微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM5964-8SL-422
技术参数
特点
低互调失真
IM3 = -45 dBc的宝= 28.5dBm ,
单载波电平
高功率
P1dB为39.5dBm =在5.85GHz到6.75GHz
高增益
G1dB = 8.0分贝(分钟) ,在5.85GHz到6.75GHz
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
3
rd
阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
ΔG
( TA = 25
°
C )
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
38.5
8.0
-42
典型值。马克斯。
39.5
2.2
35
-45
2.2
2.6
±0.6
2.6
80
条件
VDS=10V
F = 5.85到6.75GHz
η
添加
IM3
IDS2
ΔTch
双音测试
Po=28.5dBm
(单载波电平)
( VDS X IDS +引脚 - 的P1dB )
X的Rth ( C-C )
推荐的栅极电阻(RG) : RG = 150
Ω
( MAX 。 )
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
( TA = 25 ° C)
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
1800
-2.5
5.2
2.5
马克斯。
-4.0
3.8
Gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH( C-C )
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 3.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -100μA
渠道情况
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年7月