MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP100
TIP101
TIP102
NPN塑料
中功率
硅晶体管
特点
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
高直流电流增益：H
FE
= 2500（典型值） @我
C
=4.0Adc
低集电极 - 发射极饱和电压
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
TO- 220小型封装
最大额定值
符号
V
首席执行官
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
参数
集电极 - 发射极电压
TIP100
TIP101
TIP102
TIP100
TIP101
TIP102
等级
60
80
100
60
80
100
5.0
8.0
15
1.0
80
0.64
-55到+150
-55到+150
民
最大
V
单位
TO-220
B
F
C
S
Q
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
A
A
A
W
O
W / C
O
C
O
C
单位
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
T
J
,
T
英镑
符号
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散@T
C
=25
O
C
O
减免上述25℃
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极电压维持
(I
C
= 30mAdc ，我
B
=0)
TIP100
TIP101
TIP101
集电极截止电流
(V
CE
= 30V直流，我
B
=0)
TIP100
(V
CE
= 40VDC ，我
B
=0)
TIP101
TIP102
(V
CE
= 50V直流，我
B
=0)
集电极截止电流
TIP100
(V
CB
= 60Vdc的，我
E
=0)
(V
CB
= 80VDC ，我
E
=0)
TIP101
TIP102
(V
CB
= 100V直流，我
E
=0)
发射极截止电流
(V
BE
= 5.0VDC ，我
C
=0)
T
A
U
1 2
H
K
3
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
CEO （ SUS ）
60
80
100
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
50
50
50
50
50
50
8.0
L
VDC
V
D
J
R
G
N
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
I
首席执行官
uAdc
I
CBO
uAdc
I
EBO
MADC
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
1000
20000
(I
C
= 3.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
----
200
---
(I
C
= 8.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
---
2.0
(I
C
= 3.0Adc ，我
B
=6.0mAdc)
---
2.5
VDC
(I
C
= 8.0Adc ，我
B
=80mAdc)
V
BE（上）
基射极电压上
(I
C
=8.0Adc,V
CE
=4.0Adc)
---
2.8
VDC
的hFE
小信号电流增益
(I
C
=3.0Adc,V
CE
=4.0Vdc,f=1.0MHz)
4.0
---
---
C
ob
输出电容
---
200
pF
(V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F =为0.1MHz ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲Width<300us ，职务Cycle<2 ％
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
h
FE(1)
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
www.mccsemi.com
修订版：A
1 4
2011/01/01
TA TC
4.0 80
PD ，功耗（瓦）
3.0 60
1.0
T， TIME （
s)
TC
2.0 40
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
0.1
0.07
0.05
0.1
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
IC ，集电极电流（毫安）
修订版：A
图1.功率降额
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
100
s
1毫秒
2 4
TIP100,101,102
MCC
微型商业组件
5.0
3.0
2.0
ts
tf
TM
tr
TD @ VBE （关闭） = 0 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
图2.开关时间
P（ PK）
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
图3.热响应
5毫秒
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
TIP100
TIP101
TIP102
10
2.0
5.0
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图4.有源区安全工作区
www.mccsemi.com
2011/01/01
TIP100,101,102
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
MCC
微型商业组件
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
COB
100
兴业银行
70
50
TM
30
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.小信号电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图6.电容
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
3.0
TJ = 25°C
2.6
2.2
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
– 55°C
1.8
1.4
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20
30
图7.直流电流增益
图8.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
2.5
V，电压（V ）
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.5
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
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修订版：A
3 4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
4 4
2011/01/01
TIP100 ， TIP101 ， TIP102
NPN硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1978年8月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
TIP105 ， TIP106 TIP107和
80瓦，在25 ° C的温度
8的连续集电极电流
最大V
CE （ SAT ）
2.5 V ，在我
C
= 8 A
B
C
E
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP100
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP101
TIP102
TIP100
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
TIP101
TIP102
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
V
CBO
价值
60
80
100
60
单位
V
V
首席执行官
80
100
5
8
15
1
80
2
10
-65到+150
-65到+150
260
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.64的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP100 ， TIP101 ， TIP102
NPN硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
并联二极管
正向电压
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
5V
4V
4V
6毫安
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
= 3 A
I
C
= 8 A
I
C
= 3 A
I
C
= 8 A
I
C
= 8 A
I
B
= 0
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
1000
200
2
2.5
2.8
3.5
V
V
V
测试条件
TIP100
I
B
= 0
TIP101
TIP102
TIP100
TIP101
TIP102
TIP100
TIP101
TIP102
民
60
80
100
50
50
50
50
50
50
8
20000
mA
A
A
V
典型值
最大
单位
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
V
EC
I
B
= 80毫安
V
CE
=
I
E
=
4V
8A
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
C
θ
C
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
案件的热容
0.9
民
典型值
最大
1.56
62.5
单位
° C / W
° C / W
焦/ ℃，
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= 8 A
V
BE （OFF）的
= -5 V
I
B（上）
= 80毫安
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= -80毫安
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
35
350
1.8
2.45
最大
单位
ns
ns
s
s
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP100 ， TIP101 ， TIP102
NPN硅功率DARLINGTONS
1978年8月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP100 / D
塑料中功率
互补硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
高直流电流增益 -
的hFE = 2500 （典型值） @ IC = 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP100 ， TIP105
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP101 ， TIP106
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP102 ， TIP107
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2.0伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
VCE （ SAT ）
= 2.5伏（最大） @ IC = 8.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
*最大额定值
等级
TIP100,
TIP105
60
60
TIP101,
TIP106
80
80
TIP102,
TIP107
100
100
TIP100
TIP101*
TIP102*
TIP105
TIP106*
TIP107*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PNP
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
E
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
8.0
15
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
80
0.64
30
瓦
W/
_
C
mJ
瓦
W/
_
C
非钳位感性负载能源（ 1 ）
PD
2.0
0.016
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
达林顿
8安培
其他芯片
功率晶体管
60 - 80 - 100伏
80瓦
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.56
62.5
_
C / W
_
C / W
热阻，结到环境
TA TC
4.0 80
CASE 221A -06
TO–220AB
（ 1 ） IC = 1.1 ， L = 50毫亨， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 20 V ， RBE = 100
.
