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微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM5964-30SL

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的宝= 34.5 dBm时，

单载波电平

高功率

的P1dB = 45.0 dBm的在5.9GHz到6.4GHz

高增益

G1dB = 8.0分贝在5.9GHz到6.4GHz

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能参数（ TA = 25

C )

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

增益平坦度

功率附加效率

三阶互调

失真

漏电流

通道温度上升

符号

1dB

DS1

条件

单位

DBM

双音测试

宝= 34.5 dBm的

（单载波电平）

（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）

X的Rth （ C-C ）

分钟。

44.0

7.0

-42

典型值。马克斯。

45.0

8.0

7.0

-45

7.0

8.0

±0.8

8.0

100

=10

= 5.9至6.4GHz

添加

DS2

ΔTch

dBc的

推荐的栅极电阻（RG）： RG = 28

（ MAX 。）

电气特性（Ta = 25 ° C）

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

条件

= 3V

= 10A

= 100毫安

= 0V

= -350A

渠道情况

单位

C / W

分钟。

-1.0

-5

典型值。

6300

-2.5

1.0

马克斯。

-4.0

1.3

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以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2006年6月

TIM5964-30SL

绝对最大额定值（ TA = 25

C )

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

通道温度

存储

符号

英镑

单位

等级

-5

115.4

175

-65到+175

包装外形（ 2-16G1B ）

0.7

0.15

–

C1.0

(1)

以毫米单位

2.5分钟。

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）排水

(2)

2.6

0.3

(3)

20.4

0.3

0.1 -

0.05

24.5最大。

16.4 MAX 。

+0.1

2.5分钟。

17.4

0.4

8.0

0.2

最大0.2 。

1.4

0.3

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

2.4

0.3

5.5最大。

TIM5964-30SL

射频性能

输出功率与频率的关系

= 10 V

7 A

PIN = 37 dBm的

宝（ DBM）

5.9

6.0

6.1

6.2

6.3

6.4

频率（GHz ）

输出功率与输入功率

F = 6.4 GHz的

= 10 V

7 A

宝（ DBM）

ηadd

PIN （ DBM）

ηadd （％）

TIM5964-30SL

功耗对比外壳温度

120

100

PT （W）的

T (℃

c )

120

160

200

IM3与输出功率特性

-10

=10V

7 A

-20

freq.=6.4GHz

f=5MHz

-30

IM3(dBc)

-40

-50

-60

的Pout （ dBm的） @Single载波电平

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