TRANSYS
电子
L I M I T E
NPN / PNP硅功率达林顿晶体管
TIP122F NPN
TIP127F PNP
TO-220FP
B
CE
专为通用放大器和低速开关应用。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极电压
IC
集电极电流 - 连续
ICM
集电极电流（峰值）
IB
基极电流
PD
总功率耗散@ T = 25℃
减免上述25℃
PD
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
E
非钳位感性负载能源（ 1 ）
Tj
结温
TSTG
存储温度范围
热阻
Rth的第（j-一）
从结点到环境
RTH （J -C ）
从结点到外壳
（ 1 ） IC = 1A ， L = 100MH ， PRF = 10Hz的， VCC = 20V ， RBE = 100欧姆的
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
VCEO （ SUS） * IC = 100mA时IB = 0
集电极 - 发射极（ SUS ）电压
ICBO
VCB = 100V ， IE = 0
收藏家切断电流
ICEO
IB = O ， VCE = 50V
IEBO
VEB=5V,IC=0
发射器切断电流
VCE （星期六） *
IC = 3A ， IB = 12毫安
集电极 - 发射极饱和电压
IC = 5A ， IB = 20mA下
VBE （ ON） *
IC = 3A ， VCE = 3V
基极发射极电压
的hFE *
IC = 0.5A ， VCE = 3V
直流电流增益
IC = 3A ， VCE = 3V
价值
100
100
5.0
5.0
8.0
120
65
0.52
2.0
0.016
50
150
-65到+150
62.5
1.92
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W /摄氏度
W
W /摄氏度
mj
摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
民
100
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
最大
-
0.2
0.5
2.0
2.0
4.0
2.5
-
-
单位
V
mA
mA
mA
V
V
V
K
K
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
小信号电流增益
/ HFE /
IC = 3A ， VCE = 4V
f=1MHz
COB = 10V ， IE = 0 ， F =为0.1MHz
PNP
NPN
TIP122F/127F
民
最大
4.0
-
单位
输出电容
COB
-
-
300
200
pF
pF
*脉冲测试：脉冲宽度= 300我们;占空比= 2 ％
TO- 220FP （完全隔离）塑料包装
A
D
C
B
在MM都diminsions 。
M
IM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
米
9.96
2.60
4.50
3.10
7.90
16.87
0.45
2.56
2.34
—
—
—
米斧
10.36
3.00
4.90
3.30
8.20
17.27
0.50
2.96
2.74
3.08
30.05
0.80
F
E
1
2
L
3
PIN CO NFIGUR ATION
1.基地
2.收集
3.辐射源
K
J
J
G
1
2
3
H
包装细节
包
TO-220FP
标准包装
详细
净重量/数量
200个/塑料袋396克/ 200个
50个/管
120克/ 50个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
3.5" X 3.7" X 21.5"
1.0K
1.0K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
16.0K
10.0K
36公斤
29公斤
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN / PNP硅功率达林顿晶体管
TIP122F NPN
TIP127F PNP
TO-220FP
B
CE
专为通用放大器和低速开关应用。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极电压
IC
集电极电流 - 连续
ICM
集电极电流（峰值）
IB
基极电流
PD
总功率耗散@ T = 25℃
减免上述25℃
PD
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
E
非钳位感性负载能源（ 1 ）
Tj
结温
TSTG
存储温度范围
热阻
Rth的第（j-一）
从结点到环境
RTH （J -C ）
从结点到外壳
（ 1 ） IC = 1A ， L = 100MH ， PRF = 10Hz的， VCC = 20V ， RBE = 100欧姆的
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
VCEO （ SUS） * IC = 100mA时IB = 0
集电极 - 发射极（ SUS ）电压
ICBO
VCB = 100V ， IE = 0
收藏家切断电流
ICEO
IB = O ， VCE = 50V
IEBO
VEB=5V,IC=0
发射器切断电流
VCE （星期六） *
IC = 3A ， IB = 12毫安
集电极 - 发射极饱和电压
IC = 5A ， IB = 20mA下
VBE （ ON） *
IC = 3A ， VCE = 3V
基极发射极电压
的hFE *
IC = 0.5A ， VCE = 3V
直流电流增益
IC = 3A ， VCE = 3V
价值
100
100
5.0
5.0
8.0
120
65
0.52
2.0
0.016
50
150
-65到+150
62.5
1.92
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W /摄氏度
W
W /摄氏度
mj
摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
民
100
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
最大
-
0.2
0.5
2.0
2.0
4.0
2.5
-
-
单位
V
mA
mA
mA
V
V
V
K
K
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
小信号电流增益
/ HFE /
IC = 3A ， VCE = 4V
f=1MHz
COB = 10V ， IE = 0 ， F =为0.1MHz
PNP
NPN
TIP122F/127F
民
最大
4.0
-
单位
输出电容
COB
-
-
300
200
pF
pF
*脉冲测试：脉冲宽度= 300我们;占空比= 2 ％
TO- 220FP （完全隔离）塑料包装
A
D
C
B
在MM都diminsions 。
M
IM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
米
9.96
2.60
4.50
3.10
7.90
16.87
0.45
2.56
2.34
—
—
—
米斧
10.36
3.00
4.90
3.30
8.20
17.27
0.50
2.96
2.74
3.08
30.05
0.80
F
E
1
2
L
3
PIN CO NFIGUR ATION
1.基地
2.收集
3.辐射源
K
J
J
G
1
2
3
H
包装细节
包
TO-220FP
标准包装
详细
净重量/数量
200个/塑料袋396克/ 200个
50个/管
120克/ 50个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
3.5" X 3.7" X 21.5"
数据表
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
16.0K
10.0K
36公斤
29公斤
1.0K
1.0K
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
大陆设备印度有限公司
分页： 1 2 3
客户注意事项
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，从而
要确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。提供的CDIL网络上的信息
网站/ CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担不准确或不完整的责任
信息。此外， CDIL不承担任何责任，所产生的任何CDIL产品的应用或使用的;
它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品（或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页3
QQ：2881677436 复制
