TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
产品特点：
设计用于通用放大器和低速开关应用。
集电极 - 发射极电压维持-V
CEO （ SUS ）
= 60V （最小值） - TIP120 ， TIP125
80V （最小） - TIP121 ， TIP126
100V （最小） - TIP122 ， TIP127 。
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
= 2.0V （最大值） ，在我
C
= 3.0A.
整体结构具有内置基极 - 发射极并联电阻。
最低
A
B
C
D
E
F
G
H
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器（案例）
I
J
K
L
M
O
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
NPN
TIP120
TIP121
TIP122
PNP
提示125
提示126
提示127
5.0安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
60 - 100伏
65 WATTS
TO-220
外形尺寸：毫米为
最大额定值
特征
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
-Peak
基极电流
在T总功率耗散
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
TIP120
TIP125
60
TIP121
TIP126
80
5.0
5.0
8.0
120
65
0.52
-65到+150
A
mA
W
W / ℃，
°C
TIP122
TIP127
100
单位
V
热特性
特征
热阻结到外壳
符号
RθJC
最大
1.92
单位
° C / W
第1页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图1降额
电气特性（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
(I
C
= 30mA时我
B
= 0)
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
V
CEO （ SUS ）
60
80
100
-
-
V
符号
最小最大
单位
收藏家切断电流
(V
CE
= 30V ，我
B
= 0)
(V
CE
= 40V ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50V ，我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
CB
= 60V ，我
B
= 0)
(V
CB
= 80V ，我
B
= 0)
(V
CB
= 100V ，我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
EB
= 5.0V ，我
C
= 0)
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.5A ，V
CE
= 3.0V)
(I
C
= 3.0A ，V
CE
= 3.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0A ，我
B
= 12毫安）
(I
C
= 5.0A ，我
B
= 20mA下）
基射极电压上
(I
C
= 3.0A ，V
CE
= 3.0V)
I
首席执行官
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
2.0
mA
I
CBO
-
I
EBO
-
h
FE
1000
1000
-
-
-
-
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
2.0
4.0
2.5
V
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 3.0A ，V
CE
= 4.0V ， F = 1.0MHz的）
输出电容
(V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F =为0.1MHz ） TIP120 ， TIP121 ， TIP122
TIP125 ， TIP126 ， TIP127
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤2.0%
h
fe
C
ob
4.0
-
300
250
-
-
pF
第2页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图 - 2切换时间
图 - 3切换时间
图 - 4小信号电流增益
图 - 5电容
第3页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图 - 6个活动区安全工作区
上有一个晶体管的功率处理能力，有两个限制：
平均结温及第二击穿安全工作
区曲线表明IC -V
CE
该晶体管的极限是一定不能
承受更大功耗比曲线显示。
图的数据 - 6是基于T
J（下PK）
= 150℃ ;吨
c
是可变的
根据功率电平。其次，脉细数限制是有效的
的占空比以10％的假定T
J
（ PK）
≤150°C,
在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率，可以是
处理，以值小于第二规定的限制
击穿。
图 - 7直流电流增益
图 - 8集电极饱和区
第4页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图 - 9 “ ON”电压不
特定网络阳离子
I
C
A
V
首席执行官
（最大）
V
60
5
80
100
1000
65
TO-220
h
FE
最低
在我
c
= 3A
P
合计
at
25°C
W
产品型号
包
NPN
TIP120
TIP121
TIP122
PNP
TIP125
TIP126
TIP127
第5页
30/05/05 V1.0
TIP125/126/127
TIP125/126/127
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP125/126/127
TIP125/126/127
整体结构与内置的
基极发射极分流电阻
- 高直流电流增益： hFE参数= 1000 @ VCE = -4V ， IC = -3A （最小值）
- 集电极发射极耐受电压
- 低集电极 - 发射极饱和电压
- 工业用
- 为了配合TIP120 /一百二十二分之一百二十一
PNP外延
硅达林顿
晶体管
等效电路
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
： TIP125
： TIP126
： TIP127
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
等级
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-5
-8
-120
2
65
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
W
W
℃
℃
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极 - 发射极电压： TIP125
： TIP126
： TIP127
