TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
产品特点：
设计用于通用放大器和低速开关应用。
集电极 - 发射极电压维持-V
CEO （ SUS ）
= 60V （最小值） - TIP120 ， TIP125
80V （最小） - TIP121 ， TIP126
100V （最小） - TIP122 ， TIP127 。
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
= 2.0V （最大值） ，在我
C
= 3.0A.
整体结构具有内置基极 - 发射极并联电阻。
最低
A
B
C
D
E
F
G
H
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集器（案例）
I
J
K
L
M
O
14.68
9.78
5.01
13.06
3.57
2.42
1.12
0.72
4.22
1.14
2.20
0.33
2.48
3.70
最大
15.31
10.42
6.52
14.62
4.07
3.66
1.36
0.96
4.98
1.38
2.97
0.55
2.98
3.90
NPN
TIP120
TIP121
TIP122
PNP
提示125
提示126
提示127
5.0安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
60 - 100伏
65 WATTS
TO-220
外形尺寸：毫米为
最大额定值
特征
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
-Peak
基极电流
在T总功率耗散
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
TIP120
TIP125
60
TIP121
TIP126
80
5.0
5.0
8.0
120
65
0.52
-65到+150
A
mA
W
W / ℃，
°C
TIP122
TIP127
100
单位
V
热特性
特征
热阻结到外壳
符号
RθJC
最大
1.92
单位
° C / W
第1页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图1降额
电气特性（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
(I
C
= 30mA时我
B
= 0)
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
V
CEO （ SUS ）
60
80
100
-
-
V
符号
最小最大
单位
收藏家切断电流
(V
CE
= 30V ，我
B
= 0)
(V
CE
= 40V ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50V ，我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
CB
= 60V ，我
B
= 0)
(V
CB
= 80V ，我
B
= 0)
(V
CB
= 100V ，我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
EB
= 5.0V ，我
C
= 0)
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.5A ，V
CE
= 3.0V)
(I
C
= 3.0A ，V
CE
= 3.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0A ，我
B
= 12毫安）
(I
C
= 5.0A ，我
B
= 20mA下）
基射极电压上
(I
C
= 3.0A ，V
CE
= 3.0V)
I
首席执行官
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
2.0
mA
I
CBO
-
I
EBO
-
h
FE
1000
1000
-
-
-
-
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
2.0
4.0
2.5
V
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 3.0A ，V
CE
= 4.0V ， F = 1.0MHz的）
输出电容
(V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F =为0.1MHz ） TIP120 ， TIP121 ， TIP122
TIP125 ， TIP126 ， TIP127
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤2.0%
h
fe
C
ob
4.0
-
300
250
-
-
pF
第2页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图 - 2切换时间
图 - 3切换时间
图 - 4小信号电流增益
图 - 5电容
第3页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图 - 6个活动区安全工作区
上有一个晶体管的功率处理能力，有两个限制：
平均结温及第二击穿安全工作
区曲线表明IC -V
CE
该晶体管的极限是一定不能
承受更大功耗比曲线显示。
图的数据 - 6是基于T
J（下PK）
= 150℃ ;吨
c
是可变的
根据功率电平。其次，脉细数限制是有效的
的占空比以10％的假定T
J
（ PK）
≤150°C,
在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率，可以是
处理，以值小于第二规定的限制
击穿。
图 - 7直流电流增益
图 - 8集电极饱和区
第4页
30/05/05 V1.0
TIP120 ，121， 122 ， 125 ，126， 127
达林顿晶体管
图 - 9 “ ON”电压不
特定网络阳离子
I
C
A
V
首席执行官
（最大）
V
60
5
80
100
1000
65
TO-220
h
FE
最低
在我
c
= 3A
P
合计
at
25°C
W
产品型号
包
NPN
TIP120
TIP121
TIP122
PNP
TIP125
TIP126
TIP127
第5页
30/05/05 V1.0
TRANSYS
电子
L I M I T E
塑料功率晶体管
TIP120
TIP121
TIP122
NPN
TIP125
TIP126
TIP127
PNP
TO-220
塑料包装
高功率开关，锤驱动器，脉冲马达驱动器和感性负载驱动应用
绝对最大额定值
TIP120/125
描述
V
首席执行官
60
集电极 - 发射极电压
V
CBO
60
集电极 - 基极电压
V
EBO
发射极电压
I
C
连续集电极电流
I
CM
集电极电流峰值
I
B
基极电流
功率耗散高达牛逼
c
=25C
P
D
减免上述25℃
功率耗散高达牛逼
a
=25C
P
D
减免上述25℃
非钳位感性负载
*E
能源
工作和存储结
T
j,
T
英镑
温度
* I
C
