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微波功率GaAs FET
微波半导体
技术参数
特点
TIM8596-15
初步
n
宽带内部匹配
n
高功率
P1dB为42.0dBm =在8.5GHz到9.6GHz
n
高增益
G1dB = 7.0分贝在8.5GHz到9.6GHz
n
密封包装
RF性能参数( TA = 25 ° C)
特征
输出功率在1分贝
压缩点
功率增益为1分贝
压缩点
漏电流
功率附加效率
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS
V
DS
= 9
V
f
= 8.5 - 9.6GHz
条件
单位
DBM
dB
A
%
VDS
×
IDS
×
RTH ( C-C )
°
C
分钟。
41.0
6.0
典型值。马克斯。
42.0
7.0
4.5
31
5.5
100
η
添加
总胆固醇
电气特性(Ta = 25 ° C)
特征
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
条件
V
DS
= 2V
I
DS
= 4.8A
V
DS
=
2V
I
DS
= 145毫安
V
DS
= 3
V
V
GS
= 0V
I
GS
= -145
A
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.5
-5
典型值。
3000
-3.0
10.0
2.0
马克斯。
-4.5
11.5
2.5
R
TH( C-C )
渠道情况
u
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
2002年6月
TIM8596-15
绝对最大额定值( TA = 25 ° C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散(TC = 25
°
C)
通道温度
存储
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
11.5
60
175
-65
+175
包装外形( 2-11C1B )
2.0分钟。
以毫米单位
4-R3.0
0.6±0.15
17.0±0.3
21.5最大。
.
+0.1
-0.05
11.0最大。
0.1
2.0分钟。
12.9±0.2
3.2±0.3
来源
最大0.2 。
操作注意事项的包装类型
烙铁应接地,工作时间不应超过10秒
260°C.
2
1.7±0.3
2.6±0.3
5.0最大。
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