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
： TIP125
： TIP126
： TIP127
集电极截止电流
： TIP125
： TIP126
： TIP127
集电极截止电流
： TIP125
： TIP126
： TIP127
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
C
= -100mA ，我
B
=0
-60
-80
-100
-2
-2
-2
-1
-1
-1
-2
1000
1000
-2
-4
-2.5
300
V
V
V
V
V
V
测试条件
民
最大
单位
I
首席执行官
V
CE
= -30V ，我
B
=0
V
CE
= -40V ，我
B
=0
V
CE
= -50V ，我
B
=0
I
CBO
V
CE
= -60V ，我
E
=0
V
CE
= -80V ，我
E
=0
V
CE
= -100V ，我
E
=0
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
C
ob
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -3V ，我
C
= -0.5A
V
CE
= -3V ，我
C
= -3A
I
C
= -3A ，我
B
= -12mA
I
C
= -5A ，我
B
= -20mA
V
CE
= -3V ，我
C
= -3A
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f =为0.1MHz
*脉冲测试： PW≤300us ，职务Cycle≤2 ％
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP125/126/127
典型特征
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP125/126/127
包装尺寸为
TO- 220 （ A）
9.90
±0.20
0
.6
φ3
±0
.2
0
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
2.80
±0.20
9.19
±0.20
6.50
±0.20
13.08
±0.20
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP125/126/127
包装尺寸为
的TO-220 （B）中
±0.20
φ
4
.8
3
±0
0
.2
4.57
±0.20
1.27
±0.20
15.44
±0.20
2.74
±0.20
9.14
±0.20
6.30
±0.20
2.67
±0.20
13.28
±0.20
1.27
±0.20
2.67
±0.20
0.81
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
TIP127
PNP晶体管外延
描述
在UTC
TIP127
是PNP外延晶体管，为设计
在通用放大器低速开关的应用程序使用。
PNP硅晶体管
等效试验
(R
1
≈8k,
R
2
≈0.12k)
C
B
R1
R2
E
订购信息
订购数量
无铅
无卤
TIP127L-T60-K
TIP127G-T60-K
TIP127L-TA3-T
TIP127G-TA3-T
包
TO-126
TO-220
引脚分配
1
2
3
E
C
B
B
C
E
填料
体积
管
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R203-005,D
TIP127
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
PNP硅晶体管
绝对最大额定值
(T
a
= 25 ° C，除非另有规定编）
评级
单位
100
V
100
V
5
V
5
A
TO-126
40
W
功耗
P
D
TO-220
65
W
结温
T
J
150
°C
工作温度
T
OPR
-20 ~ +85
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值超出该设备将被永久损坏的值。
绝对最大额定值仅是收视率的压力，这是不是暗示了功能设备操作。
电气特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
(T
a
= 25 ℃，除非另有规定）
测试条件
I
C
=100mA
V
CB
=100V
V
CE
=50V
V
EB
=5V
I
C
= 3A ，我
B
=12mA
I
C
= 5A ，我
B
=20mA
V
CE
= 3V ，我
C
=3A
I
C
= 500毫安，V
CE
=3V
I
C
= 3A ，V
CE
=3V
最小典型最大单位
100
V
200微安
500微安
2
mA
2
V
4
V
2.5
V
1
K
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE(SAT)1
V
CE(SAT)2
V
BE（上）
h
FE
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R203-005,D
TIP127
典型特征
PNP硅晶体管
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R203-005,D
TIP127
典型特征（续）
PNP硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R203-005,D
内容
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 ， TIP125 ， TIP126 ， TIP127
内容
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
3
4
5
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/13
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 ， TIP125 ， TIP126 ， TIP127
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
(1)
参数
NPN
PNP
TIP120
TIP125
60
60
价值
TIP121
TIP126
80
80
5
5
8
0.12
65
2
-65到150
°C
马克斯。工作结温
150
TIP122
TIP127
100
100
V
V
V
A
A
A
W
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
J
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
c
≤
25 °C
T
AMB
≤
25 °C
储存温度
1.适用于PNP型电压和电流的值是负的。
表3中。
符号
热数据
参数
价值
1.92
° C / W
62.5
单位
R
THJ情况
热阻结案件最大。
R
THJ - AMB
热阻结到环境最大。
3/13
电气特性
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 ， TIP125 ， TIP126 ， TIP127
2
电气特性
(T
例
= 25
° ℃;除非另有规定）
表4 。
符号
电气特性
(1)
参数
集电极截止电流
(I
B
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
测试条件