= 1A ， L = 100MH ， P.R.F. = 10Hz的， VCC = 20V ，R
BE
=100
热阻
结到外壳
结到环境中的自由空气
TIP121/126
80
80
5
5
8
120
65
0.52
2
16
50
- 65 + 150
TIP122/127
100
100
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W / ℃，
W
毫瓦/℃
mJ
C
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
1.92
62.5
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性（T
C
= 25C除非另有规定）
TIP120 / 125 TIP121 / 126 TIP122 / 127
描述
符号
测试条件
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
*V
CEO （ SUS ）
I
C
= 100mA时我
B
=0
集电极 - 发射极（ SUS ）电压
60
80
100
V
I
首席执行官
V
CE
= 50V ，我
B
=0
收藏家切断电流
0.5
mA
V
CE
= 40V ，我
B
=0
0.5
mA
V
CE
= 30V ，我
B
=0
0.5
mA
I
CBO
V
CB
= 100V ，我
E
=0
收藏家切断电流
0.2
mA
V
CB
= 80V ，我
E
=0
0.2
mA
V
CB
= 60V ，我
E
=0
0.2
mA
I
EBO
V
EB
= 5V ，我
C
=0
发射器切断电流
2.0
2.0
2.0
mA
*h
FE
I
C
=0.5A,V
CE
=3V
直流电流增益
1000
1000
1000
I
C
= 3A ，V
CE
=3V
1000
1000
1000
集电极发射极饱和
*V
CE （SAT）
I
C
= 3A ，我
B
=12mA
2.0
2.0
2.0
V
I
C
= 5A ，我
B
=20mA
电压
4.0
4.0
4.0
V
*V
BE（上）
I
C
=3A,V
CE
=3V
基极发射极电压
2.5
2.5
2.5
V
*脉冲测试：脉冲宽度<300μs ，占空比<2 ％
TIP120
TIP121
TIP122
NPN
TIP125
TIP126
TIP127
PNP
TO-220
塑料包装
TO- 220塑料包装
B
H
F
C
E
暗淡
民
最大
14.42
16.51
A
9.63 10.67
B
C
3.56
4.83
—
0.90
D
1.15
E
1.40
3.75
3.88
F
G
2.29
2.79
2.54
3.43
H
—
0.56
J
K
12.70 14.73
2.80
4.07
L
M
2.03
2.92
—
31.24
N
O
7 DEG
在MM都diminsions 。
A
N
L
1
2
3
D
G
K
0
J
M
0
4
1
2
3
TO- 220包装管
LABEL
536.00
±1.5
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
尾销
13.74
设备名称
SR 。
数量。
一ll尺寸（mm）
50件/管
弹药盒大小
6.87
管厚度
LABEL
92.0
538
.00
75.
0
20管/弹药包
1000件/弹药包
包装细节
包
详细
TO- 220 / FP
标准包装
净重/
数量
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
3.5" X 3.7" X 21.5"
内箱箱
数量
1.0K
1.0K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
19 QUOT ; ×19 ＆ QUOT ; ×19 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
16.0K
10.0K
克重量
36公斤
29公斤
200个/
塑料袋396克/
200个
50个/
管
120克/个
50
32.85
TIP120 TIP122 ...
TIP120 TIP122 ...
NPN
版本2006-10-17
10
±0.2
3
4
3.8
TYPE
典型值
硅外延平面达林顿功率晶体管
硅外延平面达林顿Leistungs - Transistoren
马克斯。功耗与散热
马克斯。 Verlustleistung MIT Kühlung
集电极电流
Kollektorstrom
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装管
标准Lieferform在Stangen
NPN
65 W
5A
TO-220AB
2.2 g
15.7
1 2 3
13.2
1.5
0.9
2.54
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2/4 = C
3=E
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - SPG 。
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本SPG 。
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
无冷却 - 指数ohne Kühlung
与冷却 - 麻省理工学院Kühlung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
基极电流 - Basisstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
P
合计
P
合计
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
60 V
60 V
3.4
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
TIP120
TIP121
80 V
80 V
5V
2 W
1
)
65 W
5A
8A
120毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
TIP122
100 V
100 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
I
C
= 0.5 A ，V
CE
= 3 V
I
C
= 3 A，V
CE
= 3 V
小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstrkung
I
C
= 3 A，V
CE
= 4 V，F = 1兆赫
h
fe
4
h
FE
h
FE
1000
1000
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
马克斯。
–
–
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在5毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
TIP120 TIP122 ...
