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微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM5964-35SLA

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的宝= 35.0dBm ，

单载波电平

高功率

P1dB为45.5dBm =在5.9GHz到6.4GHz

高增益

G1dB = 9.0分贝在5.9GHz到6.4GHz

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能规格

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

增益平坦度

功率附加效率

三阶互调

失真

漏电流

通道温度上升

符号

1dB

DS1

ΔG

（ TA = 25

C )

单位

DBM

分钟。

45.0

8.0

-42

典型值。马克斯。

45.5

9.0

8.0

-45

8.0

9.0

±0.8

9.0

100

条件

=10

= 5.9至6.4GHz

添加

DS2

ΔTch

双音测试

Po=35.0dBm

（单载波电平）

（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）

X的Rth （ C-C ）

dBc的

推荐的栅极电阻（RG）： RG = 28

（ MAX 。）

电气特性

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

（ TA = 25

C )

单位

C / W

分钟。

-1.0

-5

典型值。

6500

-2.5

1.0

马克斯。

-4.0

1.3

条件

= 3V

= 10.5A

= 140毫安

= 0V

= -420μA

渠道情况

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。

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以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2006年10月

TIM5964-35SLA

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

通道温度

存储

（ TA = 25

C )

符号

英镑

单位

等级

-5

115.4

175

-65到+175

包装外形（ 2-16G1B ）

以毫米单位

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）排水

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

TIM5964-35SLA

射频性能

输出功率与频率的关系

= 10 V

8 A

PIN = 36.5 dBm的

宝（ DBM）

5.9

6.0

6.1

6.2

6.3

6.4

频率（GHz ）

输出功率与输入功率

F = 6.15 GHz的

= 10 V

8 A

宝（ DBM）

ηadd

PIN （ DBM）

ηadd （％）

TIM5964-35SLA

功耗对比外壳温度

120

100

(W)

120

160

200

TC （ ℃）

IM3与输出功率特性

-10

VDS=10V

IDS 8的

-20

freq.=6.15GHz

Δf=5MHz

-30

IM3(dBc)

-40

-50

-60

的Pout （ dBm的） @Single载波电平

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