半导体
技术规格
RECTRON
TIP125
TO- 220 - 塑料PNP功率晶体管
TO - 220
单位:毫米
$ EVROXWH 0D [? 5DWLQJV ? 7D ? R&
&ROOHFWRU ? EDVH YROWDJH ? RSHQ HPLWWHU
&ROOHFWRU ? HPPLWRU YROWDJH ? RSHQ EDVH
&ROOHFWRU FXUUHQW
7RWDO 3RZHU “ LVVLSDWLRQ XS WR 7
-XQFWLRQ 7HPSHUDWXUH
&ROOHFWHU ? HPLWWHU VDWXUDWLRQ YROWDJH ,
' ? & ? FXUUHQW JDLQ ,
8
p
8
6\PERO
9
9
8 7P
5DWLQJV
PD [I
PD [I
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PD [I
PD [I
PLQ
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9
9
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9
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3
8
7
7
w
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9
K
A @
&KDUD ? 5DWLQJV
? H 18 Uh2 ! $ ?? 8A ????年? ?? - 答????乌尔???? V ? RA ???? RP VS VRQ ?
&ROOHFWRU ? EDVH YROWDJH ? RSHQ HPLWWHU
&ROOHFWRU ? HPLWWHU YROWDJH ? RSHQ EDVH
( PLWWHU ? EDVH YROWDJH ? RSHQ FROOHFWRU
&ROOHFWRU FXUUHQW
% DVH FXUUHQW
7RWDO SRZHU GLVVLSDWLRQ XS WR 7&
“ HEUDWH DERYH ???? &
7RWDO SRZHU GLVVLSDWLRQ XS WR 70亿
“ HEUDWH DERYH ???? &
6WRUDJH WHPSHUDWXUH
-XQFWLRQ WHPSHUDWXUH
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6\PERO
9
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9
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9
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8
,
8 H
,
7
3
万国邮联
3
万国邮联
7
TUB
7
E
PD [I
PD [I
PD [I
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9
8 7P
5DWLQJV
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PD [I
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PLQ
PLQ
PLQ
PD [I
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PLQ
PLQ
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P$
,
,
,
,
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9
9
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87
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@
87
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P$
7
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7
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8 @P
( PLWWHU FXW ? RII FXUUHQW
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9
,
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@7
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P$
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.
% UHDNGRZQ 9ROWDJHV
P$ ,
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K
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,
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K
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6PDOO VLJQDO FXUUHQW JDLQ
$ 9
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,
8
8@
PLQ
PD [I
2XWSXW &DSDFLWDQFH DW我
9
9
,
@
87
0+]
&放大器;
P
S)
3XOVH WHVW ? SXOVH ZLGWK
≤
V ? GXW \\ F \\ FOH
≤
7+ ( $ 50/ 5 ( 6,67 1&美元(
) URP MXQFWLRQ WR DPELHQW
) URP MXQFWLRQ WR FDVH
5
5
?? UAW 2 H
?? UAW ? P
°
& ? :
°
& ? :
RECTRON
TIP125/126/127
TIP125/126/127
◎
SEMIHOW REV.A0 , 2007年10月
TIP125/126/127
TIP125/126/127
整体结构与内置的
基极发射极分流电阻
- 高直流电流增益: hFE参数= 1000 @ VCE = -4V , IC = -3A (最小值)
- 集电极发射极耐受电压
- 低集电极 - 发射极饱和电压
- 工业用
- 为了配合TIP120 /一百二十二分之一百二十一
PNP外延
硅达林顿
晶体管
等效电路
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
: TIP125
: TIP126
: TIP127
T
a
= 25° ,除非另有说明
符号
V
CBO
等级
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-5
-8
