微波功率GaAs FET
微波半导体
技术参数
特点
n
高POWERT
P1dB为39.5dBm =在5.3GHz到5.9GHz
n
高增益
G1dB = 9.0分贝在5.3GHz到5.9GHz
TIM5359-8SL
初步
n
宽带内部匹配
n
密封包装
RF性能参数（ TA = 25 ° C）
特征
符号
条件
输出功率在1分贝
P
1dB
压缩点
VDS = 10V
功率增益为1分贝
G
1dB
F = 5.3 5.9GHz
压缩点
漏电流
I
DS1
增益平坦度
G
η
添加
功率附加效率
3
rd
阶互调
IM3
失真
记
漏电流
IDS2
总胆固醇
通道温度上升
V
DS
X我
DS
个R
TH（ C-C ）
注：两个音测试， PO = 28.5dBm （单载波电平）
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
38.5
8.0
-42
典型值。马克斯。
39.5
9.0
2.2
35
-45
2.2
2.6
±
0.6
2.6
80
电气特性（Ta = 25 ° C）
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 3.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -100
A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
Gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
分钟。
-1.0
-5
典型值。
1800
-2.5
5.2
2.5
马克斯。
-4.0
7.0
3.8
u
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
2002年6月
微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM5359-8SL
技术参数
特点
低互调失真
IM3 = -45 dBc的在噘= 28.5dBm
单载波电平
高功率
P1dB为39.5dBm =在5.3GHz到5.9GHz
高增益
G1dB = 9.0分贝在5.3GHz到5.9GHz
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
ΔG
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
38.5
8.0
-42
典型值。马克斯。
39.5
9.0
2.2
35
-45
2.2
2.6
±0.6
2.6
80
条件
V
DS
=10V
F = 5.3 5.9GHz
η
添加
功率附加效率
rd
双音测试
3阶互调
IM3
Po=28.5dBm
失真
（单载波电平）
漏电流
IDS2
通道温度上升
ΔTch
V
DS
X我
DS
个R
TH（ C-C ）
推荐的栅极电阻（RG） ：150
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
（ TA = 25 ° C）
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
1800
-2.5
5.2
2.5
马克斯。
-4.0
3.8
Gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 3.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -100μA
渠道情况
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年7月
TIM5359-8SL
功耗对比外壳温度
40
30
PT （W）的
20
10
0
40
80
120
160
200
TC （ ℃）
IM3与输出功率特性
-10
V
DS
=10V
I
DS
2.2A
-20
freq.=5.9GHz
Δf=5MHz
-30
IM3(dBc)
-40
-50
-60
24
26
28
30
32
34
的Pout （ dBm的） @Single载波电平
4
微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM5359-8UL
技术参数
特点
高功率
P1dB为39.5dBm =在5.3GHz到5.9GHz
高增益
G1dB = 10.0分贝在5.3GHz到5.9GHz
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
输出功率在1分贝
压缩点
功率增益为1分贝
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
I
DS2
ΔTch
I
DS1
ΔG
G
1dB
符号
P
1dB
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
分钟。
38.5
9.0
-44
典型值。马克斯。
39.5
10.0
2.2
36
-47
2.0
2.6
±0.6
2.6
80
条件
V
DS
= 10
V
IDSset=1.8A
dB
A
dB
%
f
= 5.3 5.9GHz
η
添加
IM
3
双音测试
宝= 28.5dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
dBc的
A
°
C
推荐的栅极电阻（RG） ：150
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
（ TA = 25
°
C )
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。马克斯。
1800
-2.5
5.2
2.5
-4.0
3.5
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 3.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -100
μ
A
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
渠道情况
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2009年6月
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