3.0 60
TC
2.0 40
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
第七版
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 8.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 6.0 MADC ）
（ IC = 8.0 ADC ， IB = 80 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 8.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
集电极电流Cuttoff
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
RC
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
v
300
s,
占空比
v
2%.
特征
TUT
T， TIME （
s)
V2
约
+ 8.0 V
V1
约
–12 V
2
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
图2.开关时间测试电路
25
s
51
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
RB
D1
+ 4.0 V
≈
8.0 k
≈
120
VCC
– 30 V
范围
TIP105 ， TIP106 ， TIP107
TIP100 ， TIP101 ， TIP102
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
0.1
0.07
0.05
0.1
0.3
0.7
0.5
1.0
3.0
2.0
5.0
0.2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
VCEO （ SUS）
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICBO
ICEO
IEBO
TD @ VBE （关闭） = 0 V
COB
的hFE
的hFE
ts
1000
200
民
60
80
100
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
tf
20,000
—
PNP
NPN
最大
300
200
2.8
2.0
2.5
8.0
50
50
50
50
50
50
—
—
—
—
tr
图3.开关时间
5.0 7.0
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
MADC
10
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P（ PK）
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
20
10
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
100
s
1毫秒
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
10
2.0
5.0
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
5毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿征收
图5.活动区安全工作区
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
COB
100
兴业银行
70
50
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
30
0.1
0.2
PNP
NPN
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
NPN
TIP100 ， TIP101 ， TIP102
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
10,000
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
20,000
VCE = 4.0 V
PNP
TIP105 ， TIP106 ， TIP107
– 55°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
图9.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
2.5
V，电压（V ）
V，电压（V ）
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
2.0
VBE @ VCE = 4.0 V
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.5
1.5
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过TIP100 / D
塑料中功率
互补硅晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
高直流电流增益 -
的hFE = 2500 （典型值） @ IC = 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 30 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP100 ， TIP105
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP101 ， TIP106
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP102 ， TIP107
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2.0伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
VCE （ SAT ）
= 2.5伏（最大） @ IC = 8.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
*最大额定值
等级
TIP100,
TIP105
60
60
TIP101,
TIP106
80
80
TIP102,
TIP107
100
100
TIP100
TIP101*
TIP102*
TIP105
TIP106*
TIP107*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PNP
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
E
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
8.0
15
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
80
0.64
30
瓦
W/
_
C
mJ
瓦
W/
_
C
非钳位感性负载能源（ 1 ）
PD
2.0
0.016
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
达林顿
8安培
其他芯片
功率晶体管
60 - 80 - 100伏
80瓦
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.56
62.5
_
C / W
_
C / W
热阻，结到环境
TA TC
4.0 80
CASE 221A -06
TO–220AB
（ 1 ） IC = 1.1 ， L = 50毫亨， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 20 V ， RBE = 100
.
3.0 60
TC
2.0 40
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
第七版
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 8.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 6.0 MADC ）
（ IC = 8.0 ADC ， IB = 80 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 8.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
集电极电流Cuttoff
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
RC
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
v
300
s,
占空比
v
2%.