-120
2
65
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
W
W
℃
℃
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极 - 发射极电压: TIP125
: TIP126
: TIP127
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散( TA = 25 ℃ )
集电极耗散( TC = 25 ℃ )
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
: TIP125
: TIP126
: TIP127
集电极截止电流
: TIP125
: TIP126
: TIP127
集电极截止电流
: TIP125
: TIP126
: TIP127
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
T
a
= 25° ,除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
I
C
= -100mA ,我
B
=0
-60
-80
-100
-2
-2
-2
-1
-1
-1
-2
1000
1000
-2
-4
-2.5
300
V
V
V
V
V
V
测试条件
民
最大
单位
I
首席执行官
V
CE
= -30V ,我
B
=0
V
CE
= -40V ,我
B
=0
V
CE
= -50V ,我
B
=0
I
CBO
V
CE
= -60V ,我
E
=0
V
CE
= -80V ,我
E
=0
V
CE
= -100V ,我
E
=0
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
C
ob
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -3V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= -3V ,我
C
= -3A
I
C
= -3A ,我
B
= -12mA
I
C
= -5A ,我
B
= -20mA
V
CE
= -3V ,我
C
= -3A
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f =为0.1MHz
*脉冲测试: PW≤300us ,职务Cycle≤2 %
◎
SEMIHOW REV.A0 , 2007年10月
TIP125/126/127
典型特征
◎
SEMIHOW REV.A0 , 2007年10月
TIP125/126/127
包装尺寸为
TO- 220 ( A)
9.90
±0.20
0
.6
φ3
±0
.2
0
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
2.80
±0.20
9.19
±0.20
6.50
±0.20
13.08
±0.20
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
单位:毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 , 2007年10月
TIP125/126/127
包装尺寸为
的TO-220 (B)中
±0.20
φ
4
.8
3
±0
0
.2
4.57
±0.20
1.27
±0.20
15.44
±0.20
2.74
±0.20
9.14
±0.20
6.30
±0.20
2.67
±0.20
13.28
±0.20
1.27
±0.20
2.67
±0.20
0.81
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.40
±0.20
单位:毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 , 2007年10月
TIP120 ,121, 122 , 125 ,126, 127
达林顿晶体管
产品特点:
设计用于通用放大器和低速开关应用。
集电极 - 发射极电压维持-V
CEO ( SUS )
= 60V (最小值) - TIP120 , TIP125
80V (最小) - TIP121 , TIP126
100V (最小) - TIP122 , TIP127 。
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
= 2.0V (最大值) ,在我
C
= 3.0A.
整体结构具有内置基极 - 发射极并联电阻。
最低
A
B
C
D
E
F
G
H
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器(案例)
I
J
K
L
M
O
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
NPN
TIP120
TIP121
TIP122
PNP
提示125
提示126
提示127
5.0安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
60 - 100伏
65 WATTS
TO-220
外形尺寸:毫米为
最大额定值
特征
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
-Peak
基极电流
在T总功率耗散
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
TIP120
TIP125
60
TIP121
TIP126
80
5.0
5.0
8.0
120
65
0.52
-65到+150
A
mA
W
W / ℃,
°C
TIP122
TIP127
100
单位
V
热特性
特征
热阻结到外壳
符号
RθJC
最大
1.92
单位
° C / W
第1页
30/05/05 V1.0
TIP120 ,121, 122 , 125 ,126, 127
达林顿晶体管
图1降额
电气特性(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
(I
C
= 30mA时我
B
= 0)
TIP120 , TIP125
TIP121 , TIP126
TIP122 , TIP127
TIP120 , TIP125
TIP121 , TIP126
TIP122 , TIP127
TIP120 , TIP125
TIP121 , TIP126
TIP122 , TIP127
V
CEO ( SUS )
60
80
100
-
-
V
符号
最小最大
单位
收藏家切断电流
(V
CE
= 30V ,我
B
= 0)
(V
CE
= 40V ,我
B
= 0)
(V
CE
= 50V ,我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
CB
= 60V ,我
B
= 0)
(V
CB
= 80V ,我
B
= 0)
(V
CB
= 100V ,我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
EB
= 5.0V ,我
C
= 0)
基本特征( 1 )
直流电流增益
(I
C
