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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第773页 > TIM5964-6UL
微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM5964-6UL
技术参数
特点
高功率
P1dB为38.5dBm =在5.9GHz到6.4GHz
高增益
G1dB = 10.0分贝在5.9GHz到6.4GHz
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
I
DS2
ΔTch
I
DS1
ΔG
G
1dB
符号
P
1dB
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
dB
A
dB
%
分钟。
37.5
9.0
-44
典型值。马克斯。
38.5
10.0
1.6
40
-47
1.6
1.9
±0.6
1.9
80
条件
V
DS
= 10
V
f
= 5.9至6.4GHz
η
添加
IM
3
双音测试
宝= 27.5dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
dBc的
A
°
C
推荐的栅极电阻（RG） ： RG = 150
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
（ TA = 25
°
C )
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。马克斯。
1240
-2.5
3.6
3.8
-4.0
4.6
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 2.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 20mA下
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -70
μ
A
渠道情况
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年6月
TIM5964-6UL
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
存储
（ TA = 25
°
C )
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
5.0
32.6
175
-65到+175
包装外形（ 2-11D1B ）
以毫米单位
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
注意事项关于封装模式
烙铁应接地，工作时间不应超过10秒260 ℃。
2
TIM5964-6UL
射频性能
输出功率与频率的关系
41
40
宝（ DBM）
39
38
37
36
5.7
5.8
5.9
6
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.6
V
DS
= 10V
I
DS
1.6A
PIN = 28dBm的
频率（GHz ）
输出功率与输入功率
40
39
38
37
宝（ DBM）
36
35
34
33
32
31
22
24
26
28
PIN （ DBM）
30
32
ηadd
F = 6.15GHz
V
DS
= 10V
I
DS
1.6A
90
80
Po
70
60
50
40
30
20
10
0
ηadd （％）
3
TIM5964-6UL
功耗对比外壳温度
50
40
30
P
T
(W)
20
10
0
0
40
80
TC （ ℃ ）
120
160
200
IM3与输出功率特性
-20
V
DS
= 10V
I
DS
1.6A
F = 6.15GHz
Δ
F = 5MHz时
-30
IM
3
（ DBC）
-40
-50
-60
22
24
26
28
30
32
34
宝（DBM ） ，单载波电平
4
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