微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM7785-45SL
技术参数
特点
n
低互调失真
IM3 = -45 dBc的在噘= 35.5dBm
单载波电平
n
高功率
P1dB为46.5dBm =在7.7GHz到8.5GHz
n
高增益
G1dB = 6.0分贝在7.7GHz到8.5GHz
n
宽带内部匹配FET
n
密封包装
RF性能参数( TA = 25
°
C )
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS
G
η
添加
IM
3
条件
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
分钟。
46.0
5.0
-42
典型值。马克斯。
46.5
6.0
9.6
35
-45
10.8
±0.8
VDS=10V
F = 7.7 8.5GHz
双音测试
Po=35.5dBm
(单载波电平)
( VDS X IDS +引脚 - 的P1dB )
X的Rth ( C-C )
ΔTch
°
C
100
推荐的栅极电阻(RG) : 28
( MAX 。 )
电气特性( TA = 25
°
C )
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH( C-C )
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 11.0A
V
DS
= 3V
I
DS
= 170毫安
V
DS
= 3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -500
A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
8000
-2.5
24
0.8
马克斯。
-4.0
1.2
u
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年7月
TIM7785-45SL
功耗( PT )与外壳温度(TC )
140
120
PT (W)的
100
80
60
40
0
40
80
120
160
200
TC (
°
C )
IM3与输出功率特性
-10
V
DS
=10V
I
DS
9.6A
-20
freq.=8.5GHz
f=5MHz
-30
IM3(dBc)
-40
-50
-60
30
32
34
36
38
40
的Pout ( dBm的) @Single载波电平
4