【TIP120 ， TIP121 ， TIP122（ NPN型） ; TIP125 ， TIP126 】,IC型号TIP121G,TIP121G PDF资料,TIP121G经销商,ic,电子元器件-51电子网

TIP120 ， TIP121 ， TIP122

（ NPN型） ; TIP125 ， TIP126 ，

TIP127 （ PNP ）

首选设备

塑料中功率

其他芯片

晶体管

设计用于通用放大器和低速开关

应用程序。

特点

http://onsemi.com

高直流电流增益 -

= 2500 （典型值） @我

C

= 4.0 ADC

集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC

V

CEO （ SUS ）

= 60 VDC （最小） - TIP120 ， TIP125

= 80伏直流（最小值） - TIP121 ， TIP126

= 100伏直流（最小值） - TIP122 ， TIP127

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 3.0 ADC

= 4.0伏（最大） @我

C

= 5.0 ADC

整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻

无铅包可用*

h

FE

达林顿

5安培

其他芯片

功率晶体管

60-80-100伏， 65沃茨

记号

图

4

1

TO-220AB

CASE 221A

风格1

2

3

TIP12xG

AYWW

TIP12x

x

A

Y

WW

G

=器件代码

= 0，1 ，2，5 ，6或7

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

1

2007年11月 - 修订版7

出版订单号：

TIP120/D

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

最大额定值

等级

符号

V

首席执行官

V

CB

V

EB

I

C

I

B

TIP120,

TIP125

60

TIP121,

TIP126

80

TIP122,

TIP127

100

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

5.0

8.0

连续集电极电流 -

- 山顶

基极电流

120

MADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

mJ

°C

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

P

D

P

D

E

65

0.52

2.0

0.016

50

非钳位感性负载能量（注1 ）

工作和存储结，温度范围

T

J

, T

英镑

- 65至+ 150

热特性

特征

符号

R

QJC

R

qJA

最大

1.92

62.5

单位

热阻，结到外壳

° C / W

热阻，结到环境

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作

推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响

器件的可靠性。

1. I

C

= 1 ， L = 100 mH的， P.R.F. = 10赫兹，V

CC

= 20 V ，R

BE

= 100

W

订购信息

设备

TIP120

TIP120G

TIP121

TIP121G

TIP122

TIP122G

TIP125

TIP125G

TIP126

TIP126G

TIP127

TIP127G

包

TO-220

（无铅）

TO-220

（无铅）

TO-220

（无铅）

TO-220

（无铅）

TO-220

（无铅）

TO-220

（无铅）

航运

50单位/铁

http://onsemi.com

2

PD ，功耗（瓦）

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态特性

基本特征

（注2 ）

开关特性

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1 MHz的

小信号电流增益

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏， F = 1.0兆赫）

基射极电压上

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 3.0 ADC ，我

B

= 12 MADC ）

(I

C

= 5.0 ADC ，我

B

= 20 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 3.0伏）

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 30伏直流电，我

B

= 0)

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 0)

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

特征

1.0 20

2.0 40

3.0 60

T

A

T

C

4.0 80

0

20

http://onsemi.com

40

图1.功率降额

TIP125 ， TIP126 ， TIP127

TIP120 ， TIP121 ， TIP122

60

80

100

T，温度（ ° C）

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

T

A

3

T

C

120

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

C

ob

h

FE

h

fe

140

160

1000

民

60

80

100

4.0

-

最大

300

200

2.5

2.0

4.0

2.0

0.2

0.5

-

MADC

单位

VDC

pF

-

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

5.0

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

V

2

约

+ 8.0 V

0

V

1

约

-12 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

51

R

B

D

1

+ 4.0 V

25

ms

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有的极性。

V

CC

- 30 V

R

C

3.0

2.0

范围

t

s

PNP

NPN

TUT

T， TIME （

μ

s)

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

t

f

≈

8.0 k

≈

120

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

0.2

t

r

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0 10

图2.开关时间测试电路

图3.开关时间

R（T ），瞬态热阻

（归一化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

10

20

50

100

200

500 1.0 k

P

（ PK）

Z

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 1.92 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

t

1

读取时间AT＆T

1

t

2

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

Z

QJC （T ）

占空比D = T

1

/t

2

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

图4.热响应

http://onsemi.com

4

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

20

IC ，集电极电流（ AMP ）

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

500

ms

dc

T

J

= 150°C

键合丝有限公司

限热

1毫秒

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

5毫秒

二次击穿有限公司

曲线适用BELOW

为V

首席执行官

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

70 100

100

ms

0.05

0.02

1.0

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

- V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作，也就是，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