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极饱和电压。 - Kollektor发射极 - Sttigungsspg 。
2
)
I
C
= 3 A，I
B
= 12毫安
I
C
= 5 A，I
B
= 20毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 3 A，V
CE
= 3 V
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektor发射极 - Reststrom
V
CE
= 30 V ， （B开）
V
CE
= 40 V ， （B开）
V
CE
= 50 V ， （B开）
V
CB
= 60 V ， （E打开）
V
CB
= 80 V， （E打开）
V
CB
= 100 V， （E打开）
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 100千赫
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到外壳
Wrmewiderstand Sperrschicht - Gehuse
安装受理的扭矩
Zulssiges Anzugsdrehmoment
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
等效电路 - Ersatzschaltbild
T
1
T
2
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
< 63 K / W
1
)
< 3 K / W
9 ±10％ lb.in.
1 ±10％牛
TIP125 TIP127 ...
C2
马克斯。
2V
4V
2.5 V
500 nA的
500 nA的
500 nA的
200 nA的
200 nA的
200 nA的
200 pF的
V
CESAT
V
CESAT
V
BE
TIP120
TIP121
TIP122
TIP120
TIP121
TIP122
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
CBO
I
CBO
I
CBO
C
CB0
R
THA
R
THC
M4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
E
B
C
B1
T1
T2
E2
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
（ NPN型） ; TIP125 ， TIP126 ，
TIP127 （ PNP ）
首选设备
塑料中功率
其他芯片
晶体管
设计用于通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 -
= 2500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小） - TIP120 ， TIP125
= 80伏直流（最小值） - TIP121 ， TIP126
= 100伏直流（最小值） - TIP122 ， TIP127
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
= 4.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
h
FE
达林顿
5安培
其他芯片
功率晶体管
60-80-100伏， 65沃茨
记号
图
4
1
TO220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP12xG
AYWW
TIP12x
x
A
Y
WW
G
=器件代码
= 0，1 ，2，5 ，6或7
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年9月 - 修订版6
出版订单号：
TIP120/D
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
TIP120,
TIP125
60
60
TIP121,
TIP126
80
80
TIP122,
TIP127
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
5.0
8.0
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
120
MADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
_C
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
P
D
P
D
E
65
0.52
2.0
0.016
50
非钳位感性负载能量（注1 ）
工作和存储结，温度范围
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. I
C
= 1 ， L = 100 mH的， P.R.F. = 10赫兹，V
CC
= 20 V ，R
BE
= 100
W
订购信息
设备
TIP120
TIP120G
TIP121
TIP121G
TIP122
TIP122G
TIP125
TIP125G
TIP126
TIP126G
TIP127
TIP127G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
2
PD ，功耗（瓦）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1 MHz的
小信号电流增益
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 12 MADC ）
(I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 20 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
特征
1.0 20
2.0 40
3.0 60
T
A
T
C
4.0 80
0
0
0
20
http://onsemi.com
40
图1.功率降额
TIP125 ， TIP126 ， TIP127
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
60
80
100
T，温度（ ° C）
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
T
A
3
T
C
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
C
ob
h
FE
h
fe
140
160
1000
1000
民
60
80
100
4.0
最大
300
200
2.5
2.0
4.0
2.0
0.2
0.2
0.2
0.5
0.5
0.5
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
5.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
R
C
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
V
CC
30 V
3.0
2.0
范围
t
s
PNP
NPN
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
t
f
≈
8.0 k
≈
120
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
0.2
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
P
（ PK）
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图4.热响应
http://onsemi.com
4
TIP120 ， TIP121 ， TIP122 （ NPN ） ; TIP125 ， TIP126 ， TIP127 （ PNP ）
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
500
ms
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
1毫秒
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
5毫秒
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
100
ms
0.05
0.02
1.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过二次击穿所施加的限制
图5.活动区安全工作区
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
T
C
= 25°C
V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC
300
T
J
= 25°C
200
C，电容（pF ）
C
ob
100
70
50
PNP
NPN
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
C
ib
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
30
0.1
图6.小信号电流增益
图7.电容
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP120 / D
塑料中功率
互补硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
高直流电流增益 -
的hFE = 2500 （典型值） @ IC = 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP120 ， TIP125
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP121 ， TIP126
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP122 ， TIP127
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2.0伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
VCE （ SAT ）
= 4.0伏（最大） @ IC = 5.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
*最大额定值
等级
TIP120,
TIP125
60
60
TIP121,
TIP126
80
80
TIP122,
TIP127
100
100
TIP120*
TIP121*
TIP122*
PNP
TIP125*
TIP126*
TIP127*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
PD
E
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
5.0
8.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
120
MADC
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
mJ
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结，
温度范围
65
0.52
2.0
0.016
50
非钳位感性负载能源（ 1 ）
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
达林顿
5安培
其他芯片
功率晶体管
60 - 80 - 100伏
65 WATTS
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
_
C / W
_
C / W
热阻，结到环境
R
θJA
（ 1 ） IC = 1 ， L = 100 mH的， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 20 V ， RBE = 100
.
