50
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
3.5" X 3.7" X 21.5"
内箱箱
数量
1.0K
1.0K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
16.0K
10.0K
克重量
36公斤
29公斤
32.85
TIP131 ， TIP132 （ NPN ）
TIP137 （ PNP ）
首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
设计用于通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
h
FE
= 2500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 80伏直流（最小值） - TIP131
= 100伏直流（最小值） - TIP132 ， TIP137
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 4.0 ADC
= 3.0伏（最大） @我
C
= 6.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
达林顿8安培
其他芯片
功率晶体管
80-100伏， 70瓦
记号
图
4
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
TIP131
80
80
TIP132
TIP137
100
100
TO220AB
CASE 221A
风格1
1
2
3
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
8.0
12
70
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
300
2.0
MADC
W
W
总功率耗散@ T
C
= 25_C
总功率耗散@ T
A
= 25_C
工作和存储结，
温度范围
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
_C
TIP13xG
AYWW
TIP13x
x
A
Y
WW
G
=器件代码
= 1，2，或7
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
TIP131
TIP131G
TIP132
TIP132G
TIP137
TIP137G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
热特性
特征
热阻，
结到外壳
符号
R
QJC
R
qJA
最大
单位
1.78
63.5
° C / W
° C / W
热阻，
结到环境
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 第1版
出版订单号：
TIP131/D
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
基本特征
（注1 ）
开关特性
基射极电压ON
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 16 MADC ）
(I
C
= 6.0 ADC ，我
B
= 30 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
BASE
PNP
TIP137
特征
≈
8.0 k
TIP131 ， TIP132 （ NPN ） ， TIP137 （ PNP ）
图1.达林顿电路原理图
≈
120
集热器
辐射源
http://onsemi.com
TIP131
TIP132 ， TIP137
TIP131
TIP132 ， TIP137
TIP131
TIP132 ， TIP137
NPN
TIP131
TIP132
BASE
≈
8.0 k
≈
120
集热器
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
辐射源
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
500
1000
民
80
100
15000
最大
2.5
2.0
3.0
5.0
0.2
0.2
0.5
0.5
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
2
TIP131 ， TIP132 （ NPN ） ， TIP137 （ PNP ）
T
A
T
C
4.0 80
PD ，功耗（瓦）
3.0 60
T
C
2.0 40
1.0 20
T
A
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
图2.功率降额
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
P
（ PK）
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.78 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图3.热响应
http://onsemi.com
3
TIP131 ， TIP132 （ NPN ） ， TIP137 （ PNP ）
包装尺寸
TO220
CASE 221A -09
ISSUE AA
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
T
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
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4
TIP131/D
TIP130/131/132
TIP135/136/137
互补硅功率
达林顿晶体管
n
TIP131 ， TIP132 ， TIP135 TIP137和ARE
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
描述
该TIP130 ， TIP131 TIP132和硅都
外延基极的NPN功率晶体管
单片达林顿配置，安装在
JEDEC TO- 220塑料封装。他们intented
在功率线性和开关应用。
互补PNP类型TIP135 ，
TIP136 TIP137和。
TO-220
3
1
2
内部原理图
R
1
典型值。 = 5 KΩ
R
2
典型值。 = 150
绝对最大额定值
SYMB OL
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
s TG
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
牛逼otal耗散在T
酶
≤
25 C
T
AMB
≤
25
o
C
o
VALU ê
牛逼IP130
牛逼IP135
60
60
TIP131
TIP136
80
80
5
8
12
0.3
70
2
-65到150
150
牛逼IP132
牛逼IP137
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
o
o
存储牛逼emperature
马克斯。工作结牛逼emperature
C
C
*对于PNP类型电压和电流值是负的。
1995年10月
1/4
TIP130/TIP131/TIP132/TIP135/TIP136/TIP137
热数据
R
THJ本身-ca
R
thj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.78
63.5
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
Symbo升
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
参数
集电极截止
电流（I
B
= 0)
集电极截止
电流（I
B
= 0)
发射器的截止电流
(I
C
= 0)
牛逼EST刀豆ditio NS
V
CE
=半价格V
首席执行官
V
CB
=半价格V
CBO
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为
牛逼IP130 / 135
为
牛逼IP131 / 136
为
TIP132/137
I
C
= 4 A
I
C
= 6 A
I
C
= 4 A
I
C
= 1 A
I
C
= 4 A
I
B
= 16毫安
I
B
= 30毫安
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
500
1000
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
0.5
0.2
5
单位
mA
mA
mA
V
CEO （ SUS ）
*集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （SAT）
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
60
80
100
2
4
2.5
15000
V
V
V
V
V
V
*对于PNP类型电压和电流值是负的。
2/4
TIP130/TIP131/TIP132/TIP135/TIP136/TIP137
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
E
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
分钟。
0.173
0.048
0.094
4.40
1.23
2.40
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D1
L2
F1
D
G1
DIA 。
F2
F
L5
L7
L6
L9
L4
G
H2
P011C
3/4
TIP130/TIP131/TIP132/TIP135/TIP136/TIP137
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.
4/4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
TIP130/131/132
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
半导体
NPN TIP130 - 131 - 132
硅达林顿功率晶体管
在单片Dalrington电路NPN型外延基区晶体管和容纳在一个TO -220
ENVELOPPE 。
他们intented为线性电源和开关应用。
互补PNP类型TIP135 /一百三十七分之一百三十六
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
CBO
评级
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP130
TIP131
TIP132
TIP130
TIP131
TIP132
价值
60
80
100
60
80
100
5
8
12
0.3
70
2
150
-65到+150
单位
V
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
t
J
t
s
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（ 1 ）
基极电流
功耗
结温
存储温度范围
T
例
t
AMB
V
V
A
A
A
W
°C
@ T
mb
< 25 °
热特性
符号
R
thJC
R
thJA
评级
从结到外壳热阻
从结到自由空气的热阻
价值
1.78
62.5
单位
° C / W
30/10/2012
09/11/2012
半导体COMSET
1/3
半导体
NPN TIP130 - 131 - 132
机械数据案例TO- 220
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
R
S
T
U
9,90
15,65
13,20
6,45
4,30
2,70
2,60
15,75
1,15
3,50
-
0,46
2,50
4,98
2.49
0,70
马克斯。
10,30
15,90
13,40
6,65
4,50
3,15
3,00
17.15
1,40
3,70
1,37
0,55
2,70
5,08
2.54
0,90
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
BASE
集热器
辐射源
集热器
修订后的2012年8月
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09/11/2012
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