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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM7785-30SL
技术参数
特点
n
低互调失真
IM3 = -45 dBc的宝= 34.5 dBm时，
单载波电平
n
高功率
P1dB为45.0dBm =在7.7GHz到8.5GHz
n
高增益
G1dB = 6.0分贝在7.7GHz到8.5GHz
n
宽带内部匹配FET
n
密封包装
RF性能参数（ TA = 25
°
C )
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
G
条件
单位
DBM
dB
A
dB
%
双音测试
Po=34.5dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
分钟。
44.5
5.0
-42
典型值。马克斯。
45.0
6.0
7.0
34
-45
7.0
8.0
±0.8
8.0
100
V
DS
=10
V
f
= 7.7 8.5GHz
η
添加
IM
3
I
DS2
ΔTch
dBc的
A
°
C
推荐的栅极电阻（RG） ： 28
（ MAX 。 ）
电气特性（Ta = 25 ° C）
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 10A
V
DS
=
3V
I
DS
= 100毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -350A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
6300
-2.5
18
1.0
马克斯。
-4.0
1.3
u
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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年6月
TIM7785-30SL
绝对最大额定值（ TA = 25
°
C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
存储
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
20
115.4
175
-65到+175
包装外形（ 2-16G1B ）
0.7
±
0.15
4
–
C1.0
(1)
以毫米单位
2.5分钟。
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
(2)
(2)
(3)
20.4
±
0.3
0.1 -
0.05
24.5最大。
16.4 MAX 。
+0.1
2.5分钟。
2.6
±
0.3
17.4
±
0.4
8.0
±
0.2
最大0.2 。
1.4
±
0.3
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
2.4
±
0.3
5.5最大。
TIM7785-30SL
射频性能
输出功率（噘）与频率的关系
V
DS
=10V
的Pout （ dBm的）
47
I
DS
7.0A
Pin=39.0dBm
46
45
44
7.7
7.9
8.1
8.3
8.5
频率（GHz ）
输出功率（噘）与输入功率（PIN）
freq.=8.5GHz
V
DS
=10V
46
I
DS
7.0A
80
70
的Pout （ dBm的）
60
50
42
40
ηadd
40
30
20
10
34
36
38
40
PIN （ DBM）
3
ηadd （％）
44
噘
TIM7785-30SL
功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）
120
100
PT （W）的
80
60
40
20
0
40
80
120
160
200
TC （
°
C )
IM3与输出功率特性
-10
V
DS
=10V
I
DS
7.0A
-20
freq.=8.5GHz
f=5MHz
-30
IM3(dBc)
-40
-50
-60
30
32
34
36
38
40
的Pout （ dBm的） @Single载波电平
4
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