< 150℃。牛逼

J（下PK）

可以从该数据在图4中计算。

在高温情况下，热限制将减少

可处理到值小于所述电源

通过二次击穿所施加的限制

图5.活动区安全工作区

10,000

^ h FE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

T

C

= 25°C

V

CE

= 4.0伏

I

C

= 3.0 ADC

C，电容（pF ）

300

T

J

= 25°C

200

C

ob

100

70

50

PNP

NPN

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

C

ib

PNP

NPN

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

30

0.1

图6.小信号电流增益

图7.电容

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5

TIP120 ， TIP121 ， TIP122

（ NPN型） ; TIP125 ， TIP126 ，

TIP127 （ PNP ）

首选设备

塑料中功率

其他芯片

晶体管

设计用于通用放大器和低速开关

应用程序。

特点

http://onsemi.com

高直流电流增益 -

= 2500 （典型值） @我

C

= 4.0 ADC

集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC

V

CEO （ SUS ）

= 60 VDC （最小） - TIP120 ， TIP125

= 80伏直流（最小值） - TIP121 ， TIP126

= 100伏直流（最小值） - TIP122 ， TIP127

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 3.0 ADC

= 4.0伏（最大） @我

C

= 5.0 ADC

单片式结构，具有内置基射极分流电阻

无铅包可用*

h

FE

达林顿

5安培

其他芯片

功率晶体管

60-80-100伏， 65沃茨

记号

图

4

1

TO220AB

CASE 221A

风格1

2

3

TIP12xG

AYWW

TIP12x

x

A

Y

WW

G

=器件代码

= 0，1 ，2，5 ，6或7

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年9月 - 修订版6

出版订单号：

TIP120/D

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

最大额定值

等级

符号

V

首席执行官

V

CB

V

EB

I

C

I

B

TIP120,

TIP125

60

TIP121,

TIP126

80

TIP122,

TIP127

100

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

5.0

8.0

连续集电极电流 -

- 山顶

基极电流

120

MADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

mJ

_C

总功率耗散@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

总功率耗散@ T

A

= 25_C

减免上述25℃

P

D

P

D

E

65

0.52

2.0

0.016

50

非钳位感性负载能量（注1 ）

工作和存储结，温度范围

T

J

, T

英镑

- 65至+ 150

热特性

特征

符号

R

QJC

R

qJA

最大

单位

热阻，结到外壳

1.92

62.5

° C / W

热阻，结到环境

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

1. I

C

= 1 ， L = 100 mH的， P.R.F. = 10赫兹，V

CC

= 20 V ，R

BE

= 100

W

订购信息

设备

TIP120

TIP120G

TIP121

TIP121G

TIP122

TIP122G

TIP125

TIP125G

TIP126

TIP126G

TIP127

TIP127G

包

TO220

（无铅）

TO220

（无铅）

TO220

（无铅）

TO220

（无铅）

TO220

（无铅）

TO220

（无铅）

航运

50单位/铁

http://onsemi.com

2

PD ，功耗（瓦）

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

动态特性

基本特征

（注2 ）

开关特性

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1 MHz的

小信号电流增益

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏， F = 1.0兆赫）

基射极电压ON

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 3.0 ADC ，我

B

= 12 MADC ）

(I

C

= 5.0 ADC ，我

B

= 20 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 3.0伏）

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 3.0伏）

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 30伏直流电，我

B

= 0)

(V

CE

= 40 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 0)

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

特征

1.0 20

2.0 40

3.0 60

T

A

T

C

4.0 80

0

20

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40

图1.功率降额

TIP125 ， TIP126 ， TIP127

TIP120 ， TIP121 ， TIP122

60

80

100

T，温度（ ° C）

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

T

A

3

T

C

120

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

C

ob

h

FE

h

fe

140

160

1000

民

60

80

100

4.0

最大

300

200

2.5

2.0

4.0

2.0

0.2

0.5

MADC

单位

VDC

pF

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

5.0

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

R

C

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

TUT

V

2

约

+8.0 V

0

V

1

约

12 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

51

R

B

D

1

+4.0 V

25

ms

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有的极性。

V

CC

30 V

3.0

2.0

范围

t

s

PNP

NPN

T， TIME （

μ

s)

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

t

f

≈

8.0 k

≈

120

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

0.2

t

r

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0 10

图2.开关时间测试电路

图3.开关时间

R（T ），瞬态热阻

（归一化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

吨，时间（ ms）的

10

20

50

100

200

500 1.0 k

P

（ PK）

Z

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 1.92 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

t

1

读取时间AT＆T

1

t

2

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

Z

QJC （T ）

占空比D = T

1

/t

2

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

图4.热响应

http://onsemi.com

4

TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）

20

IC ，集电极电流（ AMP ）

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

500

ms

dc

T

J

= 150°C

键合丝有限公司

限热

1毫秒

@ T

C

= 25°C （单脉冲）

5毫秒

二次击穿有限公司

曲线适用BELOW

为V

首席执行官

TIP120 ， TIP125

TIP121 ， TIP126

TIP122 ， TIP127

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

70 100

100

ms

0.05

0.02

1.0

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作，也就是，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

< 150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过二次击穿所施加的限制

图5.活动区安全工作区

10,000

^ h FE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

T

C

= 25°C

V

CE

= 4.0伏

I

C

= 3.0 ADC

300

T

J

= 25°C

200

C，电容（pF ）

C

ob

100

70

50

PNP

NPN

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

C

ib

PNP

NPN

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

30

0.1

图6.小信号电流增益

图7.电容

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