【微波功率GaAs FET微波半导体TIM7785-35SL技术参数特点n低互调失真IM3 = -45】,IC型号TIM7785-35SL,TIM7785-35SL PDF资料,TIM7785-35SL经销商,ic,电子元器件-51电子网

微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM7785-35SL

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的宝= 35.0dBm ，

单载波电平

高功率

P1dB为45.5dBm =在7.7GHz到8.5GHz

高增益

G1dB = 6.0分贝在7.7GHz到8.5GHz

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能规格

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

增益平坦度

功率附加效率

三阶互调

失真

漏电流

符号

1dB

DS1

（ TA = 25 ° C）

单位

DBM

分钟。

45.0

5.0

-42

典型值。马克斯。

45.5

6.0

8.0

-45

8.0

9.0

±0.8

9.0

100

条件

=10

= 7.7 8.5GHz

添加

DS2

双音测试

Po=35.0dBm

（单载波电平）

dBc的

°C

通道温度上升

ΔTch

X我

个R

TH（ C-C ）

推荐的栅极电阻（RG）： 28

（ MAX 。）

电气特性

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

（ TA = 25 ° C）

单位

° C / W

分钟。

-1.0

-5

典型值。

6500

-2.5

1.0

马克斯。

-4.0

1.3

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

条件

= 3V

= 10.5A

= 140毫安

= 0V

= -420A

渠道情况

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任

专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，

没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝

以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2003年11月

TIM7785-35SL

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

°C)

通道温度

存储

（ TA = 25 ° C）

符号

英镑

单位

°C

等级

-5

115

175

-65到+175

包装外形（ 2-16G1B ）

0.7

0.15

–

C1.0

2.5分钟。

以毫米单位

门

来源

漏

20.4

0.3

0.1 -

0.05

24.5最大。

16.4 MAX 。

+0.1

2.5分钟。

2.6

0.3

17.4

0.4

8.0

0.2

最大0.2 。

1.4

0.3

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

2.4

0.3

5.5最大。

TIM7785-35SL

射频性能

输出功率（噘）与频率的关系

的Pout （ dBm的）

VDS=10V

IDS8.0A

Pin=39.5dBm

7.7

7.9

8.1

8.3

8.5

频率（GHz ）

输出功率（噘）与输入功率（PIN）

freq.=8.5GHz

VDS=10V

的Pout （ dBm的）

ηadd

PIN （ DBM）

ηadd （％）

噘

TIM7785-35SL

功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）

120

100

PT （W）的

120

160

200

TC （

°C

)

IM3与输出功率特性

-10

VDS=10V

-20

freq.=8.5GHz

f=5MHz

-30

IM3(dBc)

-40

-50

-60

的Pout （ dBm的） @Single载波电平

TIM7785-35SL

TIM7785-35SL S-参数

（ MAGN 。和角度）

= 10V ，我

=8.0A

F = 7.5 8.7 GHz的

7.7

7.5

8.5

8.3

8.1

7.9

8.1

8.3

8.7

8.5

8.7

7.5

7.7

频率

（千兆赫）

7.50

7.70

7.00

8.10

8.30

8.50

8.70

MAG

S11

昂

-58.883

-95.847

-125.79

-153.45

177.35

141.44

61.355

MAG

-8.9814

-8.3276

-8.2456

-9.079

-11.201

-15.55

-23.587

S12

昂

-132.94

178.84

131.47

83.846

35.074

-15.135

-66.763

MAG

7.7466

7.6201

7.5867

7.6876

7.8387

7.9431

7.8793

S21

昂

-157.88

153.1

105.53

58.534

10.528

-38.853

-89.791

MAG

-26.718

-26.03

-25.415

-24.785

-24.184

-23.802

-23.776

S22

昂

135.77

113.8

90.07

62.308

28.383

-11.132

-55.383

-6.814

-7.7217

-8.8479

-10.106

-11.394

-12.511

-13.44

微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM7785-35SL

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的宝= 35.0dBm ，

单载波电平

高功率

P1dB为45.5dBm =在7.7GHz到8.5GHz

高增益

G1dB = 6.0分贝在7.7GHz到8.5GHz

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能规格

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

增益平坦度

功率附加效率

三阶互调

失真

漏电流

符号

1dB

DS1

（ TA = 25 ° C）

单位

DBM

分钟。

45.0

5.0

-42

典型值。马克斯。

45.5

6.0

8.0

-45

8.0

9.0

±0.8

9.0

100

条件

=10

= 7.7 8.5GHz

添加

DS2

双音测试

Po=35.0dBm

（单载波电平）

dBc的

°C

通道温度上升

ΔTch

X我

个R

TH（ C-C ）

推荐的栅极电阻（RG）： 28

（ MAX 。）

电气特性

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

（ TA = 25 ° C）

单位

° C / W

分钟。

-1.0

-5

典型值。

6500

-2.5

1.0

马克斯。

-4.0

1.3

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

条件

= 3V

= 10.5A

= 140毫安

= 0V

= -420A

渠道情况

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任

专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，

没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝

以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2003年11月

TIM7785-35SL

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

°C)

通道温度

存储

（ TA = 25 ° C）

符号

英镑

单位

°C

等级

-5

115

175

-65到+175

包装外形（ 2-16G1B ）

0.7

0.15

–

C1.0

2.5分钟。

以毫米单位

门

来源

漏

20.4

0.3

0.1 -

0.05

24.5最大。

16.4 MAX 。

+0.1

2.5分钟。

2.6

0.3

17.4

0.4

8.0

0.2

最大0.2 。

1.4

0.3

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

2.4

0.3

5.5最大。

TIM7785-35SL

射频性能

输出功率（噘）与频率的关系

的Pout （ dBm的）

VDS=10V

IDS8.0A

Pin=39.5dBm

7.7

7.9

8.1

8.3

8.5

频率（GHz ）

输出功率（噘）与输入功率（PIN）

freq.=8.5GHz

VDS=10V

的Pout （ dBm的）

ηadd

PIN （ DBM）

ηadd （％）

噘

TIM7785-35SL

功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）

120

100

PT （W）的

120

160

200

TC （

°C

)

IM3与输出功率特性

-10

VDS=10V

-20

freq.=8.5GHz

f=5MHz

-30

IM3(dBc)

-40

-50

-60

的Pout （ dBm的） @Single载波电平

TIM7785-35SL

TIM7785-35SL S-参数

（ MAGN 。和角度）

= 10V ，我

=8.0A

F = 7.5 8.7 GHz的

7.7

7.5

8.5

8.3

8.1

7.9

8.1

8.3

8.7

8.5

8.7

7.5

7.7

频率

（千兆赫）

7.50

7.70

7.00

8.10

8.30

8.50

8.70

MAG

S11

昂

-58.883

-95.847

-125.79

-153.45

177.35

141.44

61.355

MAG

-8.9814

-8.3276

-8.2456

-9.079

-11.201

-15.55

-23.587

S12

昂

-132.94

178.84

131.47

83.846

35.074

-15.135

-66.763

MAG

7.7466

7.6201

7.5867

7.6876

7.8387

7.9431

7.8793

S21

昂

-157.88

153.1

105.53

58.534

10.528

-38.853

-89.791

MAG

-26.718

-26.03

-25.415

-24.785

-24.184

-23.802

-23.776

S22

昂

135.77

113.8

90.07

62.308

28.383

-11.132

-55.383

-6.814

-7.7217

-8.8479

-10.106

-11.394

-12.511

-13.44