TA TC
4.0 80
CASE 221A -06
TO–220AB
3.0 60
TC
2.0 40
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
T， TIME （
s)
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
V2
约
+ 8.0 V
V1
约
–12 V
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1 MHz的
小信号电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 12 MADC ）
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 20 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
2
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
RC
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
TUT
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
图2.开关时间测试电路
25
s
v
300
s,
占空比
v
2%.
51
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
RB
D1
特征
+ 4.0 V
≈
8.0 k
≈
120
VCC
– 30 V
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
TIP125 ， TIP126 ， TIP127
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
范围
0.1
0.07
0.05
0.1
0.3
0.2
0.7
0.5
1.0
2.0
5.0
3.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
ts
VCEO （ SUS）
TD @ VBE （关闭） = 0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICBO
ICEO
IEBO
COB
的hFE
的hFE
1000
1000
民
60
80
100
tf
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
PNP
NPN
最大
300
200
2.5
2.0
4.0
2.0
0.2
0.2
0.2
0.5
0.5
0.5
tr
—
—
—
—
—
—
图3.开关时间
5.0 7.0 10
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
D = 0.5
0.2
0.1
P（ PK）
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
图4.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
500
s
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
1毫秒
@ TC = 25°C （单脉冲）
5毫秒
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
TIP120 ， TIP125
TIP121 ， TIP126
TIP122 ， TIP127
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
100
s
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿征收
图5.活动区安全工作区
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
COB
100
70
50
PNP
NPN
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
兴业银行
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
30
0.1
图6.小信号电流增益
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
NPN
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
的hFE ， DC电流增益
10,000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
25°C
20,000
VCE = 4.0 V
PNP
TIP125 ， TIP126 ， TIP127
TJ = 150℃
– 55°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0 10
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
图9.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
2.5
V，电压（V ）
V，电压（V ）
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
2.0
1.5
1.5
VBE @ VCE = 4.0 V
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
1.0
0.5
0.1
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
NPN
版本2004-06-21
达林顿晶体管
硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren
NPN
集电极电流 - Kollektorstrom
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
1 = B1
2 = C2
3 = E2
5A
TO-220AB
2.2 g
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
最大额定值（T
A
= 25°C)
TIP120
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
P
合计
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
60 V
60 V
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
TIP121
80 V
80 V
50 V
2 W
1
)
65 W
5A
8A
120毫安
- 65…+ 150°C
- 65…+ 150°C
TIP122
100 V
100 V
功耗 - Verlustleistung
无冷却 - 指数ohne Kühlung
与冷却 - 麻省理工学院Kühlung
T
C
= 25°C
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
基极电流 - Basisstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
I
B
= 0, V
CE
= 30 V
I
B
= 0, V
CE
= 40 V
I
B
= 0, V
CE
= 50 V
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 80 V
I
E
= 0, V
CB
= 100 V
1
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
500 nA的
500 nA的
500 nA的
200 nA的
200 nA的
200 nA的
TIP120
TIP121
TIP123
TIP120
TIP121
TIP122
I
CE0
I
CE0
I
CE0
I
CB0
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在5毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
1
达林顿晶体管
TIP120 ， TIP121 ， TIP122
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 3 A，I
B
= 12毫安
I
C
= 5 A，I
B
= 20毫安
I
C
= 3 A，V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 3 V，I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V，I
C
= 3 A， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 100千赫
热电阻 - Wrmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到外壳 - Sperrschicht祖Gehuse
安装受理的扭矩
Zulssiges Anzugsdrehmoment
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
等效电路 - Ersatzschaltbild
I
EB0
V
CESAT
V
CESAT
V
BEON
h
FE
h
FE
h
fe
C
CB0
–
–
–
–
1000
1000
4
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
R
THA
R
THC
M4
马克斯。
2毫安
2V
4V
2.5 V
–
–
–
200 pF的
62.5 K / W
2
)
2 K / W
9 ±10％ lb.in.
1 ±10％牛
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspg 。
1
)
基极发射极的电压 - 基射极Spannung
1
)
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstrkung
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
TIP125 ， TIP126 ， TIP127
C2
T2
B1
T1
E2
1
2
）测试与脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在5毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
2
QQ：2881677436 复制