= 0.5A ,V
CE
= 3.0V)
(I
C
= 3.0A ,V
CE
= 3.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0A ,我
B
= 12毫安)
(I
C
= 5.0A ,我
B
= 20mA下)
基射极电压上
(I
C
= 3.0A ,V
CE
= 3.0V)
I
首席执行官
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
2.0
mA
I
CBO
-
I
EBO
-
h
FE
1000
1000
-
-
-
-
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
2.0
4.0
2.5
V
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 3.0A ,V
CE
= 4.0V , F = 1.0MHz的)
输出电容
(V
CB
= 10V ,我
E
= 0 , F =为0.1MHz ) TIP120 , TIP121 , TIP122
TIP125 , TIP126 , TIP127
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
≤2.0%
h
fe
C
ob
4.0
-
300
250
-
-
pF
第2页
30/05/05 V1.0
TIP120 ,121, 122 , 125 ,126, 127
达林顿晶体管
图 - 2切换时间
图 - 3切换时间
图 - 4小信号电流增益
图 - 5电容
第3页
30/05/05 V1.0
TIP120 ,121, 122 , 125 ,126, 127
达林顿晶体管
图 - 6个活动区安全工作区
上有一个晶体管的功率处理能力,有两个限制:
平均结温及第二击穿安全工作
区曲线表明IC -V
CE
该晶体管的极限是一定不能
承受更大功耗比曲线显示。
图的数据 - 6是基于T
J(下PK)
= 150℃ ;吨
c
是可变的
根据功率电平。其次,脉细数限制是有效的
的占空比以10%的假定T
J
( PK)
≤150°C,
在高温情况下,
的温度下,热限制会降低功率,可以是
处理,以值小于第二规定的限制
击穿。
图 - 7直流电流增益
图 - 8集电极饱和区
第4页
30/05/05 V1.0
TIP120 ,121, 122 , 125 ,126, 127
达林顿晶体管
图 - 9 “ ON”电压不
特定网络阳离子
I
C
A
V
首席执行官
(最大)
V
60
5
80
100
1000
65
TO-220
h
FE
最低
在我
c
= 3A
P
合计
at
25°C
W
产品型号
包
NPN
TIP120
TIP121
TIP122
PNP
TIP125
TIP126
TIP127
第5页
30/05/05 V1.0
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥(单相/三相)
RF(低电容) &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压(升压/降压)
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
(双N ,双P,P + N)
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF ( 1GHz的 )
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻(片)
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
(数字)
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证( 300V交流)
MPP / MPE / DMP (高电流)
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压( 1KV 6KV )
贴片电容&多层( MLCC )
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格( -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期: 2004年9月 2005年第二次编辑
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP120 / D
塑料中功率
互补硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
高直流电流增益 -
的hFE = 2500 (典型值) @ IC = 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
VCEO (SUS )= 60 VDC (最小) - TIP120 , TIP125
VCEO ( SUS)
= 80伏直流(最小值) - TIP121 , TIP126
VCEO ( SUS)
= 100伏直流(最小值) - TIP122 , TIP127
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE (SAT) = 2.0伏(最大) @ IC = 3.0 ADC
VCE ( SAT )
= 4.0伏(最大) @ IC = 5.0 ADC
单片式结构,具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
*最大额定值
等级
TIP120,
TIP125
60
60
TIP121,
TIP126
80
80
TIP122,
TIP127
100
100
TIP120*
TIP121*
TIP122*
PNP
TIP125*
TIP126*
TIP127*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PD ,功耗(瓦)
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
PD
E
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
5.0
8.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
120
MADC
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
mJ
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结,
温度范围
65
0.52
2.0
0.016
50
非钳位感性负载能源( 1 )
TJ , TSTG
- 65至+ 150
达林顿
5安培
其他芯片
功率晶体管
60 - 80 - 100伏
65 WATTS
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻,结到外壳
1.92
62.5
_
C / W
_
C / W
热阻,结到环境
R
θJA
( 1 ) IC = 1 , L = 100 mH的, P.R.F. = 10赫兹, VCC = 20 V , RBE = 100
.