为TIP120 / 125
为TIP121 / 126
为TIP122 / 127
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
2
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
首席执行官
I
CBO
为TIP120 / 125
V
CE
= 60 V
为TIP121 / 126
V
CE
= 80 V
为TIP122 / 127 V
CE
= 100 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为TIP120 / 125
为TIP121 / 126
为TIP122 / 127
I
C
= 3 A
I
C
= 5 A
I
C
= 3 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 3 A
I
B
= 12毫安
I
B
= 20毫安
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V 1000
V
CE
= 3 V 1000
I
EBO
V
CEO(sus)(2)
60
80
100
2
4
2.5
V
V
V
V
V
V
V
CE(sat)(2)
V
BE(on)(2)
h
FE(2)
1.适用于PNP型电压和电流的值是负的。
2，脉冲持续时间= 300微秒，占空比
≤
2%
4/13
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 ， TIP125 ， TIP126 ， TIP127
电气特性
2.1
图2中。
电特性（曲线）
安全工作区
网络连接gure 3 。
降额曲线
图4中。
直流电流增益的NPN型
AM00696v1
图5中。
直流电流增益PNP型
AM00697v1
h
FE
h
FE
1000
TJ = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
100
V
CE
=
3
V
1000
TJ = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
V
CE
= -3 V
100
10
0.01
0.1
1
IC （ A）
10
-0.01
-0.1
-1
IC （ A）
图6 。
集电极 - 发射极饱和电压如图7所示。
为NPN型
AM00698v1
集电极 - 发射极饱和电压
对于PNP型
AM00699v1
V
CE （ SAT ）
(V)
h
FE
= 250
1.4
V
CE （ SAT ）
(V)
h
FE
= 250
-1.4
1
-1
0.6
TJ = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
1
IC （ A）
-0.6
TJ = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
-1
IC （ A）
0.2
0.1
-0.2
-0.1
5/13
TIP120系列
PNP / NPN硅功率晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
1
产品特点：
*中功率互补硅晶体管
* TIP120,121,122达林顿晶体管（ NPN ）
* TIP125,126,127达林顿晶体管（ PNP ）
2
3
1.基地
2.收集
3.辐射源
TO-220
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
R
θJC
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
热阻结到环境
热阻结到外壳
结温
储存温度
TIP120
TIP125
60
60
TIP121
TIP126
80
80
5
5
2
62.5
1.92
150
-55-150
TIP122
TIP127
100
100
单位
V
V
V
A
W
℃/W
℃/W
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
TIP120,TIP125
集电极 - 基极击穿电压
TIP121,TIP126
TIP122,TIP127
TIP120,TIP125
集电极 - 发射极击穿电压
TIP121,TIP126
TIP122,TIP127
集电极截止电流
TIP120,TIP125
TIP121,TIP126
TIP122,TIP127
TIP120,TIP125
TIP121,TIP126
TIP122,TIP127
符号
V
（ BR ） CBO
TEST
条件
民
60
80
100
60
80
100
最大
单位
V
I
C
= 1mA时，我
E
=0
V
CEO （ SUS ）
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
CE
= 30V ，我
B
=0
V
CE
= 40V ，我
B
=0
V
CE
= 50V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=0.5A
V
CE
= 3V ，我
C
=3A
I
C
= 3A ，我
B
=12mA
I
C
= 5A ，我
B
=20mA
V
CE
= 3V ，我
C
=3A
V
CB
= 10V ，我
E
=0A
F =为0.1MHz
V
I
CBO
0.2
mA
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
0.5
2
1000
1000
2
4
2.5
300
200
mA
mA
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE(2)
V
CE （SAT）
V
BE
TIP125,TIP126,TIP127
TIP120,TIP121,TIP122
C
ob
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
输出电容
V
V
pF
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
19-Aug-10
TIP120系列
典型特征
TIP120,121,122,125,126,127
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
19-Aug-10
TIP120系列
TO- 220外形尺寸
单位：mm
D
F
A
C1
TO-220
暗淡
A
A1
B
B1
C
C1
D
E
E1
G
G1
F
H
L
L1
Φ
H
E1
E
B1
B
L
L1
A1
G
G1
C
米
米斧
4.67
4.47
2.82
2.52
0.91
0.71
1.37
1.17
0.53
0.31
1.37
1.17
10.31
10.01
8.90
8.50
12.06
12.446
2.54 TYP
4.98
5.18
2.89
2.59
0.30
0.00
13.4
13.8
3.96
3.56
3.93
3.73
魏TRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
19-Aug-10
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
（ NPN型） ; TIP125 ， TIP126 ，
TIP127 （ PNP ）
首选设备
塑料中功率
其他芯片
晶体管
设计用于通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