特征
TUT
T， TIME （
s)
V2
约
+ 8.0 V
V1
约
–12 V
2
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
图2.开关时间测试电路
25
s
51
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
RB
D1
+ 4.0 V
≈
8.0 k
≈
120
VCC
– 30 V
范围
TIP105 ， TIP106 ， TIP107
TIP100 ， TIP101 ， TIP102
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
0.1
0.07
0.05
0.1
0.3
0.7
0.5
1.0
3.0
2.0
5.0
0.2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
VCEO （ SUS）
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICBO
ICEO
IEBO
TD @ VBE （关闭） = 0 V
COB
的hFE
的hFE
ts
1000
200
民
60
80
100
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
tf
20,000
—
PNP
NPN
最大
300
200
2.8
2.0
2.5
8.0
50
50
50
50
50
50
—
—
—
—
tr
图3.开关时间
5.0 7.0
μAdc
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
MADC
10
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P（ PK）
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
20
10
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
100
s
1毫秒
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
TIP100 ， TIP105
TIP101 ， TIP106
TIP102 ， TIP107
10
2.0
5.0
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
5毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿征收
图5.活动区安全工作区
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
COB
100
兴业银行
70
50
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
30
0.1
0.2
PNP
NPN
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
NPN
TIP100 ， TIP101 ， TIP102
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
10,000
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
20,000
VCE = 4.0 V
PNP
TIP105 ， TIP106 ， TIP107
– 55°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
图8.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
图9.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
2.5
V，电压（V ）
V，电压（V ）
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
2.0
VBE @ VCE = 4.0 V
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.5
1.5
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP100 TIP101 TIP102 TIP105 TIP106 TIP107
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP100
TIP101
TIP102
NPN塑料
中功率
硅晶体管
特点
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
高直流电流增益：H
FE
= 2500（典型值） @我
C
=4.0Adc
低集电极 - 发射极饱和电压
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
TO- 220小型封装
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
参数
集电极 - 发射极电压
TIP100
TIP101
TIP102
TIP100
TIP101
TIP102
等级
60
80
100
60
80
100
5.0
8.0
15
1.0
80
0.64
-55到+150
-55到+150
民
最大
V
最大额定值
符号
V
首席执行官
单位
TO-220
B
F
C
S
Q
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
A
A
A
W
O
W / C
O
C
O
C
单位
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
T
J
,
T
英镑
符号
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散@T
C
=25
O
C
O
减免上述25℃
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极电压维持
(I
C
= 30mAdc ，我
B
=0)
TIP100
TIP101
TIP101
集电极截止电流
(V
CE
= 30V直流，我
B
=0)
TIP100
(V
CE
= 40VDC ，我
B
=0)
TIP101
TIP102
(V
CE
= 50V直流，我
B
=0)
集电极截止电流
TIP100
(V
CB
= 60Vdc的，我
E
=0)
(V
CB
= 80VDC ，我
E
=0)
TIP101
TIP102
(V
CB
= 100V直流，我
E
=0)
发射极截止电流
(V
BE
= 5.0VDC ，我
C
=0)
T
A
U
1 2
H
K
3
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
CEO （ SUS ）
60
80
100
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
50
50
50
50
50
50
8.0
L
VDC
V
D
J
R
G
N
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
I
首席执行官
uAdc
I
CBO
uAdc
I
EBO
MADC
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
1000
20000
(I
C
= 3.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
----
200
---
(I
C
= 8.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
---
2.0
(I
C
= 3.0Adc ，我
B
=6.0mAdc)
---
2.5
VDC
(I
C
= 8.0Adc ，我
B
=80mAdc)
V
BE（上）
基射极电压上
(I
C
=8.0Adc,V
CE
=4.0Adc)
---
2.8
VDC
的hFE
小信号电流增益
(I
C
=3.0Adc,V
CE
=4.0Vdc,f=1.0MHz)
4.0
---
---
C
ob
输出电容
---
200
pF
(V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F =为0.1MHz ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲Width<300us ，职务Cycle<2 ％
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
h
FE(1)
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
www.mccsemi.com
修改：
3
1 4
2008/01/01
TA TC
4.0 80
PD ，功耗（瓦）
3.0 60
1.0
T， TIME （
s)
TC
2.0 40
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
0.1
0.07
0.05
0.1
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
IC ，集电极电流（毫安）
修改：
3
图1.功率降额
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
100
s
1毫秒
2 4
TIP100,101,102
MCC
微型商业组件
5.0
3.0
2.0
ts
tf
TM
tr
TD @ VBE （关闭） = 0 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
图2.开关时间
P（ PK）
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
图3.热响应
5毫秒
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
TIP100
TIP101
TIP102
10
2.0
5.0
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图4.有源区安全工作区
www.mccsemi.com
2008/01/01
TIP100,101,102
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
MCC
微型商业组件
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
COB
100
兴业银行
70
50
TM
30
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.小信号电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图6.电容
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
3.0
TJ = 25°C
2.6
2.2
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
– 55°C
1.8
1.4
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20
30
图7.直流电流增益
图8.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
2.5
V，电压（V ）
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.5
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
www.mccsemi.com
修改：
3
3 4
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修改：
3
4 4
2008/01/01
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
TIP100/101/102
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
QQ：2880707522 复制