TA TC
4.0 80
CASE 221A -06
TO–220AB
3.0 60
TC
2.0 40
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T,温度( ° C)
120
140
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
T, TIME (
s)
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
动态特性
基本特征( 1 )
开关特性
V2
约
+ 8.0 V
V1
约
–12 V
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , F = 0.1 MHz的
小信号电流增益
( IC = 3.0 ADC , VCE = 4.0伏, F = 1.0兆赫)
基射极电压ON
( IC = 3.0 ADC , VCE = 3.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 3.0 ADC , IB = 12 MADC )
( IC = 5.0 ADC , IB = 20 MADC )
直流电流增益
( IC = 0.5 ADC , VCE = 3.0 V直流)
( IC = 3.0 ADC , VCE = 3.0 V直流)
发射Cuto FF电流
( VBE = 5.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 60 VDC , IE = 0 )
( VCB = 80伏直流电, IE = 0 )
( VCB = 100伏, IE = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 30 V直流, IB = 0 )
( VCE = 40 VDC , IB = 0 )
( VCE = 50伏直流电, IB = 0 )
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
( IC = 100 MADC , IB = 0 )
2
RB & RC变化,以获得所需的电流水平
D1必须快速恢复型,如:
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
RC
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
TUT
TR , TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 %
0
图2.开关时间测试电路
25
s
v
300
s,
占空比
v
2%.
51
对于TD和TR , D1断开
和V2 = 0
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
RB
D1
特征
+ 4.0 V
≈
8.0 k
≈
120
VCC
– 30 V
TIP120 , TIP125
TIP121 , TIP126
TIP122 , TIP127
TIP120 , TIP125
TIP121 , TIP126
TIP122 , TIP127
TIP120 , TIP125
TIP121 , TIP126
TIP122 , TIP127
TIP125 , TIP126 , TIP127
TIP120 , TIP121 , TIP122
范围
0.1
0.07
0.05
0.1
0.3
0.2
0.7
0.5
1.0
2.0
5.0
3.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
ts
VCEO ( SUS)
TD @ VBE (关闭) = 0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流( AMP )
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
ICBO
ICEO
IEBO
COB
的hFE
的hFE
1000
1000
民
60
80
100
tf
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
PNP
NPN
最大
300
200
2.5
2.0
4.0
2.0
0.2
0.2
0.2
0.5
0.5
0.5
tr
—
—
—
—
—
—
图3.开关时间
5.0 7.0 10
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
R(T ) ,瞬态热阻
(归一化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨,时间( ms)的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
D = 0.5
0.2
0.1
P( PK)
Z
θJC (T )
= R(T )R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ ( PK) - TC = P ( PK )z
θJC (T )
占空比D = T1 / T2
图4.热响应
20
IC ,集电极电流( AMP )
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
500
s
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
1毫秒
@ TC = 25°C (单脉冲)
5毫秒
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
TIP120 , TIP125
TIP121 , TIP126
TIP122 , TIP127
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
70 100
100
s
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管,
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J (峰) = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比为10%的规定TJ ( PK)
& LT ; 150
_
C. TJ ( pk)的可从数据在图4中计算。
在高温情况下,热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿征收
图5.活动区安全工作区
10,000
^ h FE ,小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
TJ = 25°C
200
C,电容(pF )
COB
100
70
50
PNP
NPN
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
VR ,反向电压(伏)
50
100
兴业银行
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男,频率(KHz )
200
500 1000
30
0.1
图6.小信号电流增益
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
NPN
TIP120 , TIP121 , TIP122
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
的hFE , DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
的hFE , DC电流增益
10,000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
25°C
20,000
VCE = 4.0 V
PNP
TIP125 , TIP126 , TIP127
TJ = 150℃
– 55°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流( AMP )
5.0 7.0 10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流( AMP )
5.0 7.0 10
图8.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ,基极电流(毫安)
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ,基极电流(毫安)
20
30
图9.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
2.5
V,电压(V )
V,电压(V )
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
VBE (星期六) @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE (SAT) @ IC / IB = 250
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
2.0
1.5
1.5
VBE @ VCE = 4.0 V
VBE (星期六) @ IC / IB = 250
VCE (SAT) @ IC / IB = 250
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ,集电极电流( AMP )
1.0
0.5
0.1
IC ,集电极电流( AMP )
图10. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域,在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5