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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM5359-80SL
初步
技术参数
特点
n
低互调失真
IM3 = -30 dBc的在噘= 42.0dBm
单载波电平
n
高功率
P1dB为49.0dBm =在5.3GHz到5.9GHz
n
高增益
G1dB = 7.5分贝在5.3GHz到5.9GHz
n
宽带内部匹配FET
n
密封包装
RF性能参数（ TA = 25
°
C )
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
G
条件
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
48.0
6.5
-25
典型值。马克斯。
49.0
7.5
18.0
36
-30
20.0
±0.8
16.0
100
VDS = 10V
IDSset=10.0A
F = 5.3 5.9GHz
η
添加
IM
3
双音测试
Po=42.0dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
I
DS2
ΔTch
推荐的栅极电阻（RG） ： 28
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
（ MAX 。 ）
单位
S
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
20
-1.8
38
0.5
马克斯。
-3.0
0.6
电气特性（Ta = 25 ° C）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 12.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 200毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -1.0mA
渠道情况
u
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
2006年八月牧师
TIM5359-80SL
绝对最大额定值（ TA = 25
°
C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
26
250
175
-65到+175
包装外形（ 7 AA02C ）
0.7
±
0.15
4
–
C1.0
(1)
以毫米单位
2.5分钟。
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
(2)
(2)
(3)
1.3
±
0.15
20.9
±
0.3
+0.05
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
1.4
±
0.3
2.4
±
0.3
5.5最大。
16.9 MAX 。
0.15
-0.05
24.5最大。
2.5分钟。
2.6
±
0.3
17.4
±
0.4
8.0
±
0.2
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TMS28F200AMY
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TC835CBU
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