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微波功率GaAs FET
微波半导体
技术参数
特点
TIM5964-35SLA-251
低互调失真
IM3 = -45 dBc的宝= 35.0dBm ，
单载波电平
高功率
P1dB为45.5dBm =在5.9GHz至6.75GHz
高效率
ηadd=39%
在5.9至6.75GHz
高增益
G1dB = 8.5分贝在5.9GHz至6.75GHz
宽带内部匹配
密封包装
RF性能参数（ TA = 25 ° C）
°
特征
输出功率在1分贝
压缩点
功率增益为1分贝
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
G
V
DS
= 10
V
f
= 5.9 - 6.75GHz
条件
单位最小。 TYP 。 MAX 。
DBM
dB
A
dB
%
两个音测试
Po=35.0dBm
（单载波电平）
45.0
8.0
-42
45.5
9.0
8.0
39
-45
8.0
9.0
±0.8
9.0
100
η
添加
IM
3
I
DS2
dBc的
A
通道温度上升
ΔTch
V
DS
X
I
DS
X
R
TH（ C-C ）
°C
推荐的栅极电阻（RG） ： RG =皂苷Rg1 （10
)+Rg2(18
)= 28
（ MAX 。 ）
+
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 10.5A
V
DS
=
3V
I
DS
= 140毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -420A
渠道情况
单位最小。
mS
V
A
V
° C / W
-1.0
-5
典型值。马克斯。
6500
-2.5
20
1.0
-4.0
26
1.3
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订后的2000年8月
TIM5964-35SLA-251
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°C)
通道温度
存储
（ TA = 25 ° C）
°
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°C
°C
等级
15
-5
26
115
175
-65
+175
包装外形（ 2-16G1B ）
0.7
±
0.15
4
–
C1.0
2.5分钟。
以毫米单位
门
来源
漏
2.6
±
0.3
20.4
±
0.3
0.1 -
0.05
24.5最大。
16.4 MAX 。
+0.1
2.5分钟。
17.4
±
0.4
8.0
±
0.2
最大0.2 。
1.4
±
0.3
操作注意事项的包装类型
烙铁应接地，工作时间不应超过10秒
260°C.
°
2
2.4
±
0.3
5.5最大。
TIM5964-35SLA-251
RF性能
输出功率与频率的关系
48
47
宝（ DBM）
V
DS
= 10 V
I
DS
8 A
PIN = 36.5 dBm的
46
45
44
43
5.75
6.00
6.25
6.50
频率（GHz ）
6.75
输出功率与输入功率
48
47
46
45
宝（ DBM）
44
43
42
41
40
39
29
31
33
PIN （ DBM）
35
37
39
η
添加
Po
F = 6.75 GHz的
V
DS
= 10 V
I
DS
8 A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
η
增加（ ％ ）
3
TIM5964-35SLA-251
功耗对比外壳温度
120
100
80
P
T
(W)
60
40
20
0
0
40
80
120
160
200
TC （ ℃）
°
IM
3
与输出功率特性
-10
V
DS
= 10 V
I
DS
8 A
F = 6.325GHz
F = 5MHz时
-20
IM
3
（ DBC）
-30
-40
-50
-60
30
32
34
36
38
宝（DBM ） ，单载波电平
4
40
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