MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
TIP100
TIP101
TIP102
NPN塑料
中功率
硅晶体管
特点
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
高直流电流增益：H
FE
= 2500（典型值） @我
C
=4.0Adc
低集电极 - 发射极饱和电压
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
TO- 220小型封装
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
参数
集电极 - 发射极电压
TIP100
TIP101
TIP102
TIP100
TIP101
TIP102
等级
60
80
100
60
80
100
5.0
8.0
15
1.0
80
0.64
-55到+150
-55到+150
民
最大
V
最大额定值
符号
V
首席执行官
单位
TO-220
B
F
C
S
Q
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
A
A
A
W
O
W / C
O
C
O
C
单位
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
T
J
,
T
英镑
符号
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散@T
C
=25
O
C
O
减免上述25℃
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极电压维持
(I
C
= 30mAdc ，我
B
=0)
TIP100
TIP101
TIP101
集电极截止电流
(V
CE
= 30V直流，我
B
=0)
TIP100
(V
CE
= 40VDC ，我
B
=0)
TIP101
TIP102
(V
CE
= 50V直流，我
B
=0)
集电极截止电流
TIP100
(V
CB
= 60Vdc的，我
E
=0)
(V
CB
= 80VDC ，我
E
=0)
TIP101
TIP102
(V
CB
= 100V直流，我
E
=0)
发射极截止电流
(V
BE
= 5.0VDC ，我
C
=0)
T
A
U
1 2
H
K
3
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
CEO （ SUS ）
60
80
100
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
50
50
50
50
50
50
8.0
L
VDC
V
D
J
R
G
N
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
BASE
集热器
辐射源
I
首席执行官
uAdc
I
CBO
uAdc
I
EBO
MADC
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
1000
20000
(I
C
= 3.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
----
200
---
(I
C
= 8.0Adc ，V
CE
=4.0Vdc)
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
---
2.0
(I
C
= 3.0Adc ，我
B
=6.0mAdc)
---
2.5
VDC
(I
C
= 8.0Adc ，我
B
=80mAdc)
V
BE（上）
基射极电压上
(I
C
=8.0Adc,V
CE
=4.0Adc)
---
2.8
VDC
的hFE
小信号电流增益
(I
C
=3.0Adc,V
CE
=4.0Vdc,f=1.0MHz)
4.0
---
---
C
ob
输出电容
---
200
pF
(V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F =为0.1MHz ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲Width<300us ，职务Cycle<2 ％
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
h
FE(1)
尺寸
英寸
MM
民
最大
民
最大
.560
.625
14.22
15.88
.380
.420
9.65
10.67
.140
.190
3.56
4.82
.020
.139
.190
---
.012
.500
.045
.190
.100
.080
.045
.230
-----
.045
.045
.161
.110
.250
.025
.580
.060
.210
.135
.115
.055
.270
.050
-----
0.51
3.53
2.29
---
0.30
12.70
1.14
4.83
2.54
2.04
1.14
5.84
-----
1.15
1.14
4.09
2.79
6.35
0.64
14.73
1.52
5.33
3.43
2.92
1.39
6.86
1.27
-----
记
www.mccsemi.com
修改：
3
1 4
2008/01/01
TA TC
4.0 80
PD ，功耗（瓦）
3.0 60
1.0
T， TIME （
s)
TC
2.0 40
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0 20
TA
0
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
0.1
0.07
0.05
0.1
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
IC ，集电极电流（毫安）
修改：
3
图1.功率降额
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1.0
100
s
1毫秒
2 4
TIP100,101,102
MCC
微型商业组件
5.0
3.0
2.0
ts
tf
TM
tr
TD @ VBE （关闭） = 0 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0 7.0
10
图2.开关时间
P（ PK）
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
图3.热响应
5毫秒
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定VCEO
TIP100
TIP101
TIP102
10
2.0
5.0
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图4.有源区安全工作区
www.mccsemi.com
2008/01/01
TIP100,101,102
10,000
^ h FE ，小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
TC = 25°C
VCE = 4.0伏
IC = 3.0 ADC
300
MCC
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TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
COB
100
兴业银行
70
50
TM
30
0.1
0.2
0.5 1.0
2.0
5.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图5.小信号电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图6.电容
20,000
VCE = 4.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
TJ = 150℃
25°C
3.0
TJ = 25°C
2.6
2.2
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
– 55°C
1.8
1.4
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0
IB ，基极电流（毫安）
10
20
30
图7.直流电流增益
图8.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
2.5
V，电压（V ）
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.5
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
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修改：
3
3 4
2008/01/01
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订购信息
设备
（品名） -BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
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4 4
2008/01/01
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