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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM8996-30
技术参数
特点
高功率
P1dB为45.0dBm =在8.9GHz到9.6GHz
高增益
G1dB = 7.0分贝在8.9GHz到9.6GHz
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
功率附加效率
通道温度上升
I
DS1
G
1dB
符号
P
1dB
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
分钟。
44.0
6.0
典型值。马克斯。
45.0
7.0
10.0
25
11.5
100
条件
VDS
= 10
V
IDSset7.0A
dB
A
%
°
C
f
= 8.9至9.6GHz
η
添加
ΔTch
（ VDS X IDS +引脚的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
推荐的栅极电阻（RG） ： RG = 10
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
（ TA = 25
°
C )
单位
S
V
A
V
°
C / W
分钟。
-0.7
-5
典型值。马克斯。
5.5
-2.0
20.0
1.0
-4.5
1.1
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 9.6A
V
DS
=
3V
I
DS
= 290毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -290
μ
A
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
渠道情况
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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
2009年七月修订版
TIM8996-30
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
存储
（ TA = 25
°
C )
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
20
136
175
-65到+175
包装外形（ 7 AA03A ）
以毫米单位
以毫米单位
门
门
来源
来源
漏
漏
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
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TPS51225RUKT
TPS73233DCQR
TL431ALF
TPS3106E16
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    -
    -
    -
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电话：0755-88291559
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