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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第962页 > TIM5964-12UL
微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM5964-12UL
技术参数
特点
n
高功率
P1dB为41.5dBm =在5.9GHz到6.4GHz
n
高增益
G1dB = 10.0分贝在5.9GHz到6.4GHz
n
宽带内部匹配FET
n
密封包装
RF性能参数（ TA = 25
°
C )
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
I
DS2
ΔTch
I
DS1
G
G
1dB
V
DS
= 10
V
dB
A
dB
%
双音测试
Po=30.5dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
符号
P
1dB
条件
单位
DBM
分钟。
40.5
9.0
-44
典型值。马克斯。
41.5
10.0
3.2
40
-47
3.2
3.8
±0.6
3.8
80
f
= 5.9至6.4GHz
η
添加
IM
3
dBc的
A
°
C
推荐的栅极电阻（RG） ： RG = 100
（ MAX 。 ）
电气特性（ TA = 25
°
C )
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 4.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 40毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -140
A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
2500
-2.5
7.2
2.0
马克斯。
-4.0
2.4
uThe
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年10月
TIM5964-12UL
绝对最大额定值（ TA = 25
°
C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C )
通道温度
存储
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
10.0
62.5
175
-65到+175
包装外形（ 2-16G1B ）
0.7
±
0.15
4
–
C1.0
(1)
以毫米单位
2.5分钟。
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
(2)
(2)
(3)
20.4
±
0.3
0.1 -
0.05
24.5最大。
16.4 MAX 。
+0.1
2.5分钟。
2.6
±
0.3
17.4
±
0.4
8.0
±
0.2
最大0.2 。
1.4
±
0.3
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
2.4
±
0.3
5.5最大。
TIM5964-12UL
射频性能
输出功率与频率的关系
44
43
宝（M ）
dB
42
41
40
3 9
5.
7
5.
8
5.
9
6
6.
1
6.
2
6.
3
6.
4
6.
5
6.
6
频率（GHz ）
V
DS
= 10V
I
DS
3.2A
PIN = 31.5dBm
输出功率与输入功率
43
42
41
40
P O（分贝M）
3 9
F = 6.15GHz
V
DS
= 10V
I
DS
3.2A
90
80
Po
70
60
η
添加
50
η增加（ ％ ）
40
3 0
20
10
0
3 8
3 7
3 6
3 5
3 4
24
26
28
3 0
P I （DB M）
n
3 2
3 4
3
TIM5964-12UL
功耗对比外壳温度
100
80
P
T
( )
W
60
40
20
0
0
40
80
T C （ ℃
120
)
160
200
IM3与输出功率特性
- 20
V
DS
= 10V
I
DS
3.2A
F = 6.15GHz
F = 5MHz时
- 3 0
I M
3
（分贝三）
- 40
- 50
- 60
25
27
29
3 1
3 3
宝（DBM ） ，单载波电平
3 5
4
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TMX320F2812PGFS
TC1303B-CE0EMF
TPS75433QPWPR
TAJA334J050R
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供货商
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封装
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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地址：广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
TIM5964-12UL
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