TIP110 ， TIP111 ， TIP112
（ NPN型） ; TIP115 ， TIP116 ，
TIP117 （ PNP ）
TIP111 ， TIP112 ， TIP116和TIP117是首选设备
塑料中功率
其他芯片
晶体管
设计用于通用放大器和低速开关
应用程序。
特点
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高直流电流增益 -
h
FE
= 2500 （典型值） @我
C
= 1.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小） - TIP110 ， TIP115
= 80伏直流（最小值） - TIP111 ， TIP116
= 100伏直流（最小值） - TIP112 ， TIP117
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.5伏（最大） @我
C
= 2.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
无铅包可用*
达林顿
2安培
其他芯片
功率晶体管
60-80-100伏， 50瓦
记号
图
4
1
TO220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP11xG
AYWW
TIP11x
x
A
Y
WW
G
=器件代码
= 0，1 ，2，5 ，6或7
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年9月 - 修订版5
出版订单号：
TIP110/D
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
TIP110,
TIP115
60
60
TIP111,
TIP116
80
80
TIP112,
TIP117
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
2.0
4.0
50
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
MADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
_C
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
P
D
P
D
E
50
0.4
2.0
0.016
25
非钳位电感负载能量 - 图13
工作和存储结
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
最大
2.5
单位
热阻，结到外壳
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
62.5
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
订购信息
设备
TIP110
TIP110G
TIP111
TIP111G
TIP112
TIP112G
TIP115
TIP115G
TIP116
TIP116G
TIP117
TIP117G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
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2
PD ，功耗（瓦）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
小信号电流增益
(I
C
= 0.75 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 8.0 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
特征
1.0 20
2.0 40
3.0 60
T
A
T
C
0
0
0
20
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40
图1.功率降额
TIP115 ， TIP116 ， TIP117
TIP110 ， TIP111 ， TIP112
60
80
100
T，温度（ ° C）
3
TIP110 ， TIP115
TIP111 ， TIP116
TIP112 ， TIP117
TIP110 ， TIP115
TIP111 ， TIP116
TIP112 ， TIP117
TIP110 ， TIP115
TIP111 ， TIP116
TIP112 ， TIP117
T
A
T
C
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
C
ob
h
FE
140
h
fe
160
1000
500
民
60
80
100
25
最大
200
100
2.8
2.5
2.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
4.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
R
C
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0, R
B
和R
C
是多种多样的
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
V
CC
30 V
t
s
2.0
范围
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
t
f
t
r
≈
8.0 k
≈
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.04 0.06
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
P
（ PK）
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 2.5 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.05
0.1
图4.热响应
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4
TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
有源区的安全工作区
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
4.0
1毫秒
2.0
1.0
5毫秒
T
J
= 150°C
dc
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
0.1
1.0
TIP115
TIP116
TIP117
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
4.0
2.0
1.0
T
J
= 150°C
dc
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
0.1
1.0
TIP110
TIP111
TIP112
10
40 60 80 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
10
60 80 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. TIP115 ， 116 ， 117
图6. TIP110 ， 111 ， 112
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
200
T
C
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
C
ob
30
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2 0.4 0.6 1.0
2.0 4.0 6.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
C
ib
图7.电容
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5
QQ：2881677436 复制