= 2500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小） - TIP120 ， TIP125
= 80伏直流（最小值） - TIP121 ， TIP126
= 100伏直流（最小值） - TIP122 ， TIP127
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
= 4.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
无铅包可用*
h
FE
达林顿
5安培
其他芯片
功率晶体管
60-80-100伏， 65沃茨
记号
图
4
1
TO-220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP12xG
AYWW
TIP12x
x
A
Y
WW
G
=器件代码
= 0，1 ，2，5 ，6或7
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 修订版7
出版订单号：
TIP120/D
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
TIP120,
TIP125
60
60
TIP121,
TIP126
80
80
TIP122,
TIP127
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
5.0
8.0
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
120
MADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
°C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
P
D
P
D
E
65
0.52
2.0
0.016
50
非钳位感性负载能量（注1 ）
工作和存储结，温度范围
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
最大
1.92
62.5
单位
热阻，结到外壳
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. I
C
= 1 ， L = 100 mH的， P.R.F. = 10赫兹，V
CC
= 20 V ，R
BE
= 100
W
订购信息
设备
TIP120
TIP120G
TIP121
TIP121G
TIP122
TIP122G
TIP125
TIP125G
TIP126
TIP126G
TIP127
TIP127G
包
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
2
PD ，功耗（瓦）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1 MHz的
小信号电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极电压上
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 12 MADC ）
(I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 20 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
特征
1.0 20
2.0 40
3.0 60
T
A
T
C
4.0 80
0
0
0
20
http://onsemi.com
40
图1.功率降额
TIP125 ， TIP126 ， TIP127
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
60
80
100
T，温度（ ° C）
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
T
A
3
T
C
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
C
ob
h
FE
h
fe
140
160
1000
1000
民
60
80
100
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
200
2.5
2.0
4.0
2.0
0.2
0.2
0.2
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
-
-
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
-
-
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
5.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
V
2
约
+ 8.0 V
0
V
1
约
-12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+ 4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
V
CC
- 30 V
R
C
3.0
2.0
范围
t
s
PNP
NPN
TUT
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
t
f
≈
8.0 k
≈
120
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
0.2
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
P
（ PK）
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图4.热响应
http://onsemi.com
4
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
500
ms
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
1毫秒
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
5毫秒
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
100
ms
0.05
0.02
1.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150℃。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过二次击穿所施加的限制
图5.活动区安全工作区
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
T
C
= 25°C
V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC
C，电容（pF ）
300
T
J
= 25°C
200
C
ob
100
70
50
PNP
NPN
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
C
ib
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
30
0.1
图6.小信号电流增益
图7.电容
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
