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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第813页 > TIM7179-8UL
微波功率GaAs FET
微波半导体
技术参数
特点
TIM7179-8UL
高功率
P1dB为39.5dBm =在7.1GHz到7.9GHz
高增益
G1dB = 9.0分贝在7.1GHz到7.9GHz
宽带内部匹配
密封包装
RF性能参数（ TA = 25 ° C）
°
特征
输出功率在1分贝
压缩点
功率增益为1分贝
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
I
DS2
ΔTch
I
DS1
G
G
1dB
V
DS
= 10
V
dB
A
dB
%
两个音测试
宝= 28.5dBm
（单载波电平）
符号
P
1dB
条件
单位最小。 TYP 。 MAX 。
DBM
38.5
8.0
-44
39.5
9.0
2.2
35
-47
2.2
2.6
±0.6
2.6
80
f
= 7.1 - 7.9GHz
η
添加
IM
3
dBc的
A
°C
V
DS
X
I
DS
X
R
TH（ C-C ）
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 3.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -100A
单位最小。 TYP 。 MAX 。
mS
1800
V
A
V
° C / W
-1.0
-5
-2.5
5.2
2.5
-4.0
7.0
3.5
R
TH（ C-C ）
渠道情况
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
2000年4月
TIM7179-8UL
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°C)
通道温度
存储
（ TA = 25 ° C）
°
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°C
°C
等级
15
-5
7.0
37.5
175
-65
+175
包装外形（ 2-11D1B ）
0.6
±
0.15
4-C1.2
4.0分钟。
以毫米单位
门
来源
漏
12.9
±
0.2
17
±
0.3
21
±
0.2
11.0最大。
+0.1
0.1
-0.05
3.2
±
0.3
操作注意事项的包装类型
烙铁应接地，工作时间不应超过10秒
260°C.
°
2
1.6
±
0.3
2.6
±
0.3
12
最大0.2 。
5.0最大。
4.0分钟。
TIM7179-8UL
RF性能
输出功率与频率的关系
42
41
宝（ DBM）
40
39
38
37
6.8
7
7.2
7.4
7.6
7.8
8
8.2
V
DS
= 10V
I
DS
2.2A
PIN = 30.5dBm
频率（GHz ）
输出功率与输入功率
42
41
40
39
宝（ DBM）
38
37
36
35
34
33
24
F =的7.5GHz
V
DS
= 10V
I
DS
2.2A
90
Po
80
70
60
50
ηadd
(%)
ηadd
40
30
20
10
0
26
28
30
引脚（DB M）
32
34
3
TIM7179-8UL
功耗对比外壳温度
50
40
30
P
T
(W)
20
10
0
0
40
80
TC （ ℃ ）
120
160
200
IM
3
与输出功率特性
-20
V
DS
= 10V
I
DS
2.2A
F =的7.5GHz
F = 5MHz时
-30
IM
3
（ DBC）
-40
-50
-60
24
26
28
30
32
34
宝（DBM ） ，单载波电平
4
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